芯片工艺流程.ppt

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1、芯片生产工艺流程（课件）单晶拉制（1）单晶拉制（2）单晶拉制（3）单晶拉制（4）单晶拉制（5）环境和着装单项工艺-扩散(1)卧式4炉管扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图单项工艺-扩散(2)立式扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图单项工艺-扩散(3)扩散工序作业现场单项工艺-光刻(1)先进光刻曝光设备单项工艺-光刻(2)现场用光刻曝光设备单项工艺-光刻(3)检查用显微镜单项工艺-光刻(4)清洗淀积/生长隔离层匀胶（SiO2Si3N4金属…）-HMDS喷淋（增加Si的粘性）-匀光刻胶单项工艺-光刻(5)前烘对版

2、匀胶-对每个圆片必须按要求对版-用弧光灯将光刻版上的图案转移到光刻胶上。-增加黏附作用-促进有机溶剂挥发单项工艺-光刻(6)显影/漂洗坚膜腐蚀-硬化光刻胶。-增加与硅片的附着性。-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。去胶-干法腐蚀/湿法腐蚀单项工艺-光刻(7)光刻工艺过程单项工艺-CVD（1）单项工艺-CVD（2）初级离子气体被吸收到硅片表面单项工艺-CVD（3）初级离子气体在硅片表面分解单项工艺-CVD（4）玻璃的解吸单项工艺-CVD（5）单相工艺-离子注入（1）单相工艺-离子注入

3、（2）单相工艺-离子注入（3）单相工艺-蒸发（1）蒸发原理示意图单相工艺-蒸发（2）溅射原理示意图单相工艺-蒸发（3）单相工艺-清洗基础认知衬底材料扩散层外延层单晶片扩散片外延片一次氧化sio外延层基区光刻sio外延层干氧氧化sio外延层离子注入sio外延层杂质注入基区扩散sio外延层基区发射区光刻sio外延层基区发射区预淀积sio外延层基区发射区集电区发射区扩散（*）sio外延层基区发射区集电区发射区低温氧化（*）sio外延层基区发射区集电区氢气处理sio外延层基区发射区集电区N+光刻（适用于P型片

4、）sio外延层基区发射区集电区N+淀积扩散（适用P型片）sio外延层基区发射区集电区N+低温氧化（适用P型片）sio外延层基区发射区集电区氢气处理（适用P型片）sio外延层基区发射区集电区3B光刻sio外延层基区发射区集电区铝蒸发AL外延层基区发射区集电区四次光刻AL外延层基区发射区集电区氮氢合金AL外延层基区发射区集电区AL上CVDSiO外延层基区发射区集电区2氮气烘焙（适用N型片）SiO外延层基区发射区集电区2五次光刻SiO外延层基区发射区集电区2中测抽测SiO外延层基区发射区集电区2测试系统减薄

5、、抛光SiO外延层基区发射区集电区2减薄和抛光部分蒸金/银SiO外延层基区发射区集电区2背金合金SiO外延层基区发射区集电区2芯片测试SiO外延层基区发射区集电区2测试系统N型片制造（一般）工艺流程N型片投片和编批一次氧化基区光刻干氧氧化硼离子注入基区扩散发射区光刻发射区磷预淀积发射区扩散发射区低温氧化3次光刻铝蒸发氮氢合金铝上CVD五次光刻氮气烘焙中测抽测背面合金芯片测试减薄/抛光四次光刻氢气处理蒸金P型片制造（一般）工艺流程P型投片编批一次氧化基区光刻发射区硼预淀积磷离子注入基区扩散发射区光刻发射

6、区低温氧化N+光刻发射区扩散N+磷扩散N+孔LTO3次光刻铝蒸发四次光刻氮氢合金铝上CVD五次光刻中测减薄/抛光蒸金氮氢合金干氧氧化氢气处理测试