模拟电子技术习题答案.doc

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1、第一章半导体器件1、选择填空（1）在本征半导体中加入A元素可形成N型半导体，加入C元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将A。A.变窄B.基本不变C.变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A。A.增大B.不变4）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是C。A.ISeUB.C.（5）稳压管的稳压区是其工作在C。A.正向导通B.反向截止C.反向击穿（6）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为CA

2、.83B.91C.1007）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。A.两者均反偏B.前者正偏、后者反偏C.两者均正偏（8）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将A。A.增大B.不变C.减小解：根据限流电阻的作用，应有：Rmin>(UImax-Uz)/(Izmax+Iomin)=(UImax-Uz)/(Izmax+Uz/RLmax)=(16-6)/(40+10)=0.18KΏRmax<(UImin-Uz)/(Izmin-Iomax)=(UImin-Uz)/(Iz

3、min+Uz/RLmix)=(13-6)/(5+20)=0.28KΏ∴R必须满足：0.18KΏ〈R〈0.28KΏ选R=220Ώ分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V。锗管的导通压降为0.2～0.3V。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P端）与阴极（N端）的电位差。若该电位差

4、大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管5、将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。8、两个硅稳压管，Uz1=6V，Uz2=9V,把两者串联时可以得到几种稳压值？把两者并联时又如何？提示：每个管子都可以有正向接法和反向接法，前者两端电压为0.7V，后者两端电压为Uz解：稳压管实际上是特殊制造的二极管。反向击穿时，它两端的反向电

5、压就是稳压电压。在正向电压下工作时，它两端的正向电压任为0.7V（指硅）。所以，若把两个稳压管串联，由于有四种接法（每个管子可以正向或者反向接），因此可得四种稳压值，它们是：15V，6.7V，9.7V，1.4V.若把两个稳压管并联，则可得稳压值为：6V，0.7V。10、在电路中测得晶体管各电极对电位参考点的直流电压如下，试确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN还是PNP型？A管：Ux=12V,Uy=11.7V,Uz=6V;B管:Ux=-5.2v,Uy=-1V,Uz=-5.5V.分析：工作在放大电路中的三极管

6、应满足发射结正偏，集电结反偏的条件。且有PN节正偏特性可知，其正偏结电压不会太大。硅管的～，锗管的～。所以首先找出电位差在0.1～0.3V或0.5～0.7V的两个电极，则其中必定一个为发射极一个为基极，另一个电位相差较大的必定为集电极。由PN结反偏特性可知，若集电极电位最高，则该管必定为NPN型三极管；若集电极电位最低，则该管必定为PNP型三极管。若为NPN型三极管，则发射极电位必定为最低电位；若为PNP型三极管，则发射极电位必定为最高电位。由此即可确定发射极。电位值处于中间的一个电极必定为基极。由此可知

7、：解：A管为PNP型锗管，x-发射极，y-基极，z-集电极。B管为NPN型锗管，x-基极，y-集电极，z-发射极