数字电路与模拟电路.doc

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1、考试科目829数字电路与模拟电路考试形式笔试（闭卷）考试时间180分钟考试总分150分一、总体要求主要考察学生对《数字电路》、《模拟电路》课程中基本知识、基本原理以及基本技能的掌握情况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路的能力。二、内容及比例数字电路部分（50%）1、数制和编码掌握数制、码制及相互转换方法。2、逻辑代数基础1）、掌握逻辑代数的逻辑运算、公式和规则真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换。2）、掌握逻辑关系式的化简方法3、逻辑门电路掌握TTL、CMOS逻辑门电路的功能、电

2、气特性、应用和使用注意事项4、组合电路分析与设计1）、掌握组合电路特点及分析方法：2）、掌握组合电路的设计方法（SSI）对于给定设计要求，能够建立真值表或函数关系式。对于给定的真值表或函数关系式，能够利用卡诺图得出最简与或式，并采用基本的门电路进行连接，画出对应的逻辑电路图。3）、利用集成组合电路进行设计（MSI）重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器的逻辑功能和使用方法，包括级联和功能扩展方法。能够采用以上电路进行一般组合电路的设计。5、时序电路分析与设计1）、掌握触发器的分类、逻辑功能、触发方式

3、和特性方程2）、掌握时序电路的分析方法与设计方法重点掌握状态机、计数器、移位寄存器的原理与设计。重点掌握常用中规模时序逻辑器件（例如：74160/2、74161/3、74194等电路）的逻辑功能和使用方法，包括功能扩展方法。能够采用以上电路进行一般时序电路的设计。6、存储器、CPLD和FPGA了解常用半导体存储器（ROM、SRAM、DRAM）的结构特点和工作原理。了解可编程逻辑器件的原理和结构。模拟电路部分（50%）第一章半导体材料及二极管1、半导体基础知识（了解）：本征半导体与杂质半导体（P型与N型），本

4、征激发与复合，杂质电离，空穴导电原理，多子与少子，漂移电流与扩散电流的概念。PN结的形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义，PN结的单向导电特性，不对称PN结。2、二极管特性（了解）：二极管单向导电特性及二极管方程，二极管伏安特性曲线及其温度特性，二极管导通电压与反向饱和电流，二极管的直流电阻与交流电阻（估算式），硅二极管与锗二极管的区别。二极管的反向击穿特性；二极管的电容效应。3、二极管应用（掌握）：二极管模型：理想二极管模型；恒压源模型；二极管折线模型。二极管单向导电特性应用：半波与全波整流电路；单向与

5、双向限幅电路；二极管开关电路。二极管反向击穿特性应用：稳压电路的稳压原理，简单稳压电路的分析与计算，稳压二极管的串并联等效。第二章双极型晶体三极管1、BJT原理（了解）NPN和PNP管的放大偏置，放大偏置时内部载流子传输（一般了解），放大偏置的外电流关系，放大偏置时的vBE、vCE作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应），BJT的截止与饱和状态。2、BJT静态伏安特性曲线（掌握）共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。3、BJT参数（掌握）,β￣,α,β,ICBO,ICEO,ICM,P

6、CM,BVCEO和fT的含义BJT管型判别和BJT的放大、截止与饱和状态判别。4、BJT模型（掌握）BJT的小信号等效模型：简化模型（gm参数和β参数模型）及其模型参数的求解式。BJT的混合π等效模型：会画完整模型和了解模型参数的物理含义。第三章BJT放大电路1、放大器的一些基本概念（正确理解）信号源（内阻，源电压，源电流），负载电阻，输入输出电压（电流），耦合电容与旁路电容，直流通路与交流通路，交流地，工作点，小信号放大过程。2、BJT偏置电路（掌握）掌握工作点的估算，基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定

7、条件。3、BJT三种基本组态放大器（掌握）小信号放大器指标（正确理解）：端增益，源增益，输入与输出电阻，管端输入与输出电阻。CE、CC、CB放大电路、指标及特点（掌握特等电路分析法，记公式）。交流负载线，放大器动态范围，截止与饱和失真（针对CE放大器）。4、多级放大器（掌握）级间耦合方式，直流放大器的特殊问题，放大器通用模型，多级放大器指标计算。第四章MOSFET及基本放大电路1、FET原理（了解）了解FET的分类、电路符号，了解N沟道JFET及N沟道增强MOSFET的工作原理，放大区的沟道状态及vGS和v

8、OS此时对iD的影响2、FET特性曲线（掌握）以N沟道JFET为重点，了解FET的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平方律公式。3、FET偏置电路（自给偏压和混合偏置）（掌握）掌握工作点的估算方法，了解P沟道FET与N沟道FET偏置极性的差别。4、FET的小信号模型（掌握）理解gm的含义及计算式，理解rds含义，完整模型和低频模型。5、FET的CS和CD组态放大器（掌握）放大器电路、指标计算及特点。第五章放