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时间:2020-03-16
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1、第3章导电物理3.6半导体陶瓷的缺陷化学理论基础13.6半导体陶瓷的缺陷化学理论基础(一)克鲁格维克符号系统Kroger-Vink(二)准化学反应(三)质量作用定律(四)半导体陶瓷的能带结构(五)BaTiO3半导瓷的缺陷化学研究2带着问题去学习:缺陷产生的原因有?半导体陶瓷不同于一般半导体材料的特性?半导体中的缺陷种类?KV符号系统,以MO晶体为例,存在的各种缺陷?写出准化学反应的规则有?写出下列化学反应式:P掺杂Si;B掺杂Si;肖特基缺陷生成;弗伦克尔缺陷生成;氧原子从气相进入MO晶体;金属原子从气相进入MO晶体的填隙位置。3半导体陶瓷是
2、由一种或数种金属氧化物,采用陶瓷制备工艺制备的多晶体半导体材料。4半导体陶瓷的典型特性:(1)材料的化学性质比较复杂,容易产生化学计量比的偏离,在晶格中形成固有点缺陷。(2)半导瓷氧化物分子是离子键,因此材料中载流子的迁移机理比一般半导体材料更为复杂(3)半导瓷是多晶材料,存在晶界是其重要特性,并将会产生诸PTC效应、压敏效应等。5研究半导体陶瓷,采用一般的半导体理论是不够的。为了深入了解半导体陶瓷材料的电性能,就要研究晶体中存在的原子缺陷和电子缺陷这些点缺陷的产生、存在状态、相互依存、转化与运动的规律。为此,在统计热力学的基础上建立了缺陷化
3、学理论,即利用热力学中的质量作用定律,研究各种缺陷的浓度与温度及氧分压的关系,从中找出各种缺陷形式的热力学参数,对照能带理论确定材料的各种电学参数。6在半导瓷中,晶体缺陷类型包括点缺陷、位错、晶界及表面等。点缺陷又可分为原子缺陷、电子缺陷、极化子、激子、声子等。其中的原子缺陷和电子缺陷可采用克鲁格维克(Kröger-Vink)符号系统来表征。(一)克鲁格维克符号系统71)以MO型氧化物晶体为例说明。用M表示金属元素,O表示氧,V代表空位,e代表电子,h代表空穴。2)位置用下标表示。MM表示处于M子晶格中的M原子,Mi代表金属填隙原子等3)电荷
4、用上标表示。X代表中性;·代表正电荷;'代表负电荷。4)浓度用[]表示。电子浓度用n表示,空穴浓度用P表示。MO晶体中可能存在如下的各种点缺陷:(1)中性空位(2)中性填隙原子(3)中性反结构缺陷(4)中性外来原子缺陷(5)各种电离原子缺陷(6)电子缺陷9(1)若MO晶体中形成肖特基(Schottky)缺陷,可用如下反应式来表示:点缺陷的化学平衡与准化学反应式式中:0(零)代表完整晶体0(零)(二)准化学反应Schottky缺陷的产生10Frankel缺陷的产生(2)弗伦克尔(Frenkel)缺陷的准化学反应式为Frankel缺陷的产生11(
5、3)电子缺陷当五价磷原子代替晶格中四价硅原子,形成n型半导体,产生电荷缺陷,其准化学反应式为:当三价硼原子代替晶格中四价硅原子,形成P型半导体,产生电荷缺陷,其准化学反应式为:12写出准化学反应的规则:(1)晶格结点相对数目(格点数)规则如MO化合物,正负离子结点数是1:1,即子晶格M中的格点数应等于子晶格O中的格点数。(2)格点数变化规则反应过程中,当某种子晶格的格点数增加或减少时,另一种子晶格的格点数也相应增加或减少,以满足第一条关于“晶格结点相对数目”的规则。例如,氧原子从气相(g)中进入MO晶体的反应式:13(3)质量守恒:准化学反应
6、式两边的质量总和应相等,其中空格点质量为零(4)如果晶体中存在填隙原子,应在反应式中引入填隙空格点。例如,金属原子从气相进入MO晶体的填隙位置,则相应的准化学反应式写成:14(5)电中性条件在描述电离原子缺陷和电子缺陷形成的准化学反应时,必须符合晶体中的电中性条件,即晶格中带负电荷的质点总数与带正电荷的质点总数相等。例如:镧(La)施主掺杂BaTiO3的电中性方程为:15继续带着问题去学习:质量作用定律三种表达式化学势及与U/H/F/G的关系半导体陶瓷的能带结构中,氧化物的附加能级怎么来的?以MO晶体为例,分析施主能级结构的种类以MO晶体为例
7、,分析受主能级结构的种类以MO晶体为例,写出施主掺杂的准反应方程式讨论施主掺杂BT的缺陷模型16A:质量作用定律表达形式:三种上式表明参与化学反应的物质,在反应达到平衡时,它们的分压应满足的关系。式中:pi:组元i的分压Vi:第i组元在化学反应中所改变的克分子数Kp:定压平衡常数,是一个温度的函数(三)质量作用定律(1)17Ci——组元i的浓度Ci=ni/Vni——组元i的克分子数Kc——定容平衡常数,是温度的函数Xi——克分子分数Xi=ni/NK——平衡常数(2)(3)18若平衡条件(1),或(2),或(3)不满足,则化学反应就要进行。反应
8、正向进行的条件是:19B:化学势μ化学势μ为一克分子的吉布斯(Gibbs)函数。(1mol物质的吉布斯自由能)对于多组元系统,组元i的化学势为R——气体常数T——温
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