ET200SP基座单元(BaseUnit)使用入门.doc

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1、ET200SP基座单元（BaseUnit）使用入门·文献 ·涉及产品1  基座单元（BaseUnit）概述一个典型的ET200SP分布式I/O站点的组成包括：接口模块，信号模块以及相应的基座单元，如图1所示。基座单元（BaseUnit）是构成ET200SP分布式I/O不可或缺的一部分，BaseUnit为ET200SP 模块提供电气和机械连接，所有的信号模板必须安装在相应的BaseUint上。即BaseUnit是信号模块的基座。BaseUint一方面将现场的电气信号接入到ET200SP系统，同时还起到将电源电压馈入等其它用途。图 1ET200SP系统组成 一个典

2、型的BaseUnit如下图所示：图 2BaseUnit及其接线端子 2 座单元（BaseUnit）分类BaseUnit根据功能不同可分为多种类型，包括A0，A1，B0，C0，D0等几大类。A0：适用于数字量模块，通讯模块，以及部分模拟量模块；A1：带有内置温度测量，适用于模拟量模块；B0：适用于继电器模块；C0：适用于AS-i主站模块；D0：适用于电能测量模块；其分类及参考示例见下表：表1 BaseUnit分类及示例  BaseUnit 类型适用 I/O  模块类型 示例（适用于 BU  类型的 I/O  模块）I/O  模块（示例）BaseUnitBU  类

3、型 A0● 24VDC● 15mm  宽数字量模块或通信模块● 6ES7...A0DI16×24VDCST(6ES7131-6BF00-0BA0)BU15-P16+A0+2D(6ES7193-6BP00-0DA0)无需温度补偿的模拟量模块 *● 6ES7...A1AI4xU/I2-wireST(6ES7134-6HD00-0BA1)BU  类型 A1● 24VDC● 15mm 宽 需要温度补偿的模拟量模块● 6ES7...A1AI4xRTD/TC2-/3-/4-wireHF(6ES7134-6JD00-0CA1)BU15-P16+A0+2D/T(6ES7193

4、-6BP00-0DA1)无需温度补偿的模拟量模块● 6ES7...A1  AI4xI2/4-wireST(6ES7134-6GD00-0BA1BU  类型 B0●最高 230VAC● 20mm  宽带继电器的输出模块● 6ES7...B0RQ4x120VDC-230VAC/5ANOST(6ES7132-6HD00-0BB0)BU20-P12+A4+0B(6ES7193-6BP20-0BB0)BU  类型 C0●最高 30VDC● 20mm  宽CMAS-iMasterST● 6ES7...C1CMAS-iMasterST (3RK7137-6SA00-0BC1

5、)BU20-P6+A2+4D(6ES7193-6BP20-0DC0)BU  类型 D0●最高 400VACAIEnergyMeterST● 6ES7...D0 AIEnergyMeterST(6ES7134-6PA00-0BD0)BU20-P12+A0+0B(6ES7193-6BP00-0BD0)● 20mm  宽 *  用于补偿热电偶的基准结温度   在A0和A1类BaseUnit中，根据是否用于形成新的电位组，以及是否需要额外AUX（辅助接线端子）或附加供电端子，又可以分为多个类型。根据订货号的不同，一个BaseUnit也可同时具有以上多个功能，如即可形成

6、新电位组的又带AUX（辅助接线端子）功能。综上所述，基座单元的分类可以总结如下：图 3BaseUnit的分类一览BaseUnit各型号说明及特征如下表所示： BU15-P16+A10+2D/T  的短名称（示例）BaseUnit  特性 模块宽度BU15宽度为 15mm  的 BaseUnit信号连接P16●连接方式：直插式端子 ● I/O  模块端子数：如 16  个连接到 AUX 总线 A0与 AUX  总线无连接10n=AUX  端子数，如 10  个 电源母线2 2  个直插式端子（ L+，接地），用于通过 P1  和P2  供电或引出供电电压（请参见

7、 D  和 B ）12 ● 2  个直插式端子（ L+ ，接地），用于通过 P1 和P2  供电或引出供电电压（请参见 D  和 B ）● 2x5  个直插式附加端子（ 1B  至 5B ， 1C 至 5C ），用于连接其它电位，最大可为 24VDC/10A  的供电电流0 没有可以连接电源的 P1 和 P2  的端子 D●引入一组新电位●馈入电源电压，最大可为 24VDC/10A  的供电电流 B●其它传导电位组●引出供电电源用于外部组件或每组电位中最大 24VDC/10A  的总循环电流附加功能 T 集成温度传感器，以补偿热电偶的基准结温度 各类BaseU

8、int功能详细描述如下： 2.1 形成