模拟电子技术填空题重点.doc

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1、1.N型半导体多数载流子是带负电荷的自由电子，所以N型半导体电中性。2.PN结正向偏置时，其正向电流是由多数载流子扩散而成。3.PN结反向偏置时，参与导电的是少数载流子。4.二极管的正向电阻远小于反向电阻。5.二级管的导通条件是UD>死区电压。6.当温度升高后，二极管的正向电压减少。7.把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为0的电池正向连接构成的闭合回路，该管因电流过大而烧坏。8.稳压管是利用PN结的反向击穿特性来达到目的。9.晶体管能够起放大作用的外部条件是发射结正偏集电结反偏。10.测得电路中

2、某晶体管的发射结集电结电压都大于0，则它工作在饱和状态。11.测得某晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA，3.60mA，则β为60.12.单管基本共发射极放大电路出现饱和失真时，应使RB的阻值增大。13.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的交流（动态）参数。14.射极输出的特点是Au<1且Au≈1，输入电阻大输出电阻小。15.为了使高内阻信号源与低内阻负载很好地配合，应在信号源与负载之间接入共集电极放大电路。16.多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，fL升高，fH降低。1.

3、场效应管是一种电压控制器件。2.场效应晶体管是通过改变栅源电压来控制漏极电流的。3.对于结型场效应晶体管，栅源极之间的PN结必须反偏。4.场效应晶体管的主要晶体管的主要主要优点是输入电阻大。5.增强型PMOS管的反型层有空穴组成。6.分压式偏置电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，这是为了提高输入电阻。7.用于放大时，场效应晶体管应在输出特性曲线的恒流区。8.集成运放电路中采用直接耦合方式的原因是容易集成。9.集成运放中采用有源负载是为了增大电压放大倍数。10.从外部看，集成运放可以等效为提高性能的双入单出差

4、分放大电路。11.差分放大电路是为了抑制零点漂移。12.差分放大电路是利用参数的对称性及引入共模反馈来抑制克服零漂。13.衡量差分放大电路抑制零漂能力的指标是共模抑制比。14.理想集成运放的开环差模输入电阻rid等于正无穷。15.理想集成运放的两个重要结论是虚短与虚断。16.反馈信号反取自输出信号。17.交流负反馈是指存在于交流通路中的负反馈。18.某放大器的信号源的内阻很大，为稳定输出电压，应当引入并联电压负反馈。1.利用负反馈可以使反馈环内引起非线性失真减小。2.深度串联负反馈放大器，相当于一个压控电

5、流源。3.运放的参数共模抑制比越大越好。4.施加深度负反馈可使运放进入线性工作区。5.由理想运放结构成的线性应用电路，其中电路增益与运放本射参数无关。6.欲将方波电压转换成尖顶脉冲电压，应选用微分运算电路。7.功率放大器的主要作用主要是向负载提高足够大的功率。8.放大电路的一项重要指标是避免失真，能克服交越失真的功放电路是甲乙类功效。9.乙类功放中三极管的导通角等于180°。10.乙类功放电路的输出功率为0时，管子的损耗是0。11.对双电源乙类互补功放电路，若要求最大输出功率为5W，则每只功放管的最大允许

6、管耗至少应大于1W。