半导体二极管、三极管.pdf

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1、第15章半导体二极管、三极管1004N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（）。(a)带负电(b)带正电(c)不带电2002当温度升高时，半导体的导电能力将（）。(a)增强(b)减弱(c)不变3007在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率（）。(a)很高(b)很低(c)等于N型或P型半导体的电阻率4010半导体二极管的主要特点是具有（）。(a)电流放大作用(b)单向导电性(c)电压放大作用5011理想二极管的正向电阻为（）。(a)零(b)无穷大(c)约几千欧6014二极管接在电路中，若测得a、b两端电位如图所示，则二极管工作状态为（）。(a)导通(b)截止(c)

2、击穿7015如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管（）。(a)击穿(b)电流为零(c)电流正常(d)电流过大使管子烧坏8016电路如图所示，二极管D为理想元件，US=5V，则电压uO=（）。(a)Us(b)US/2(c)零9018电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D、D、D的工作状态为（）。(a)D导通，D、D截止(b)D、D截止，D3导通(c)D、D截止，D导通(d)D、D、D均截止10019电路如图所示，二极管D、D为理想元件，判断D、D的工作状态为（）。(a)D导通，D截止(b)D导通，D导通(c)D截止，D导

3、通(d)D截止，D截止11023型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。(a)1V(b)0.2V(c)0.6V12031电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4k，电位uA=1V，uB=3V，则电位uF等于（）。(a)1V(b)3V(c)12V13033电路如图所示，二极管为理想元件，ui=6sintV，U=3V，当t=瞬间，输出电压uO等于（）。(a)0V(b)6V(c)3V14035电路如图所示，D为理想二极管，=6sintV，则输出电压的最大值uOM=（）。(a)6V(b)3V(c)3V15039电路如图1所示，已知U=6V，u=18sintV，波形如图2

4、，二极管正向导通时的压降可忽略不计，则二极管两端电压uD的波形为图3中（）。16040电路如图1所示，二极管D为理想元件，=6sintV，则输出电压uO的波形为图2中（）。17047电路如图1所示，二极管D为理想元件，当输入电压为矩形脉冲信号如图2所示，且RC<

5、输出电压uO的最大值为()。(a)+1V(b)+4V(c)+6V20057电路如图所示，D为硅二极管，根据所给出的电路参数判断该管为()。(a)正偏(b)反偏(c)零偏21060稳压管反向击穿后，其后果为（）。(a)永久性损坏(b)只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损(c)由于击穿而导致性能下降22061温度稳定性最好的稳压管是（）。(a)稳定电压UZ=6V的管子(b)稳定电压UZ>6V的管子(c)稳定电压UZ<6V的管子23064稳压管的动态电阻rZ是指（）。(a)稳定电压与相应电流IZ之比(b)稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值(c)稳压管正向压降与相应正向电

6、流的比值24065动态电阻rZ是表示稳压管的一个重要参数，它的大小对稳压性能的影响是（）。(a)rZ小则稳压性能差(b)rZ小则稳压性能好(c)rZ的大小不影响稳压性能25067电路如图所示，稳压管的稳定电压UZ=10V，稳压管的最大稳定电流IZMAX=20mA，输入直流电压UI=20V，限流电阻R最小应选（）。(a)0.1k(b)0.5k(c)0.15k26068电路如图所示，直流电压UI=10V，稳压管的稳定电压UZ=6V，则限流电阻R上的压降UR为（）。(a)10V(b)6V(c)4V(d)-4V27070图1所示电路中，二极管D为理想元件，设ui=10sinωtV，稳压管DZ的稳定

7、电压为5V，正向压降不计，则输出电压uO的波形为图2中（）。28071电路如图所示，稳压管DZ正向压降视为零，它的稳定电压为7V，则回路中的电流等于（）。(a)0(b)10mA(c)25mA(d)5.75mA29073电路如图所示，设DZ1的稳定电压为6V，DZ2的稳定电压为12V，设稳压管的正向压降为0.7V，则输出电压UO等于（）。(a)18V(b)6.7V(c)30V(d)12.7V30076普通双极型晶体管是由（