半导体器件的钝化技术.docx

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1、半导体器件的钝化技术09023320李子腾09023307邹骞09023308刘峥09023319沈骜目录1绪论……………………………………………………………………………………………12正文主体………………………………………………………………………………………12.1钝化工艺及其对半导体器件参数的影响…………………………………………………12.1.1钝化工艺的产生与发展…………………………………………………………………22.1.2钝化工艺的分类…………………………………………………………………………22.1.3钝化工艺对器件的影响…………………………………………………………………22.1

2、.3.1低温淀积二氧化硅工艺………………………………………………………………22.1.3.2磷硅玻璃及其生长工艺………………………………………………………………22.1.3.3化学汽相淀积氮化硅生长工艺………………………………………………………22.2制备钝化层的介质材料及其优缺点………………………………………………………32.2.1SiO2钝化工艺……………………………………………………………………………32.2.2磷硅玻璃钝化工艺………………………………………………………………………32.2.3Si3N4钝化工艺……………………………………………………………………………42.2.4A

3、l2O3钝化工艺……………………………………………………………………………53结论……………………………………………………………………………………………54主要参考文献…………………………………………………………………………………1绪论对于高性能高可靠性集成电路来说，表面钝化已成为不可缺少的工艺措施之一。近二十年来，信息技术日新月异蓬勃发展。二十一世纪，世界将全面进入信息时代，以信息技术为代表的高新技术形成的新经济模式，将在二十一世纪世界经济中起决定作用。信息科技的发展在很大程度上依赖于微电子半导体技术的发展水平，其中（超）大规模集成电路技术（ULSI）是半导体关键的技术。一个国家占领了

4、信息技术的制高点，它将在二十一世纪获得经济上的主导地位。摩尔定律——即集成电路的集成度每18个月翻一番，成本大幅下降，揭示了信息技术的指数发展规律，正在朝着高集成化、高速化和高质量化的方向发展。表面钝化膜的种类很多，如氧化硅、氧化铝、氮化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、半绝缘多晶硅等等，不同的介质薄膜具有不同的性质和用途。总的来说，氮化硅薄膜是半导体集成电路中最具应用前景的表面钝化材料，发展低温的热CVD工艺来沉积氮化硅表面钝化膜是集成电路发展的必然趋势，而开发新的能满足低温沉积氮化硅薄膜的新的硅源、氮源前驱体是解决这一难题的有效方法。接下来，我们小组将会在正文对于什么是钝化工艺，以及钝化层的制

5、备两方面进行具体介绍。2正文主体2.1钝化工艺及其对半导体器件参数的影响钝化工艺就是在半导体器件表面覆盖保护介质膜，以防止表面污染的工艺。下文将对各主流钝化工艺进行介绍，并讨论其对半导体器件的影响2.1.1钝化工艺的产生与发展在集成电路中，在一块单晶基片上需要组装很多器件，这些器件之间需要互相布线连接，而且随着集成度的提高和特征尺寸的减小，布线密度必须增加，所以用于器件之间以及布线之间电气隔离的绝缘钝化膜是非常重要的。此外，由于半导体表面与内部结构的差异（表面晶格原子终止而存在悬挂键，即未饱和的键），导致表面与内部性质的不同，而其表面状况对器件的性能有重要作用。表面只要有微量的沾污（如有

6、害的杂质离子Na+、水汽、尘埃等），就会影响器件表面的电学性质，如表面电导及表面态等。为提高器件性能的稳定性和可靠性，必须把器件与周围环境气氛隔离开来，以增强器件对外来离子沾污的阻挡能力，控制和稳定半导体表面的特征，保护器件内部的互连以及防止器件受到机械和化学损伤。为此就提出了半导体器件表面钝化的要求。在半导体器件的制造生产过程中，半导体器件的钝化是保证器件能正常稳定工作的关键技术之一。为提高器件的稳定性，早期是在半导体器件的表面敷以适当的涂料作为保护剂，同时在管壳进行气密封时抽空或充以惰性气体。1959年，美国人M.M.阿塔拉研究了硅器件表面暴露在大气中的不稳定性问题，提出热生长二氧化

7、硅（SiO2）膜具有良好的表面钝化效果。1959年以后，由于平面型器件采用了SiO2作表面钝化膜，大大地改善了表面效应的影响，成为在半导体器件表面钝化方面的第一次重大突破。但由于在SiO2中以及SiO2和Si界面处存在着表面电荷，会引起双极型晶体管的特性变化，因此其钝化作用并不十分理想。从60年代中期开始，各种新的钝化介质膜不断地涌现出来，目前表面钝化材料主要有SiO2、S3N4、Al2O3、磷硅玻璃、硼硅玻璃、半绝缘多晶硅以及金属