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时间:2020-03-08
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1、第七章存储器学习目标了解主存储器的基本结构与存储原理了解静态RAM与动态RAM的基本存储单元了解存储器的容量扩展及应用了解只读存储器的存储原理、类型及应用了解闪速存储器的存储基本原理1存储器(Memory)存储器是数字电路的重要组成部分,计算机的程序和处理的数据,都存放在存储器中,人们常用的数码电子器件,都离不开存储器件的支持。随着科学技术的不断发展,人们对数字电路存储器容量的要求也越来越大,而计算技术、集成技术的高度发展,也为大容量、高速度存储器的出现提供了必要的条件。2第七章存储器7.1存储
2、器的构成及分类7.1.1存储器的构成7.1.2存储器的分类7.2随机读取存储器7.2.1静态存储器7.2.2动态存储器7.2.3主存储器的组织7.3只读存储器和闪速存储器7.3.1只读存储器7.3.2闪速存储器37.1存储器的构成及分类7.1.1存储器的构成半导体器件和磁性材料是目前主要的存储介质。例如,计算机软盘、硬盘属于磁性介质存储器件,闪存、U盘属于半导体存储器件。一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元,均可以存储一位基本的二进制代码。47.1.2存储器的分类①按存储介质分类。存储介质主要
3、是半导体元器件和磁性材料。②按存取方式分类。随机存储器,如半导体存储器;顺序存储器。如磁带存储。③按存储器的读写功能分类。只读存储器(ROM);随机读写存储器(RAM)。④按信息的可保存性分类。断电后信息立即消失的存储器,称为非永久记忆的存储器。断电后仍能保存信息的存储器,称为永久性记忆的存储器。57.2随机读取存储器随机读写存储器有静态存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM)两种,区别在于是否长时间保存信息。静利存储器用类似双稳态触发器来保存信息,只要不断电,信息不会丢失;动态存储器利用MO
4、S电容存储电荷来保存信息,使用时需不断给电容充电、刷新,才能使信息保持。静态存储器的集成度低,但功耗较大;动态存储器的集成度高,功耗小,它主要用于大容量存储器。67.2.1静态存储器1.基本存储单元我们将存储一位二进制信息(0或1)的电路单元,称为一个物理存储单元。图7-1所示为一种N沟道增强型MOS(金属-氧化物-半导体)静态存储器的存储单元的电路。它由六管组成。VT1与VT3组成一个反相器,其中VT3是负载管。VT2和VT4组成另一个反相器,VT4是负载管。两个反相器是交叉耦合连接的,它们
5、组成一个双稳态触发器。VT5和VT6是两个控制管,由字线(Z)控制他们的通断。当字线加高电平时,VT5和VT6导通,通过一对位线(W和),使双稳态电路与读写电路连接,可对其进行写入或读出。当字线为低电平时,VT5和VT6都断开,双稳态电路与W、脱离,依靠自身的交叉反馈保持原状态(所存信息)不变。定义:若VT1导通而VT2截止,存入信息为0;若VT1截止而VT2导通,存入信息为1。7892.SRAM的组成一个SRAM由存储体、读写电路、地址译码电路和控制电路等组成,其框图如图7-2所示。图7-2S
6、RAM存储器结构框图10(1)存储体:存储体是存储单元的集合。在较大容量的存储器中,往往把各个字的同一位组织在一个集成片中。例如,图7-2中的4096×1位,是指4096个字的同一位。由这样的16个集成片则可组成4096×16位的存储器。同一位的这些字通常排成矩阵的形式,如64×64=4096。由X选择线和Y选择线的交叉(矩阵)来选择所需要的单元。(2)地址译码器:地址译码器的输入信息来自CPU的地址寄存器。地址寄存器用来存放所要访问(写入或读出)的存储单元的地址。CPU要选择某一存储单元,就在
7、地址总线A0~A11上输出此单元的地址信号给地址译码器。地址译码器把用二进制代码表示的地址转换成输出端的高电位,用来驱动相应的读写电路,以便选择所要访问的存储单元。地址译码器有两种方式:一种是单译码方式,适用于小容量存储器;另一种是双译码方式,适用于大容量存储器。单译码结构也称字结构。在这种方式中,地址译码器只有一个,译码器的输出叫字线,而字线选择某个字(某存储单元)的所有位。例如,地址输入线n=4,经地址译码器译码,可译出24=16个状态,分别对应16个字地址。为了节省驱动电路,存储器中通常采
8、用双译码结构。采用双译码结构,可以减少选择线的数目。在这种译码方式中,地址译码器分成X向和Y向(矩阵)两个译码器。若每一个有n/2个输入端,它可以译出2n/2个输出状态,那么两个译码器交叉译码的结果,共可译出2n/2×2n/2=2n个输出状态,其中n为地址输入量的二进制位数。但此时译码输出线却只有2×2n/2根。例如n=12,双译码输出状态为212=4096个,而译码输出线仅只有2×26=128根。11采用双译码结构的4096×1位的存储单元矩阵如图7-3所示。4096个字排成64×64的矩阵,
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