扩散工艺说明(尚德).doc

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1、SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号01工位名称扩散工位编号KS需要人数第1张共7张流向ZBKS1.目的确保单晶硅磷扩散工艺处于稳定受控状态2.适用范围适用于单晶硅磷扩散工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.内容4.1工艺流程4.1按照设备点检表点检设备是否完好，符合运行条件。4.2升温4.2.1按照《扩散设备操作规程》进行升温。对于不常用的炉管，需先进行一次饱和。4.3装片、检验（见附页一）4.3.1打开传递窗，将片盒从传递窗拿出放到净化工作台里；4.3.2用舟叉将空石英舟端至净化工作台；4.3

2、.3用石英真空吸笔将片盒内的硅片移至石英舟槽内，每槽2片；4.3.4在装片过程中，需检验硅片表面是否干净。若硅片两面都不干净，做返工片处理；若一面干净，一面不干净，则将干净面作为扩散面；4.3.5检查硅片是否有裂纹，若有裂纹作碎片处理。4.4上桨（见附页二）4.4.1用舟叉将石英舟平稳端出净化台，石英舟微微向上倾斜，约15°，端至碳化硅桨上，一边靠近匀流板约13cm。4.5扩散4.5.1按照《扩散设备操作规程》，开启设备，具备生产条件；4.5.2点击触摸屏上的“工艺运行”按钮，输入正确的工艺号,参照《扩散工序工艺参数表》，检查各工艺参数是否符合要求，点击“确

3、认”按钮，运行扩散工艺。更改标记数量更改单号签名日期签名日期第1页拟制审核共7页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号01工位名称扩散工位编号KS需要人数第2张共7张流向ZBKS4.6方块电阻测量（见附页三）4.6.1扩散工艺运行完毕后，用舟叉将石英舟端至卸片台，按照从炉口到炉尾的方向依次均匀的取五片，放入片盒中，注意区分扩散面和非扩散面，扩散面一定要朝片盒的大面放置。4.6.2按照《四探针测试仪操作规程》测量方块电阻，测量硅片中心点和四个角的方块电阻值，测量四角

4、方块电阻时注意探针距硅片边缘的距离要大于1cm，测完后关闭四探针主机电源，并且正确填写《方块电阻记录表》。4.6.3方块电阻值要求在40±5Ω范围内，不均匀度不超过10％，如超出该范围，应立即通知工艺人员。不均匀度的定义为：计算五片硅片的方块电阻平均值，在这五个数值中取最大值和最小值，（R最大-R最小）/（R最大+R最小）×100%即为不均匀度。4.7卸片、检验（见附页四）4.7.1若方块电阻无异常，则将石英舟上扩散后的硅片装至黑色承载盒中，确保所有硅片扩散面向上。4.7.2通过传递窗流入下道工序。4.8工艺参数4.8.1扩散工艺参数在各炉管中，均定义为01

5、号工艺。时间（分钟）温度（℃）大N2（L/min）小N2（L/min）O2（L/min）源温（℃）进炉6840~89025~3020稳定9840~89025~3020通源20~30840~89025~301.6~2.01.8~2.220吹氮10840~89025~3020出炉10840~89025~3020注：因各炉管之间的差异，所以各工艺参数之间也存在差异，上表给出的是正常的工艺参数的范围。更改标记数量更改单号签名日期签名日期第2页拟制审核共7页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF

6、5.405.010版号01工位名称扩散工位编号KS需要人数第3张共7张流向ZBKS4.8.2TCA清洗工艺在各炉管中，均定义为02号工艺。时间（分钟）温度（℃）大N2（L/min）小N2（L/min）O2（L/min）源温（℃）通氧510502510.020通源4801050251.010.020吹氧1010502510.0204.9注意事项4.9.1各个炉管工艺参数操作者不得随意改动。4.9.2本工序必须穿戴连体洁净工作服、洁净工作鞋、洁净工作帽、乳胶手套及口罩。4.9.3必须正确填写《电池线生产日报&交接表》。5.引用文件扩散设备操作规程：SF／QD-设

7、备-02炉管清洗工艺操作规程：SF／QD-工艺-03扩散检验工艺规程：SF／QD-工艺-13四探针测试仪操作规程：SF／QD-设备-12更改标记数量更改单号签名日期签名日期第3页拟制审核共7页标准化批准旧底图总号底图总号日期签名SF工艺说明产品名称单晶硅电池片编号SF5.405.010GGS产品图号SF5.405.010版号01工位名称扩散工位编号KS需要人数第4张共7张流向ZBKS附页一：装片、检验更改标记数量更改单号签名日期签名日期第4页拟制审核共7页标准化批准插片插片时必须穿好洁净工作服。净化工作台严禁裸手操作，一定要戴好乳胶手套，且不得用手直接接触硅

8、片和石英舟。石英吸笔，从片盒中吸取硅片插到石英舟内。