GaSb基金属半导体接触势垒调制的技术研究.pdf

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1、分类号：UDC：密级：卫公珏编号：——GaSb基金属／半导体接触势垒调制的技术研究THERESEARCHOFTHEMODULATIONGaSbSEMICONDUCTORCONTACTBARRjER学位授予单位及代码：篮查理王太堂!!Q!昼鱼2论文起止时间：2Q堕鱼二窒Q!墨：!呈申请学位级别：亟±研究生：逊瞪长春理工大学硕士学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的硕士学位论文，((GaSb基金属／半导体接触势垒调制的技术究》是本人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研

2、究做出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名：盈!盘当刍．啦2月五日长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使用规定”，同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文全文数据库和CNKI系列数据库及其它国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。作者签名：j套盎逝圣坐笙年三月鱼日导

3、师签名：Z群年岁月go日摘要GaSb半导体化合物由于它们的能带结构特点在电子和光电子器件的应用方面有着广泛的前途。在金属与GaSb半导体接触中，金属半导体接触势垒对器件有着重要影响，而费米能级钉扎效应是导致接触势垒不可调制的主要原因。在这篇文章中，主要通过使用原子层沉积技术(ALD)，在金属Au与半导体GaSb之间刻意插入一层均匀的氧化物界面层，并研究不同厚度的氧化物薄膜作为界面层对Au／GaSb接触的影响。根据二极管的电流．电压(I．V)特性曲线所表现出不同的非线性阻抗特性(整流特性)，计算出了不同厚度、不同介电常数的氧化物界面层薄膜的GaSb二极管的势垒高度和理想因子等

4、参数，并对结果进行了分析，发现一定厚度氧化物界面层薄膜对费米能级钉扎效应起到一定的松动作用。关键词：氧化物界面层原子层沉积GaSb二极管接触势垒电流一电压特性势垒高度和理想因子IIAbstractGaSbsemiconductorcompoundsbecauseoftheirbandstructurecharacteristics，Ithasbroadapplicationsinelectronicandoptoelectronicdevicesinthefuture．InthemetalcontactwiththeGaSbsemiconductor,themetaland

5、semiconductorofcontactbarrierhasimportantinfluencetothedevice．ThecausedbythesemiconductorsurfacestateofFermienergylevelpinningeffectiSamajorcausewhichleadtocontactbarriercannotbemodulated．Inthisarticle，throughtheuseofatomiclayerdeposition(ALD)，BetweentheAumetalandsemiconductorGaSbdeliberat

6、elyinsertauniformlayerofoxideinterfacelayer，andstudythedifferentthicknessofoxidefilmastheinterfacelayerofAu／GaSbcontact．Accordingtothecurrent-voltageofdiode(I—V)characteristiccurvewhichshowdifferentnonlinearimpedancecharacteristics，calculatedthebarrierheightandidealfactorofGaSbdiodeparamet

7、ers，andtheresultsareanalyzed．T11estudyfindsthatacertainthicknessofoxideinterfacelayerleadtotheFermileveldepinning．AndfoundthatintheoryanykindofthelargerbandgapandthesmallerthedielectricconstantinsulationmaterialsCanbeusedtoweakentheFermienergylevelpinningeffec