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1、新的IGBT技术为逆变器应用提供更高的过载能力1逆变器应用中的过载速度电流结点温度时间Tj=125℃2什么都没有发生，但是.....在一段时间后???3最新的IGBT芯片技术创新4(第1代)“128”正温度系数最大Tj=150℃“软穿通”电焊机(第3代)“126”正温度系数“场截止”最大Tj=150℃逆变器应用n+n-CollectorGateEmitterTrench-IGBTp+135µmn+p5新旧IGBT芯片技术的比较啤酒厂的拉货马比赛用马速度慢;强壮的;不需要驾驶执照自己可以找到路迅捷敏感;只能用于
2、观赏娱乐:在照顾和控制的时候不能原谅犯错NPT3,1V;~25mJ/100A@600V,125°C100%功率Trench42,1V;~21mJ/100A@600V,125°C135%功率6n+n-CollectorGateEmitterTrench4-IGBTp+125µmn+p(第4代)“T4”Tj=最大175℃优化的垂直结构减少切换损耗(30%),非常快正温度系数“场截止”相比于Trench3(126,KT3,KE3)，T4具有更低的功耗7与现在的IGBT技术的比较IGBT技术的创新电流密度从85A/c
3、m²增加至130A/cm²低的导通损耗(VCE(sat))开关损耗的减少(Eon+Eoff)门极电荷减少(QG)SPT(128)IGBT3(126)IGBT4(12T4)(12E4)VCE(sat)25°C1.9V1.7V1.8VVCE(sat)125°C2.1V2.0V2.1VEsw125°C22mJ27mJ20mJ/22mJQG(VGE=-8V/+15V)1.2µC0.9µC0.57µC8和126相比较-E4模块具有更高的电流模块芯片EonEoffErecVfVCEsatRth,IRth,D(mJ)(V)
4、(K/W)SKM400GB126D(62mm)IGBT3-T3/ CAL32948271.62.00.080.18SKM300GB12E4(62mm)IGBT4-E4/ CAL42732231.91.950.10.17饱和损耗切换损耗9IGBT4更高的强度IGBT技术的创新电流密度从85A/cm²增加至130A/cm²低的导通损耗(VCE(sat))低的切换损耗(Eon+Eoff)门极电量的减少(QG)ICRM增加至3xICnom10T4有更低的开关损耗T3T411T4–开关损耗的减少T4有更低的开关损耗T4
5、需要一个出色的封装12交变电路的寄身环节13竞争对手:+/-没有并联=高杂散电感14内部直流母线连接,没有并联15低电感设计规则机械设计对杂散电感有极大的影响接头一定要并联=反并联电流=没有磁场Lstray=100%Lstray<20%loop1cm²≈10nH16赛米控:+/-并联=低杂散电感17赛米控–低杂散电感–并联18赛米控:低杂散电感模块设计模块自身非常重要的低电感设计可以承受更高的di/dt低的端子损耗LCE,stray≤20nH19赛米控:RBSOA更小的限制是由于模块内部低的电感LCE端子的最
6、大电压:完美适合T4芯片20SKM400GB128D没有安全运行区域T4SKM400GB12T421SKM600GB126D--SKM400GB12T4D在该规格以内=150度超出规格22IGBT增加Tjmax–1200VIGBT技术的创新运行温度增加至Tj,max=175°CTjmax=150°CTjmax=175°C23我们必须考虑什么？SKM400GB128DESKM600GB126DSKM400GB12T4具有更高的电流密度的T4IGBT模块24损耗Iout=250A,50Hz,400V,fsw=2K
7、hzT4最大结点温度是150℃–旧的芯片技术最大结点温度是175℃–新的芯片技术IGBT技术损耗的种类损耗125℃25损耗Iout=250A,50Hz,400V,fsw=4Khz125℃T4最大结点温度是150℃–旧的芯片技术最大结点温度是175℃–新的芯片技术芯片技术损耗损耗的种类26损耗Iout=250A,5Hz,50V,fsw=4KhzT4最大结点温度是150℃–旧的芯片技术最大结点温度是175℃–新的芯片技术芯片技术损耗125℃损耗种类27不同供应商的比较Iout=250A,5Hz,50V,fsw=4
8、KhzT4最大结点温度是150℃–旧的芯片技术最大结点温度是175℃–新的芯片技术供应商损耗125℃类型28SKM300GBxxxxSKM300GB逆变电流29SKM400GBxxxxxSKM400GB逆变电流30T4提供更高的可靠性31T4和E4SEMITRANS----34mm/62mm封装和SPTIGBT模块相比较有更高的定义芯片等级32T4芯片技术的SEMiX以及SKYPER新模块技术的表现
