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时间:2020-03-07
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1、位^MASTERDISSERTATIONfI^^^^g高精度曲率校正带隙i;l电压源的设..'.‘-'-.'、.- ̄y----./y'^<、、*7//、--<人,y/:^w:」,■?一V////.>^国内图书分类号:TN433密级:公开国际图书分类号:621.38西南交通大学研究生学位论文高精度曲率校正带隙基准电压源的设计年级二〇一二级姓名贺梯申请学位级别工学硕士专业电路与系统指导教师冯全源教授二〇一五年四月ClassifiedIndex:TN433
2、U:6.D.C2L38SouthwestJiaotonUniversitgyMasterDereeThesisgTHEDESGINOFHIGHPRECISIONCURVATURECORRECTEDBANDGAPVOLTAGEREFERENCEGrade:2012Candidate:HeWeiAcademicDereeAliedfor;MastergppSpeciality:CircuitandSystemSuervisor:Prof.FenuanuanpgQyAril
3、.2015p西南交通大学学位论文版权使用授权书、本学位论文作者完全了解学校有关保留使用学位论文的规定,同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权西南交通大学可以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以釆用影印、缩印或扫描等复印手段保存和汇编本学位论文。本学位论文属于1.保密口,在年解密后适用本授权书;2.不保密rf,使用本授权书。“”(请在以上方框内打V)学位论文作者签名:指导老师签名:、.f义n期:7^/5-5R期:W々*.西南交通大学硕
4、士学位论文主要工作(贡献)声明本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下:一本文对带隙基准电压源的原理进行了分析与研究,提出了种带高阶温度补偿的髙精度带隙基准电压源。本文主要做了如下几点工作:1、对带隙基准电压源的基本结构和工作原理进行了研究;一2、对带隙基准电压源的阶和高阶温度补偿方法进行了分析与研究;3、对带隙基准电压源的电源抑制能力和改良方法进行了分析与研究;4MOS工艺一、基于0.5umBiC设计了种高电源抑制比、低温漂的高精度带隙基准电压源,并使用HSPICE对电路进行了仿真验证。本人郑重声明:.所呈交的学位谈文,
5、是在导师指导下独立进行研究工作所得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在文中作了明确的说明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担》学位论文作者签名: ̄-1円期:/)丨SS1]西南交通大学硕士研究生学位论文第I页摘要、作为电路系统中的标尺,基准电压源是电源管理芯片数据转换器等集成电路(IC)中不可缺少的子模块,其精度与相应电路的性能息息相关。近些年来,电子设备的升级换代和新型电子产品投放市场的速度都在迅猛增长,这要求高性
6、能的集成电路芯片一作为支撑。基准电压源是集成电路中的个关键模块,对于其的优化设计显得尤为重要。鉴于上述情况,本文对高精度带隙基准电压源的设计进行了研究,旨在设计具有低温度系数和高电源抑制能力的基准电压源。本文在对带隙基准电压源基本结构和工作原理进行分析的基础上,对降低带隙一基准源的温度系数和提高电源抑制能力的方法进行了研究和比较,设计了种混合模式输出级的高阶带隙基准电压源。采用分段线性补偿技术对基准电压的高阶温度分量进行了精确修调,使得基准电压的温度系数大幅降低;釆用伪电源电压技术对供电进行预稳压,提高基准源的电源抑制比,同时也
7、可为芯片其它模块提供稳定的供电电压,提升芯片整体的性能。BiCMOS工.5um艺ice。基于0,在Hsp仿真软件下分析了基准源的各项性能加入°分段线性补偿前,基准电压的温度系数为14.28ppm/C,补偿后温度系数降至0.43°入预稳压电路前-m/C,基准源的电源抑制比为75,5dB,电源电压调整率为pp;加-1985UV/V99.7dB,电源电压调整9.2uV/V。.,预稳压后,基准源的电源抑制比为率为优化后,设计的高阶温度补偿电路和预稳压电路具有较,基准源的精度有了大幅提升强的灵活性和可移植性。:关键词带隙基准电压源;混合
8、模式;高阶温度补偿;伪电源电压;西
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