《传感器与检测技术》模拟试卷答案A.doc

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1、华东理工大学《传感器与检测技术》模拟试卷答案A试卷满分100分。考试时间120分钟。（注意：全部答在答题纸上，答试卷上无效，试卷与答题纸分开交）一、填空题（共20分，每空1分）1传感器的一般特性可分为和。静态特性，动态特性2金属丝的应变灵敏系数由两部分组成，前一部分由引起；后一部分由引起。金属丝的尺寸变化，电阻率的变化3电容传感器除了有极板间电容外，极板与周围物体也产生电容联系，称之为，对传感器产生严重干扰，为此必须采用措施，将电容器极板放置在金属壳体内，并将壳体与大地相连。寄生电容，静电屏蔽4电感传感器根据转换原理不同可分为和，根据结构型式不同可分为和。自感式，互

2、感式，气隙型，螺管型5对于差动变压器，使用桥式电路时，在零点仍有一个微小电压值存在，称为。零点残余电压6压电式传感器的前置放大器有两种形式：和。电压放大器，电荷放大器7光学码盘式传感器是用光电方法把被测角位移转换成形式表示的电信号的转换部件。数字代码8当光由光密物质出射至光疏物质时，发生折射，折射角大于入射角，这是定理。斯乃尔9某电容式位移传感器，当被测位移变化量，相应输出电容变化量，其平均灵敏度为；用切线法求得性性度为1%。若现采用差动式电容结构，其灵敏度为，用切线法求得的线性度应为。，，1‰二、选择题（共10分，每题2分）1下列哪一项不属于传感器的静态特性？BA

3、线性度B一阶响应C迟滞D重复性2单晶硅材料在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化，这种现象被称为。CA霍尔效应B光电效应C压阻效应D压电效应3下列哪一项不是电涡流产生的必要条件？DA存在交变磁场B导体置于交变磁场中C导体在磁场中运动D磁场足够大4设压电陶瓷内部原始极化强度为A，极化处理后存在的剩余极化强度为B，则A与B相比B。AA>BBA

4、感器B电感传感器C光栅传感器D光纤传感器7在振弦式传感器中，关于电流法激励的缺点，下面哪一项说法不正确？BA振弦连续激励容易疲劳B不能连续测量被测量的变化C易产生温差D需考虑钢弦与外壳绝缘问题8将温度转换为的热电式传感器叫，其工作原理基于热电效应。AA电势，热电偶B电阻值，热电偶C电势，热电阻D电阻值，热电阻9关于磁敏二极管的说法，哪一个是正确的？CA磁敏二极管磁灵敏度远低于霍尔元件；反向偏置时两端电压受磁场作用变化很大。B磁敏二极管磁灵敏度远低于霍尔元件；反向偏置时两端电压不会因磁场作用而有任何变化。C磁敏二极管磁灵敏度远高于霍尔元件；反向偏置时两端电压不会因磁场

5、作用而有任何变化。D磁敏二极管磁灵敏度远高于霍尔元件；反向偏置时两端电压受磁场作用变化很大。4下列哪一器件不属于光纤传感器的构成？BA光发生器B照明系统C光接收器D信号处理系统三、判断对错并改正（共20分，每题2分）1迟滞现象反应了传感器机械结构和制造工艺上的缺陷。（）Ö2金属丝和半导体材料发生形变产生的效应原理相同。（）×一个是应变效应，一个是压阻效应3电容传感器的标定和测量必须在同样条件下进行，即线路中导线实际长度等条件在测试时和标定时应该一致。（）Ö4电感传感器的铁心一般工作在饱和状态下，其磁导率远大于空气的磁导率。（）×非饱和状态下5不同于，一般位移传感器，

6、电涡流式位移传感器在电涡流整个波及范围内都能呈线性变换。（）×6晶体在沿着电轴方向的力作用下不产生压电效应。（）×光轴不产生压电效应7莫尔条纹方向与刻线方向平行。（）×垂直8光敏二极管在电路中通常工作在反向偏压状态。（）Ö9光纤通常由纤芯和包层两个同心圆柱的双层结构组成，光主要在包层内传输。（）×主要在纤芯内传输10光纤在非功能型传感器中仅起导光作用。（）Ö四、简答题（共20分，每题5分）1.简述惠斯通电桥的主要特点。答案见教材P30。2.热电偶冷端补偿方法有哪些？3.二进制码与循环码各有何特点？4.压电传感器能否检测静态信号？为什么？五、计算题（共20分，每题10

7、分）1某温度传感器的微分方程式为，其中Q0为传感器输出(mv)，Qi为被测温度(℃)，试确定该温度传感器的时间常数和静态灵敏度系数。解：其微分方程基本型式为，此式与微分方程比较可知：22.有四个金属电阻应变片，其灵敏度K=2.5，R=120Ω，设工作时其应变为800μ，问一个ΔR是多少？若将应变片与4V供电的惠思登电桥组成回路，试求有应变时桥路输出电压是多少？解：若组成惠斯等全桥，且两个应变片横贴，两个竖贴，则有：六、设计说明题（共10分）请用应变片完成电子秤的设计方案。给出测量系统组成框图及检测电路。