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1、2008.11.04무선사업부GlobalCS팀부품품질파트EOS/ESD공정관리및점검EOS/ESDSeminar1EOS/ESDSeminar목차EOS/ESD기본개념.EOS의정의/원인.ESD의정의/원인2.정전기기본이론.정전기정의및대전원인.대전서열및삼성ESD기준.MSL자재관리.ESD정전기에의한불량Mechanism3.정전기공정관리.정전기점검절차.정전기점검항목.EOS/ESD점검방법.문제점개선사례21.EOS/ESD기본개념정의제품의정해진절대정격(AbsoluteMaximumRating)을Over해서인가됨으로제품에오동작
2、및파괴를유발하는모든종류의Stress들을통칭불량현상:ElectricalOver-Stress로인한Burnt및WireOpen(Decap.후저비율에서도관찰됨,특정pattern이녹아내림)EOS(ElectricalOver-Stress)3EOS유발원인.Spec.limit이상의전압인가.ImpulsiveSurge인가되는AC및DC전원의Switching/Noise에의하여급격히증가했다가감소하는전압,전류의과도적pulse.ACleakAC전원을사용하는장비및시스템의Ground가Floating되었을때장비및시스템의Chassis에
3、나타나는AC전압성분.Swell/SagVoltage반도체부품에인가되는DC전원의급격한변동및Switching에의해발생되는Over(swell)/Under(sag)voltage..Latch-up반도체부품의상태가한번변경된후다른조치를취하지않은한그상태를계속유지하려는현상에의해기능상원하지않는부분에서발생되는제품의오동작또는파괴.1.EOS/ESD기본개념4정의정전기방전진행시서로다른전위의물체사이에서직접적인접촉이나전자기장유도로전하가교환되는현상불량현상:작업자및다른부품과의discharge에의한ESD불량(HBM,CDM)ESD(El
4、ectro-staticDischarge)1.EOS/ESD기본개념HOTSPOT절연파괴5ESD유발원인.두물질간마찰.전기장유도(induction)ESD불량유형.EMIPulse(Wide-bandElectromagneticInterferencePulse)Spark형태로이루어지는방전으로전자기펄스를발생시켜시스템교란.열에의한파괴(ThermalBreakdown)반도체소자의열이주위로전달되지못한채국부적인높은열로접합면단락(HotSpot)→HBM,MM.유전체파괴또는절연파괴(DielectricBreakdown)MOSGat
5、e산화막에규정치이상의전류가흘러산화막층이파괴→CDM,HBM.금속의용해(MetallizationMelt)금속부분이나Bondwire가끊어지는현상1.EOS/ESD기본개념6정의.물체의원자는원자핵(+성질)과전자(-성질)가같은수로균형을이루고있으며,원자핵과결합력이약한최외각의자유전자가마찰이나기타외부에너지에의해전자의궤도를이탈하게됨.이물체는전기적으로불균형한상태인대전상태가되며,대전된물체가원래의상태로방전하지못하고정체되어있는상태의전기를정전기라함..정전기에의한방전을ESD(Electro-StaticDischarge)라함.정전
6、기현상2.정전기기본이론+정전기-정전기7정전기발생원인.접촉성대전접촉:2개의서로다른물체가접촉,분리하였을때+,-의서로다른전하가발생.마찰:물체가마찰을일으켰을때마찰에의하여전하가분리.박리:서로밀착되고있는물체가떨어질때전하분리가일어남.분출:단면적이작은개구부로분출할때의마찰로인하여정전기가발생.충돌:작은입자와고체와의충돌에의해빠른접촉,분리가행해지며정전기가발생.파괴:고체및작은입자와같은물체가파괴되었을때,+,-전하의균형이깨지면서발생..유도성대전대전되지않는물체가대전체의전기장에노출되면,분극현상이발생되어가까운쪽은반대극성의전하가가
7、장먼쪽은같은극성의전하가모이게되며,이때한쪽에서전하를끌어내면그물체는대전체가됨.2.정전기기본이론8대전서열.소재가접촉이나마찰할때(+)로대전하기쉬운것부터~(-)로대전하기쉬운것까지1열의순서대로세운것을말함.두물체간의거리가멀수록대전량(정전기발생량)이많아진다부품의Class분류(삼성ESD기준,HBM)2.정전기기본이론(-)(+)대전서열동물의털유리사람의털나일론양모모피알루미늄비단종이면목재철동은금유황폴리에스테르셀룰로이드폴리우레탄폴리프로필렌폴리에칠렌PVC,비닐실리콘사람의손석면공기테프론DEVICETYPE파괴가능한정전기전압범위
8、DEVICETYPE파괴가능한정전기전압범위VMOS30V-C–MOS250V-
