武汉理工材料科学基础2007考研参考答案.doc

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1、武汉理工材料科学基础2007年考研真题参考答案一、同质多晶：化学组成相同的物质，在不同的热力学条件下形成结构不同晶体的现象。重建型转变：不能通过简单的原子位移来实现，转变前后结构差异大，必须破坏原子间的键形成新键的结构的转变。热释电效应：在某些绝缘物质中，由于温度的变化引起极化状态改变的现象称为热释电效应。位错攀移：在热缺陷或外力作用下，位错线沿垂直于滑移面方向上的运动，结果导致晶体中空位或间隙质点的增殖或减少。大角度晶界：相邻晶粒的取向差时，称为大角度晶界。网络形成体：单链强度大于335Kg/mol，能单独形成玻璃的氧化物。表面化学力：凝聚系统：没有气相或虽有气相

2、但其影响可以忽略不计的系统。稳定扩散：空间任意一点的浓度不随时空变化，扩散通量不随位置变化的扩散。非扩散型相变：相变过程中不存在原子（离子）扩散，或虽存在扩散但不是相变所必需的或不是主要过程的相变。晶粒长大：在烧结中、后期细小晶粒逐渐长大，是晶界移动的结果，其结果是平均晶粒尺寸增加。广义材料腐蚀：材料由于环境作用而引起的变质和破坏过程。蠕变：固体材料在保持应力不变的条件下，应变随时间延长而增加的现象。铁弹效应：外电场作用下电畴取向一致，电场消失后仍然保持着净极化的现象。二、1，A块主要反映Mg2+离子配位[MgO4]B块主要反映Al3+离子配位[AlO6]2，CNO

3、2-=4，[OMgAl3]静电强度=的电价数。34，Mg2+离子占据四面体空隙的1/8，Al3+占据八面体空隙的1/25，正尖晶面三、1，层状结构，3MgO4SiO2H2O2，Na2O能降低熔体粘度，因为Na+半径大，电荷少，与O2-的作用力较小，提供了系统中的自由氧，降低了Si/O比，导致原来的硅氧负离子团解聚为较简单的结构单元，因而降低了粘滞活化能，粘度变小。3，同一种物质，其液体固体表面结构不同，液体分子可以自由移动，总是通过形成球形表面来降低其表面能，固体则不能，固体质点不能自由移动，只能通过表面质点的极化、变形、重排来降低体统表面能，固体表面处于搞能量状态

4、（由于表面力的存在）。四、1，晶胞体积m分子数为：缺陷数：4-3.83=0.172，xxx3，五、六、临界胚体半径且得=1.25（个）七、初次再结晶推动力：基质塑性变形所增加的能量。晶粒长大：晶界过剩的自由能。二次再结晶：晶界过剩界面能。八、杨德方程金思特格林方程t=1时，G=0.2得出k13，杨德方程假设反应过程扩散截面不变，而金思特格林方程考虑了扩散截面的变化，随着反应的进行，反应物体积减小。扩散截面积变小，反应所需时间比杨德方程计算的结果要短。九、P3281，NC3C6，不一致熔融三元化合物NCS5，不一致熔融三元化合物N3S2，不一致熔融二元化合物NS，一致

5、熔融二元化合物3.Q：双升点（单转熔点）P多晶转变点H双降点（双转熔点）