模拟电子技术 教学课件 作者 葛中海 1 常用半导体器件.ppt

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1、第一章二极管、晶体管、晶闸管1导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、等。1.1二极管2本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷半导体（纯净和具有晶体结构的半导体）。1.1.1半导体基础知识杂质半导体：向本本征半导体掺如特定的杂质，能该原本征半导体的导电特性；杂质半导体有N型（电子型）和P型（空穴型）。3半导体的导电特性1.掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。2.热敏性

2、和光敏性：当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。4在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过特定工艺扩散技术，在它们的交界面处就形成了PN结。在PN结的两极上，分别引出两个电极，就成了二极管。所谓二极管的单相导电性，可以简单等效于PN结的导电特性。1.1.2二极管的单相导电性5加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区1、正向偏置时加在二极管两端的正向电压较小时，二极管不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。2、当正向电压达到某一数值后（死区电压）二极管才能真正导通。3、导通后二极管两端的电压基本上保

3、持不变，这个数值称为二极管的“正向压降”。6加反向电压——电源正极接N区，负极接P区1、反向偏置时二极管会流过微弱的反向电流，这个电流称为漏电流。2、漏电流与环境温度紧密关联，温度越高漏电流越大，反之亦反。同等温度下，锗管漏电流比硅管显著。7PN结加正向电压时呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时呈现高电阻，PN结截止。结论：PN结具有单向导电性。总结8伏安特性UI死区电压硅管0.5V,锗管0.1V。导通压降:硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。反向击穿电压UBR91.1.3二极管的名称1、国产命名参考<附录1>2、国

4、外命名日本以“1S”开头，美国以“1N”开头。101.1.4二极管的分类划分方法及种类说明按功能划分整流二极管专门用于整流的二极管开关二极管作为电子开关使用稳压二极管专门用于直流稳压的二极管（小电流输出）发光二极管专门用于指示的二极管，能发出可见光光敏二极管对光（红外光、激光）有敏感作用的二极管变容二极管高频电路中作为可调电容器使用按PN结大小划分点接触型专门用于检波等小电流信号处理的二极管面接触型专门用于整流等大电流信号处理的二极管按封装划分塑料封装小功率二极管常采用的封装形式玻璃封装一般为点接触型，工作电流小但工作频率高，如小

5、信号检波电路的应用金属封装一般为面接触型二极管，电流大，频率低，如大功率整流电路的应用按材料划分硅二极管硅材料二极管锗二极管锗材料二极管111.1.6主要参数1.正向额定电流IFM二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。2.最高反向工作电压URM保证二极管不被击穿时的反向峰值电压。3.反向饱和电流IRM指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。121.2.1晶体管

6、基础知识BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型1.2晶体管1.晶体管的结构13BECNNP基极发射极集电极基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高14BECNNP基极发射极集电极发射结集电结15BECIBIEICNPN型三极管BECIBIEICPNP型三极管符号162.晶体管的名称1、国产命名参考<附录1>2、国外命名日本以“2S”开头，美国以“2N”开头。173.晶体管的的分类划分方法及种类说明按结构划分PNP-NPN-按材料划分硅管用半导体硅材料制造的管子锗管用半导体锗材料制

7、造的管子按工作频率划分低频管共射特征频率低于3MHz（如8050、8550）高频管共射特征频率高于3MHz（如9018）按功率划分小功率管耗散功率小于1瓦（如8050、8550）中功率管耗散功率几瓦（如TIP41、TIP42）大功率管耗散功率为几瓦～几十瓦按用途划分普通放大三极管模拟放大电路使用的管子开关三极管开关控制电路使用的管子184.晶体管的封装外形195.晶体管类型的判断（1）205.晶体管类型的判断（2）NPN型三极管PNP型三极管21ICmAAVVUCEUBERBIBECEB1.2.1电流分配和放大原理22结论:1.

8、IE=IC+IB3.IB=0,IC=ICEO4.要使晶体管放大,发射结必须正偏,集电结必须反偏。23一.输入特性UCE=0.5VUCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.