华为LTE设备介绍.ppt

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1、2014年中移动TD-LTE三期集采投标产品交流华为三期BBU及基带板全景图继续投标新硬件继续投标BBU3900LBBPd43*20M8T8R6*20M2T2RUBBPd96*20M8T8R12*20M2T2RLBBPd4UBBPd9BBU3910室外BladeBBU6*20M8T8R12*20M2T2RBBU3910A↑背板交换能力↑散热能力↑供电能力BladeSite解决传统站点挑战Page3RRU小型态BBU机房/机柜+盒子占地站点资源最大化“0”小时安装模块化运维最简单2FiberRRU/AAUBladeBBUBlade备电Blade电源1个盒子，1根线缆

2、“MIN”站点故障率BladeSite——BBU3910A主要规格单基带板规格(合一板卡)UMDU=UMPT+UBBPd96*20M8T8R/12*20M2T2R（仅TDL）Ir接口速率6*9.8G传输接口FE/GE一光一电对外供电1POE(60W)回传时钟GPS、北斗和1588v2尺寸12L(400x100x300mm)、24L(备电)重量12kg，33kg(备电)供电DC-48V功耗150W电源功率容量3000W(满足1BBU+3RRU)，备电20AH防护自然散热，IP65BBU电源（选配）备电（选配）应用场景：公路、郊区、农村特点：“0”站址，2小时安装，M

3、IN故障率华为三期室内外RRU模块全景图继续投标新8通道模块DRRU3168e-faFA频段8*22W(F改频)RRU3273D频段8*25WRRU3277D频段8*30WAAU3215AAU3213D频段8*25WRRU3182-FADRRU3182-eDRRU3152-eE频段2*50WDRRU3172-FADFA:2*30W(F改频)D:2*40WDRRU3161-faeFA:30W(F改频)E:50WRRU3275E频段2*60WFA频段2*35WD频段2*60WD频段2*60W继续投标新2通道模块D频段8*30W8T8RRRU（RRU3273/RRU32

4、77）RRU小型态BBU性能优部署快全新一代ASIC芯片，内置serdes接口，集成度更高，功耗小首次采用氮化镓功放技术，功放效率显著提升，支持更大输出功率优化电源等电路，提升效率型号RRU3273RRU3277（三期新产品）配置2.6G8T8R2.6G8T8R功率8*25W8*30W载波/带宽3*20M/60M3*20M/60M重量17Kg17Kg尺寸17L17L工作温度-40°C～55°C-40°C～55°C安装方式抱杆抱杆功耗460W560W型号RRU3273RRU3277（三期新产品）性能优新增D频段不需要新增天线和RRU部署快零馈损，相比FA&D独立电条

5、合入方式，性能提升将近3dBFA&D独立电调FAD天线&D频段RF原FARRU天线RRU一体化设备（AAU3213/AAU3215）RRU小型态BBU型号AAU3215（三期新产品）AAU3213配置2.6G8T8R（有源）+FA8T8R（无源）2.6G8T8R（有源）+FA8T8R（无源）功率8*30W8*25W载波/带宽3*20M/60M3*20M/60M天线增益16dBi16dBi电调双频独立电调双频独立电调重量/尺寸35Kg，1400*320*23035Kg，1400*320*230工作温度-40°C～55°C-40°C～55°C安装方式抱杆抱杆功耗560

6、W460W射频功放管新材料——氮化镓(NGa)技术趋势演进LDMOS氮化镓发展诉求：更高的功率，更高的效率(绿色节能)LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)GaN氮化镓的好处更高的漏极效率：相比LDMOS效率提升5%以上更大的带宽：支持高频、大带宽更高的击穿电压：输出更高的功率更高的结温：功放体积更小，结构支持更大功率我司在氮化镓行业领导地位多年的预研工作，推动产业的发展，解决关键技术Page8晶片ICRRURRU小型态BBU双通道FADRRU效率更高的新功放管提升电源的输出功率，并提升效率优化硬件电路，使用性能更好的器件RRU小型态BBU设备型号DRRU31

7、72-fadDRRU3182-fad（三期新产品）通道数2通道2通道工作频带宽度F+A+DF+A+D容量F+A：30M+15MD：3*20MF+A：30M+15MD：3*20M输出功率FA:2*30WD:2*40WFA:2*35WD:2*60W光纤接口2*9.8G2*9.8G级联情况6级6级功耗350W540W尺寸（L）12L18L重量（Kg）12kg18kg室内双通道E频段RRU采用效率更高的新功放管提升电源的输出功率，并提升效率优化硬件电路，使用性能更好的器件RRU小型态BBU设备型号DRRU3152-eRRU3182-e（三期新产品）通道数2通道2通道工作频

8、带宽度EE