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时间:2020-03-16
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1、习题六1.试说明半导体存储器的分类。解:按存储信息的特性分为:随机读写存储器RAM和只读存储器ROM两大类。半导体存储器可擦除、可再编程ROM随即读写存储器RAM只读存储器ROM不可编程掩膜ROM可编程ROM紫外线擦除的EPROM电擦除的E2PROM双极型MOS型动态RAM静态RAM①RAM分类:主要有双极型和MOS型两类。MOS型存储器又可分为静态RAM(简称SRAM)和动态RAM(简称DRAM)。②ROM分类掩膜式ROM:用户不可对其编程,其内容已由厂家设定好,不能更改;可编程ROM:用户只能对其进行一次编程,写入后不能更改;可擦除的PROM:其内容可用紫外线擦除,用户可对其进行多次
2、编程;电擦除的PROM,简称EEPROM或E2PROM),能以字节为单位擦除和改写。2.试说明CMOS静态存储器基本存储电路数据读、写的原理。解:存储单元六只NMOS管(T1~T6)组成。见教材中图6.7。T1与T2构成一个反相器,T3与T4构成另一个反相器,两个反相器的输入与输出交叉连接,构成基本触发器,作为数据存储单元。T1导通、T3截止为0状态,T3导通、T1截止为1状态。T5、T6是门控管,由Xi线控制其导通或截止,他们用来控制触发器输出端与位线之间的连接状态。T7、T8也是门控管,其导通与截止受Yj线控制,他们是用来控制位线与数据线之间连接状态的,工作情况与T5、T6类似。只有
3、当存储单元所在的行、列对应的Xi、Yj线均为1时,该单元才与数据线接通,才能对它进行读或写,这种情况称为选中状态。写操作如下:(1)将欲写入单元的地址加到存储器的地址输入端;(2)在选片信号CS端加上有效电平,使RAM选通;(3)将待写入的数据加到数据输入端;R/W(4)在线上加入低电平,进入写工作状态;(5)使选片信号无效,数据输入线回到高阻状态。R/W读操作与写操作基本相同仅使线上加入高电平。3.试说明单管DRAM基本存储电路数据读、写的原理。解:单管DRAM基本存储电路只有一个电容和一个MOS管,是最简单的存储元件结构,如教材中图6.11所示(见下图)。存放的信息是“1”还是“0”
4、,取决于电容中有没有电荷。在保持状态下,行选择线为低电平,V管截止,使电容C基本没有放电回路(当然还有一定的泄漏),其上的电荷可暂存数毫秒或者维持无电荷的“0”状态。对存储矩阵进行读操作时,若某一行选择线为高电平,则位于同一行的所有基本存储电路中的V管都导通,于是刷新放大器读取对应电容C上的电压值,但只有列选择信号有效的基本存储电路才受到驱动,从而可以输出信息。刷新放大器的灵敏度很高,放大倍数很大,并且能将读得的电容上的电压值转换为逻辑“0”或者逻辑“1”。在读出过程中,选中行上所有基本存储电路中的电容都受到了影响,为了在读出信息之后仍能保持原有的信息,刷新放大器在读取这些电容上的电压值
5、之后又立即进行重写。在写操作时,行选择信号使V管处于导通状态,如果列选择信号也为“1”,则此基本存储电路被选中,于是由数据输入/输出线送来的信息通过刷新放大器和T管送到电容C。4.试说明如何对28C64进行字节编程,并说明怎样使用数据轮询的方法判断写操作完成。解:Intel28C64是8K×8位的E2PROM芯片。先进行字节擦除操作,地址线送入相应的地址,当=0,=1,数据线(I/O0~I/O7)都加高电平且VPP加幅度为+21V、宽度为9~15mS的脉冲时,28C64将选中的字节擦除。再进行字节编程操作,地址保持不变,=0,=1,VPP加幅度为+21V、宽度为9~15mS的脉冲时,来自
6、数据线(I/O0~I/O7)的数据字节可写入28C64的存储单元中。接着使用数据轮询的方法判断写操作完成,即采用与读出基本相同的方式,只是VPP=+21V。在编程后,可将28C64中的信息读出,与写入的内容进行比较,以验证写入内容是否正确,数据线为输出状态。5.试使用62512和27256,在8088系统(最小模式)中设计具有128KB的RAM、64KB的EPROM的存储体,RAM的地址从0000∶0000H开始、EPROM的地址从F000∶0000H开始。解:62512的起始地址:00000H,27256的起始地址:F0000H地址分配表如下:A19A18A17A16A15A14A13
7、A12A11…………A0地址范围对应芯片00000000000011110…………01…………100000H0FFFFH62512-1#U100010001000011110…………01…………110000H1FFFFH62512-2#U211111111000001110…………01…………1F0000HF7FFFH27256-1#U311111111100011110…………01…………1F8000HFFFFFH27256-2#
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