电子技术基础作业习题.doc

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1、一、填空题：1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。2、三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。三极管对外引出的电极分别是极、极和极。二、判断正误：（每小题1分，共10分）（）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（）4、PN结正向偏置时

2、，其内外电场方向一致。（）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。三、选择题1、单极型半导体器件是（）。A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（）。A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移

3、；D、多子漂移。四、简述题1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？参考答案：一、填空题1.五自由电子空穴正三空穴自由电子负2.发射基集电区发射集电发射基集电二、判断题1.×2.√3.×4.×5.×三、选择题1.C2.A3.C4.C5.A四、简述题1.答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没

4、有得电子，所以仍呈电中性。2.答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。