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1、CL.HUANG08/29/2003AMD1使用之電容介紹目前AMD1所使用之電容種類如下:一.TantalumCap.二.CeramicCap(含YCap/MLCCChipCap/ CeramicDiskCap).三.AluminumElectrolyticCap.四.PlasticFilmCap(含XCap/YCap).各類電容選用及測試時之注意項目:一.TantalumCap1.(1)使用於耦合電路,濾波電路,定時電路. (2)目前使用之Size有:3216(ACase),3528(BCase),6032(C Case)三
2、種. 2.特性部份: (1)RatedCapacitance. (2)RatedVoltage. (3)DissipationFactor(Tanδ).D.F.=tanδ(lossangle)=E.S.R./Xc=(2πfC)(E.S.R.)(4)LeakageCurrent. (5)E.S.R.ESR＝tanδ/(2×π×F×Cs)，F是頻率,Cs是電容量3.包裝:SMDType.4.注意事項:當使用於環溫超過+85℃以上時,須VoltageDerating (lessthan1/2~1/3toratedvoltage),才
3、可工作於+125℃的環境.5.構造圖:二.CeramicCap1.可分YCap/CeramicDiskCap&MLCCChipCap說明.(1)YCap: (a)使用於線路中之線對地,ForACsafetyrequest&EMC( EMI+EMS). (b)材質為BaTiO3(DiskType). (2)CeramicDiskCap: (a)TemperatureCoefficient大致可分為:NPO(COG),X7R, Y5V,Z5U四種. (b)溫度補償型使用於溫度補償電路,諧振電路,調諧電路,耦合電路. (c)高電介質型
4、使用於高頻電路,中低壓電路高速邏輯電路. (d)材質主要成份為BaTiO3.(3)MLCCChipCap:(a)TemperatureCoefficient大致可分為:NPO(COG),X7R, Y5V,Z5U四種. (b)使用在一般電子回路,高電壓回路,液晶Backlight之Inverter回路. (c)材質主要成份(BME製程):NPO為CaZrO3,X7R/Y5V/ Z5U為BaTiO3. (d)目前使用之Size:0402/0603/0805/1206/1210/1812/2220.2.特性部份: (1)RatedCa
5、pacitance. (2)RatedVoltage. (3)DissipationFactor(Tanδ)orQ. (4)InsulationResistance.(5)Hi-potTest. (6)CapacitanceTemperatureCoefficient. (7)OperatingTemperatureRange. (8)SafetyApprovals(ForYCap). 3.包裝:(1)YCap(DiskType)3.1.13.1.2(2)YCap(BoxType)(3)CeramicDiskCap 3.3.1
6、3.3.2(4)MLCCChipCap (4.1)(4.2)TemperatureCoefficient:5.注意事項:溫度補償型不適用於有脈衝電壓的電路.(陶瓷片電容器的導體 是在陶瓷片上塗佈一小層銀或其他合金,其導體面積小且與導 線焊接面積較小,不耐脈衝電壓的衝擊,另脈衝波的衝擊也會 造成陶瓷片龜裂的現象,如只是短暫的脈衝電壓只要不超過電 容器額定電壓,則仍可適用.) 6.MLCC構造圖:三.AluminimElectrolyticCap1.使用於抑制電路上的漣波電壓. 2.特性部份: (1)RatedCapacitan
7、ce. (2)RatedVoltage. (3)DissipationFactor(Tanδ). (4)LeakageCurrent. (5)ESR(ForLowImpedanceType). (6)Life. (7)Temperaturerange. (8)RippleCurrent.3.包裝:如下.4.鋁質電解電容器故障模式與原因:故障模式內部現狀誘發要因製造時誤使用時適當使用時短路電極間短路酸化皮膜絕緣破壞電極間絕緣破壞釘接部,端子部斷線開路釘接部,端子部接續不良靜電容量減少Tan增加電解液減少電解液熱分解陽極箔容量減少
8、陰極箔容量減少洩漏電流增加防爆瓣開花液漏酸化皮膜劣化腐蝕內壓上升封口不完全氯離子侵入封口不良機械壓迫應力接續不良切斷毛刺,金屬微粒子酸化皮膜部缺陷外部壓迫應力經時劣化外部壓迫應力過電壓印加逆電壓印加漣波電流過大超過容許以上充放電基板清洗時氯離子侵入1111213
