微机组装与维护 教学课件 作者 赵小明 主编　陈英撑 代绍庆 副主编第4章 内存储器.ppt

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1、第4章内存储器本章要点本章主要介绍了内存基本知识、内存速度性能指标、常见内存条种类、内存条性能指标、内存条规范、内存的标识等知识，同时也介绍了虚拟内存概念。在学习过程中，要求掌握内存分类、内存条组成、RAM分类、内存数据存放形式、内存延迟时间计算、虚拟内存等知识，同时也要了解常见内存条种类、常见内存封装形式、常见内存条规范、常见内存识别以及常见内存条性能指标等知识。本章难点对内存数据存放形式的理解对内存延迟时间的计算的理解对虚拟内存概念的理解4.1内存基本知识内存分类内存条组成及结构RAM分类内存数据存放形式1、内

2、存分类内存也就是主存储器，用于存放当前处于活动状态的程序和数据，是计算机不可缺少的组成部分。根据存储信息的方式不同，又可分为只读存储器和随机存储器两类。只读存储器（ROM，ReadOnlyMemory）:停电后数据不丢失。常被用来存放系统程序或一些专用程序，如主板上的BIOS程序就是用ROM存储。常见的有PROM、EPROM、EEPROM、FLASHROM等。随机存储器（RAM，RandomAccessMemory）:一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。只能用于暂时存放程序和数据，一般只用于存放各种现场的输

3、入、输出数据，以及中间计算的结果。2、内存条组成及结构内存由内存芯片、PCB（印刷电路板）电路板、电阻和电容等元件组成。一片内存条上往往由单面8片或双面16片内存芯片构成。内存条引脚俗称“金手指”，用于与主板内存条插槽相连接。金手指中间有一个或者两个缺口，缺口两侧不等长，以防在安装时插反。3、RAM分类动态RAM（DRAM）：靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，由于电容会放电，为了保持数据，DRAM需定时刷新，故称动态RAM。静态RAM（SRAM）：靠双稳态触发器来记忆信息。由于晶体管开关速度很快，所以SRAM的读

4、写速度也很快。动态RAM要比静态RAM集成度高、功耗低，成本也低，适于大容量存储器。而静态RAM要比动态RAM速度快，所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。4、内存数据存放形式内存数据以存储单元为单位，按内存地址进行存放数据。内存地址一般按以下两种方式进行组织。1．以队列方式进行组织2．以阵列方式进行组织4.2内存速度性能指标(1)时钟周期（TCK，SystemClockCycleTime）：代表内存所能运行的最大频率，即每一时钟周期需用的时间。这个数字越小说明内存芯片所能运

5、行的频率就越高，单位为ns。CAS延迟时间（CL，CASLatteney）：当一个读命令发出时至CAS信号定位内存之间的时延，称为CAS延迟时间，单位为时钟周期。这个值一般为2或者3个时钟周期，如大多数的SDRAM内存就运行在CL=2或3的模式下。延迟时间为2时钟周期的内存芯片在同等工作频率下要比延迟时间为3时钟周期的芯片速度快、性能好。4.2内存速度性能指标(2)存取时间（TAC，AccessTimefromCLK）：读取数据所延迟的时间，即内存定位后至数据取出之间的时延，单位为ns。注意与时钟周期之间的区别。内

6、存总延迟时间：上述三个参数综合评价内存的性能指标，其计算公式为，总延迟时间=TCK×CL+TAC，如PC100内存，当CL=2、TCK值为10ns、TAC值为6ns时，则总延迟时间=10ns×2+6ns=26ns。4.3常见内存条种类（1）FPMDRAM：快速页面模式动态存储器，通过快速的读写和刷新充电过程完成一个页面的存取过程。时钟周期一般为几十纳秒，工作在60MHz外频下，用于486及奔腾级的计算机中，为72线，5V电压，带宽为32bit，目前已被淘汰。EDODRAM：EDO称为扩展数据输出动态存储器，在FPM

7、基础上改进的结果,读写周期缩短。一般为50ns～60ns，工作在75MHz外频下，有72线和168线之分，5V电压，带宽32bit。4.3常见内存条种类（2）SDRAM:属于一种同步内存，即内存的时钟周期和CPU的外频同步。采用64bit读写数据宽度，168线，封装方式为双列直插式DIMM。目前SDRAM内存的主流有：（1）10ns的内存：工作外频为100MHz。（2）8ns的内存：工作外频为125MHz。（3）7ns的内存：工作外频为133MHz。4.3常见内存条种类（3）DDRSDRAM:为SDRAM的更新产品

8、，DD是“双倍数据传输”（doubledatarate）的缩写，称为双倍速SDRAM。属于一种异步的内存，即内存时钟周期和CPU外频不一致，最高可以超过CPU外频的一倍。DDR与SDRAM的外观最大区别是：（1）DDR内存使用的是184线，普通SDRAM使用的是168线；（2）DDR的DIMM接口上只有一个缺口，普通的SDRAM有两个缺口。两者不能混合使用。