模拟电子技术与应用项目教程 教学课件 作者 王继辉 三极管及其应用.ppt

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1、晶体三极管及应用晶体三极管1共发射极放大电路2共集电极放大电路3共基极放大电路462多级放大电路5差动放大电路67单管放大电路测试3一、外形及分类功率：材料：小、中、大功率管硅管、锗管类型：NPN型、PNP型晶体三极管:具有电流放大功能的元件分类：4NNP基极发射极集电极NPN型BECBECPNP型PPN基极发射极集电极符号：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三极管PNP型三极管二、基本结构5基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大6三极管的基本接法共集电极接法：集电极作为公

2、端；共基极接法：基极作为公共端。共发射极接法：发射极作为公共端；7三、BJT的电流分配和放大原理1.三极管放大的外部条件发射结正偏、集电结反偏NPN:Vc>Vb>VePNP:Vc

3、0800.40.8UCE1VO112.输出特性IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O放大区输出特性曲线通常分三个工作区：(1)放大区在放大区，IC=IB，也称为线性区，具有恒流特性。在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。12IB=020A40A60A80A100A36IC(mA)1234UCE(V)912O（2）截止区IB<0以下区域为截止区，有IC0。在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。饱和区截止区（3）饱和区当U

4、CEUBE时，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IBIC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。深度饱和时，硅管UCES0.3V，锗管UCES0.1V。13例1：测量三极管三个电极对地电位如图，试判断三极管的工作状态。14图中已标出各硅晶体管电极的电位，判断晶体管的状态。放大饱和放大截止15总结：输出特性三个区域的特点:(1)放大区BE结正偏，BC结反偏，IC=IB,且IC=IB(2)饱和区BE结正偏，BC结正偏，即UCEUBE，IB>IC，UCE0.3V(3)截止区UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO0161.电流放大系数

5、，直流电流放大系数交流电流放大系数当晶体管接成发射极电路时，注意：和的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的值在20~200之间。五、三极管的主要参数172.反向饱和电流ICBO反映三极管热稳定性的好坏。3.穿透和电流ICEO反映三极管质量的好坏。且4.集电极最大允许电流ICM5.集电极-发射极反向击穿电压U(BR)CEO6.集电极最大耗散功率PCM18温度对三极管的特性与参数的影响温度升高，输入特性曲线左移uBE减小19温度升高，输出特性曲线上移，且间距加大。ICBO增大β增大，稳定性变差20六、三

6、极管的判别及检测bcbc21结果均为∞或很小（几百到几千欧）则假设正确，否则重新假设，直至找到基极。假设某一管脚为基极做图示测试1、定基极2、定管型读数很小NPN型管读数∞PNP型管223、发射极和集电极阻值小的测量黑表笔接CNPN型管阻值小的测量黑表笔接EPNP型管23241、三极管输出特性三个区域的特点:放大区：BE结正偏，BC结反偏，IC=IB,且IC=IB饱和区:BE结正偏，BC结正偏，即UCEUBE，IB>IC，UCE0.3V截止区：UBE<死区电压，IB=0，IC=ICEO02、三极管的基本接法共发射极共基极共集电极25基本放

7、大电路一般是指由一个三极管与相应元件组成的三种基本组态放大电路。共发射极、共集电极、共基极放大电路的主要技术指标(1)放大倍数(2)输入电阻Ri(3)输出电阻Ro(4)通频带26一、电路的组成C1、C2耦合电容，隔直通交避免信号源与放大电路间相互干扰RB基极偏置电阻，提供合适的基极电流RC集电极电阻，将电流放大转换为电压放大VCC直流电源：向RL提供能量；向VT提供合适偏置VT三极管，放大电路的核心器件+UCCRBRCC1C2VT++RLui+–uo+–++–uBEuCE–iCiBiE小写符号、小写下标ui：表示交流电压（电流）瞬时值大写符号、大写下标U

8、I：表示直流电压（电流）小写符号、大写下标uI：表示包含有直流的电压（电流）的瞬