上合电力TSF产品介绍.doc

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1、TSF-SH型动态滤波及无功补偿装置简介TSF-SH型动态滤波及无功补偿装置是保定市上合电力科技有限公司自主研发的专门应用于谐波环境的无源滤波器，具有滤出特征次谐波及补偿无功功率的功能。1.概述TSF-SH型动态滤波及无功补偿装置具有动态响应快、适用范围广、操作简单、安全可靠、运行费用低等特点。主要应用在：轧钢、焊管生产线及辅机设备、电力、化工、石油、港口、注塑成型等行业。2.型号说明(举例）TSF-SH-480/0.4型号解释为TSF：晶闸管（T）投切（S）滤波回路（F）；SH：上合电力中上合的首

2、字母；480:单台滤波柜电容器标称容量480kVar；0.4:系统应用于400V系统。3.执行标准GB12747《自愈式低电压并联电容器》JB5346-1998《串联电抗器》GB50227-95《并联电容器成套装置设计规范》JB/T10695-2007《低压无功功率动态补偿装置》JB7115《低压就地无功补偿装置》GB7251-1~5—2005《低压开关成套设备》GB/T15576-1995《低压无功功率动态补偿装置技术条件》GB2423《电工电子产品基本环境试验规程》GB/T13384《机电产品包

3、装通用技术条件》GB12326－2000《公用电网网压支持标准》GB/T14549－93《公用电网谐波治理标准》1.运行环境环境温度：-20℃～+45℃海拔:<1000m（如果海拔超过1000米选择高原型）2.设备原理TSF-SH型动态滤波及无功补偿装置能有效滤除电力系统高次谐波，同时向系统提供容性无共功率，基本原理图如下：谐波容性无功感性无功谐波源3.设备图片控制器可控硅单元塑壳断路器电抗器电容器技术亮点（1）智能终端采用16位单片微处理器芯片、交流采样技术、四象限分析等技术，实现了实时数据采集、

4、通讯、电量统计、历史数据存储、故障报警、无功补偿等功能。支持网压算法，防止电容器投入过多造成系统电压升高。动态响应时间快，小于20mS。运行稳定，抗干扰性强，不易死机。（2）可控硅及散热可控硅选用锦州双合MTC系列模块式可控硅，可控硅底板压接在散热器上，安装简单有效散热面积大，热阻小，配合铝制散热器及大功率风机，能够保证可控硅在运行过程中壳温不超过60度。可控硅额定电压选型为2200V，达到系统电压5倍以上，能够完全承受电容器通断过程中造成的暂态现象，极少发生烧硅现象。采用内角接线方式，可控硅反并联

5、安装于三角形内，可实现流入可控硅的电流为相电流，比可控硅安装于电容器角外小了1.732倍，在可控硅通态压降一定的情况下，可以大大降低补偿装置的自身损耗；触发板为电压过零触发，补偿回路投入与切除时，电容器电压和可控硅两端电压与系统瞬时电压压差很小，可避免发生操作过电压及对电容器的冲击。（3）电抗器电抗器选用国内知名原北京新华都产品，（现更名为北京英和瑞华），铁芯采用冷轧有取向硅钢片，型号DQ147-0.3，导磁磁密度大，铁损耗低；线圈采用箔式绕制方式，载流量大，线性度好，在谐波环境中（过流1.35倍）

6、电抗器始终运行在线形范围内。温升小、噪音低。绝不会出现烧毁电抗器的现象。（4）电容器电容器的质量是决定补偿装置品质的关键元件，我公司对电容器提出了远高于国家标准的要求，能够实现电容器在谐波环境长期可靠运行，对用户承诺质量保证期为8年。主要技术参数如下：极间耐压：2.15Un、2s，试验期间不发生永久性击穿或闪络，允许有自愈性击穿。对地耐压：2Un+2kV或3kV取较高方，历时10s，试验期间不发生永久性击穿或闪络。容量偏差：0～+3％。损耗角正切值：＜0.8‰（Un、50Hz、20℃）。过电流能力：

7、长期过电流能力为3.24In，2In长期使用保证寿命8年。过电压能力：长期过电压为1.52Un。1.安全性设置（1）每条滤波回路均有一台塑壳断路器作为保护开关，而不是采用快熔等一次性产品。（2）电抗器采用H级绝缘，绝缘材料具有阻燃特性，当线圈遭遇明火时，材料不会助燃反而会自然熄灭，防止事故扩大。（3）电抗器设计温度保护，保证不会过热烧毁。（4）电容器在安装过程中保持间距不低于80mm，以保证电容器的散热效果，防止电容鼓肚和爆炸。2.质保及服务（1）质保我公司提供TSF型动态无功补偿装置，整机质保时限

8、1年，自调试验收合格之日或货到现场6个月（以先到者为准）。（2）服务我公司提供TSF型动态无功补偿产品同时提供优质的配套服务，包含：设备的指导安装及调试。设备的运行人员培训。365*24的咨询与维修服务。报修后，我公司技术人员到达现场时间不超过36小时。保定市上合电力科技有限公司2015年