《三极管伏安特性》PPT课件.ppt

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1、电子技术课堂小结三极管的结构特点：三极、三区、二极三极管的基本特征：具有电流放大作用三极管具有电流放大作用的两个工作条件：内部条件：三个区的特殊工艺结构；外部条件：发射结正偏，集点结反偏，即：NPN型三极管：Vc>Vb>VePNP型三极管：Vc

2、三极管在电路中的三种组态4特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBECEB实验线路5输入特性：是指当UCE为某一定值时，发射结电压uBE和基极电流iB之间的关系。（1）UCE=0时，输入特性曲线与二极管的正向伏安特性曲线相似，存在死区电压UON（开启电压），硅管0.5V,锗管0.1V。当uBE>UON时，基极才有电流产生，硅管的导通电压0.7V,锗管为0.3V。（2）UCE增大时，输入特性曲线右移；（3）当UCE≥1V时，曲线不再明显右移而基本重合。一、共发射极输入特性曲线6二、共发射极输出特性曲线输出特性是指在基极电流IB为一常量的情况下，三极管的集电极ic与管压降uCE之间的关系。现

3、在我们所见的是共射输出特性曲线表示以IB为参变量时，Ic和UCE间的关系：即Ic=f(UCE)

4、IB=常数实测的输出特性曲线如图所示：根据外加电压的不同，整个曲线可划分为四个区：放大区、截止区、饱和区、击穿区7二、输出特性IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A放大区：发射结正偏，集电结反偏,uBE>Uon,且uCE≥uBE当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=IB。8IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A饱和区：发射结正偏，集电结正偏:uBE>Uon,且uCE

5、时，ic基本不受IB控制，随uCE增大而明显增大；IB>IC，UCE=UCES0.3V(0.1V)。9IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A截止区:IB=0以下的区域，uBE≤Uon,且uCE>Ube；IB=0,IC=ICEO≈010输出特性曲线簇当UCE增大到一定值时，集电结就会发生反向击穿，造成集电极电流Ic剧增，这一特性表现在输出特性图上则为击穿区域。11输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且IC=IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE，IB>IC，UCE0.

6、3V(3)截止区：UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0