半导体基础知识.ppt

半导体基础知识.ppt

ID:50172842

大小:933.00 KB

页数:65页

时间:2020-03-06

半导体基础知识.ppt_第1页
半导体基础知识.ppt_第2页
半导体基础知识.ppt_第3页
半导体基础知识.ppt_第4页
半导体基础知识.ppt_第5页
资源描述:

《半导体基础知识.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、半导体基础知识硅材料事业部第1頁物质的结构 导体和绝缘体 半导体 杂质半导体 二极管和三极管 集成电路 硅片衬底硅材料事业部第2頁物质的结构硅材料事业部第3頁原子是组成物质的基本单元单质,化合物H2ONaClO2水 盐  氧物质的结构硅材料事业部第4頁原子由质子、中子和电子组成质子和中子的半径是0.8╳10-15m原子核的大小大约是10-15至-14m%(物质的结构硅材料事业部第5頁原子由质子、中子和电子组成质子和中子形成原子核 物质的性质由质子的数量决定质子中子氢原子核碳原子核物质的结构硅材料事业部第6頁电子围绕原子核旋转问题:氢原子核的半径是0.8╳10-1

2、5m,核外电子的轨道半径是0.53╳10-10m,如果把原子核放大到0.1mm(尘粒),则电子离原子核多远?物质的结构硅材料事业部第7頁核外电子分层排布内层电子比较稳定最外层电子决定物质的导电性能128428523氢(H)硅(Si)硼(B)磷(P)导体与绝缘体硅材料事业部第8頁物质的导电性带电粒子在电场作用下定向流动电子导电离子导电铜导线电子盐水电极Cl-Na++-导体与绝缘体硅材料事业部第9頁电阻率的定义电阻R=ρ×面积导线长度长度L面积S导体与绝缘体硅材料事业部第10頁各种物质的电阻率(单位ΩM)银(Ag)1.6×10-8铜(Cu)1.7×10-8铝(Al)

3、2.9×10-8半导体102—107电木1010—1014橡胶1013—1016导体与绝缘体硅材料事业部第11頁外层电子数量对导电性能的影响第一层饱和电子数是2最外层饱和电子数是8AgSiCuAr银    铜     硅     氩导体与绝缘体硅材料事业部第12頁金属原子的外层电子易脱离原子而成为自由电子,这是金属易于导电的原因。金属导电示意金属原子自由电子导体与绝缘体硅材料事业部第13頁非金属原子的外层电子不易脱离原子而成为自由电子,这是非金属不易于导电的原因。束缚电子半导体元素硅材料事业部第14頁原子的外层电子数为428428418硅 锗半导体元素硅材料事业

4、部第15頁原子的外层电子数为4纯净的半导体是不导电的一个硅原子分别与4个其它的硅原子组合外层电子共用,形成共价健纯净的半导体中没有自由电子半导体元素硅材料事业部第16頁纯净硅的结构SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi杂质半导体硅材料事业部第17頁在纯净硅中有意识地掺入杂质磷SiSiSiSiSiSiSiSiPSiSiSiSiSiSiSi电子杂质磷原子电子导电型P杂质半导体硅材料事业部第18頁在纯净硅中有意识地掺入杂质硼SiSiSiSiSiSiSiSiBSiSiSiSiSiSiSi空穴杂质硼原子空穴导电型杂质半导体硅材料事业部第19頁杂质

5、是有意识地地掺入的不是所有的元素都可以作为杂质掺入掺入的杂质的数量是经过精确计算的杂质半导体硅材料事业部第20頁掺入的杂质的数量是非常少的, 极少的杂质会极大地影响半导体 的导电性能纯净硅不含杂质纯度99.99999999999%1B/50000000Si电阻率10Ωcm1B/7143Si电阻率 0.01Ωcm杂质半导体硅材料事业部第21頁警告!要杜绝其它杂质的进入要杜绝各种可能的污染极少量的杂质能极大地改变半导体的导电性能半导体生产的超浄要求硅材料事业部第22頁生产中采取的各种措施:各道工序加工后都进行清洗使用超纯水进行清洗(17M以上)使用超纯气体(99.9

6、99%以上)使用电子纯的化学试剂在净空厂房内生产超净包装半导体生产的超浄要求硅材料事业部第23頁生产中对作业人员的限制:不能用手接触产品进入净空厂房要穿着超净服不能化妆不能穿戴金银饰品不要穿毛衣要保持良好的卫生习惯半导体二极管硅材料事业部第24頁空穴导电 电子导电P型半导体    N型半导体半导体二极管硅材料事业部第25頁P型半导体和N型半导体在一起型成PN结P型半导体N型半导体N区电子向P区扩散P区空穴向N区扩散形成PN结半导体二极管硅材料事业部第26頁PN结的单向导电性PN结内电场外电场电流导通半导体二极管硅材料事业部第27頁PN结的单向导电性PN结内电场外

7、电场电流不导通半导体三极管硅材料事业部第28頁三极管的结构(PNP型)PPN发射极集电极基极PN结半导体三极管硅材料事业部第29頁三极管的结构(NPN型)NNP发射极集电极基极PN结集成电路硅材料事业部第30頁集成电路1947年发明第一个锗晶体管1958年诞生第一块集成电路1969年在米粒大小的面积上可以集成1000多个晶体管1999年奔腾4芯片的集成度达到在一个指甲大小的面积上集成了4000多万个晶体管上海申和热磁电子有限公司硅材料事业部硅片加工项目生产规模:400000片/月开工日期:2002年6月投产日期:磨片产品9月抛光片产品 10月申和公司硅片出口加工

8、项目合作方:日本东芝公司

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。