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时间:2020-03-14
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1、关于IGBT驱动的几个基本问题内容¢门极电压-开通电压:对饱和电压和短路电流的影响-关断电压:对关断和损耗的影响¢门极电阻-对开关能耗和开关特性的影响-选择和配置的注意事项¢驱动与保护-线路设计的几个原则-门极箝位,有源米勒箝位(ActiveMillerClamping)-有源箝位(ActiveClamping),动态电压上升控制(DVRC)-短路保护:Vce检测,软关断,两电平关断¢对目前驱动器产品的评价(仅供参考)Page2门极电压:开通电压+VgeTvj=125°C对饱和电压的影响VgeÇ,VcesatÈ注意:Vge规格-最大允许值±20VTvj=125
2、°C对短路电流的影响VgeÇ,IscÇ(tscÈ)Page3门极电压:关断电压-Vge或0V¢用-Vge(-5V…-15V)使IGBT关断更可靠,有利于防止误开通。¢用0V关断,可考虑采用有源米勒箝位使关断更可靠(见后页“驱动与保护”)。¢用0V…+15V开关时,门极电荷较小(以600VIGBT3为例,米勒电容对门极的影响(半桥中另一IGBT开通时)Qg为-15V…+15V时的40%),门极驱动电流较小。¢用0V关断时,toff和Eoff较大(以600VIGBT3为例:toff为-15V时的2-3倍,Eoff比-15V时增加约10%)。注意:Vge规格-最大允
3、许值±20V寄生电感对门极的影响(半桥中另一IGBT开通时)Page4门极电阻¢Rg对开通影响大,表现在以下几个方面:-开通能耗(Eon)Rg较小-IGBT的电流尖峰(续流二极管的反向恢复电流)-dv/dt¢Rg对关断影响不明显,表现在以下几个方面:-关断能耗(Eoff)-di/dt(主要由芯片技术决定,Rg很大时才有影响)开通波形-dv/dt¢Rg对开通和关断延时都有影响Rg中等Eon,Eoff关断波形Rg较大Page5门极电阻¢Rg下限:规格书中的测试条件Vcc¢Rg上限:IGBT损耗/发热,死区时间¢功率计算(假设驱动功耗都消耗在DriverRg上):P
4、g=∆Vge×Qg×fsw×2其中:∆Vge=Vcc-VssVss/0VQg=∆Vge/30×QG0VQG:见规格书(-15V…+15V)fsw:开关频率¢IGBT并联时,建议每个IGBT一个Rg(共用一个驱动器),以减小IGBT内置门极电阻值误差对开关一致性的影响。Page6门极电阻Rg选择方式(仅供参考)15VRR¢首先确定驱动器型号,以获取驱动器输出峰值电流。PWMg_extg_intRo注意:规格书中的参数是基于较理想驱动器的测试结果(驱动器输出等效电阻可近似为0),且驱动电压为-15V…+15V。Vss¢选择方式一:考虑驱动器输出能力(假设输出峰值电
5、流为输出“短路”电流)15−Vss15−Vss≤I=R≥−Romaxg_extg_intR+R+RRIog_extg_int0omax¢选择方式二:考虑下限,即对IGBT和续流二极管的冲击15−Vss15−(−15)(15−Vss)×(Rg_datasheet+Rg_int)≤R≥−R−Rg_extg_intoRo+Rg_ext+Rg_intRg_datasheet+Rg_int30¢如有可能,确定所选Rg值是否满足驱动器温度要求。¢通过测试最终确定合适的Rg值。Page7驱动与保护线路设计和布局的几个原则:¢驱动电路与IGBT门极的距离越短越好¢驱动电路与I
6、GBT模块必须用导线连接时,导线越粗越好(双绞线)¢IGBT的G和E之间必须跨接电阻(10KΩ左右)¢RGE和门极箝位元件尽可能直接放置在IGBT模块上¢优化驱动电路在PCB上的布局Page8驱动与保护:箝位,DVRC¢门极箝位:用肖特基二极管和电源电压将Vge限在15V,限制短路电流。¢有源米勒箝位:利用附加晶体管的导通吸收由米勒电容和dv/dt产生的门极电流,保证0V关断的可靠性。¢有源箝位:检测Vce,延缓IGBT关断,限制di/dt和电压尖峰。门极箝位有源米勒箝位¢DVRC:检测dv/dt,延缓IGBT的关断,限制di/dt和电压尖峰。D2CDIF10
7、0pFUDVRCIR1UTt1ICt1URAVC2TC47Ω21D3D1+16VIR3DZ1IAVCDVRC36ΩTR3RAVCGT5PWMR2Ω4T4UFZ2400R17KE3FF1200R12KE3τt-16V有源箝位(ActiveClamping)动态电压上升控制(DVRC)Page9驱动与保护:短路保护¢Vce检测:-适用于直通短路等“硬”短路(低寄生电感回路)的保护-不适合用于过流保护-注意De-sat二极管的选择关断危险区!-消隐电容的选择受电流源误差影响电流Ic电压Vce电压Vce电流Ic短路过流短路¢软关断:在检测到短路后,驱动器输出较高阻抗,
8、等效于很大的门极电阻值,限制di/dt
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