槽型SOI-LDMOS器件开关特性的研究.pdf

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1、ｍａｓｔｅｒｄｉｓｓｅｒｔａｔｉｏｎａＩｓｏ－论义题目ｉｌｄｍｏｓ器件开关特性的研究：槽型。＊ｇ．Ｔ．ｊ隊，ｌ＾繼业’—．．＇羹ｍｍ国内图书分类号；ＴＰ３８６密级；公开国际图书分类号：６２１．３８西南交通大学研究生学位论文槽型ＳＯＩ－ＬＤＭＯＳ器件开关特性的研究２０１４年级姓名變冬冬申请学化级别硕壬专业电路与系统指导老师陈向东二零一走年五月Ｃｌａｓｓ巧ｅｄＩｎｄｅｘ：ＴＰ３８６Ｕ．Ｄ．Ｃ：６

2、２１．３８ＳｏｕｔｈｗｅｓｔＪｉａｏｔｏｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｇｙＭａｓｔｅｒＤｅｒｅｅＴｈｅｓｉｓｇＡｎＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｉｎｔｏｓｗｉｔｃｈｉｎｇ－ＬＤＭＯＳｄｅｖｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｒｅｎｃｈＳＯＩｉｃｅＧｒａｄｅ：２０１４Ｃａｎｄｉｄａｔｅ：ＦａｎＤｏｎｇｄｏｎｇＡｃａｄｅｍｉｃＤｅｒｅｅＡｌｉｅｄｆｏｒ：ＭａｓｔｅｒＤｅｒｅｅｏｆＥｎｉｎｅｅｒｉｎｇｐｐｇｇｇＳｐｅｃｉａｌｉｔｙ：Ｃｉｒｃｕｉ

3、ｔｓａｎｄＳｙｓｔｅｍｓＳｕｅｒｖｉｓｏｒ：ＣｈｅｎＸｉａｎｄｏｎｐｇｇＭａ２０１７ｙ，西南交通大学学位论文版权使用授权书、本学位论文作者完全了解学校有关保留使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部口或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被査阅和借阅。本人授权西南交通大学可Ｗ将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可Ｗ采用影印。、缩印或扫描等复印手段保存和汇编本学位论文本学位论文属于１．保密□，在年解密后适用本授权书；２．不保密妇，

4、使用本授权书。＂＂（请在Ｗ上方框内打Ｖ）？Ｘ＾学位论文作者签名；增叫指导老师签名：－￣＇，．．。＾Ｐ｜：曰期：曰期１１Ｊ！西南交通大学硕±学位论文主要工作（贡献）声明本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下；－ＳＯＩ－ＬＤＭＯＳ器件和延长漏槽型ＳＯＩＬＤＭＯＳ器件的漂移区（１）研究了常规槽型－ｅ、浓度、ＰＷｌｌ浓度、栅氧厚度、槽深Ｗ及栅场板长度对导通电阻成。击穿电压ＢＶ和Ｈ者的影响－：延长漏槽型ＳＯＩＬＤＭＯＳ器件相较于常栅漏电荷０ｃｄ，并得出Ｗ

5、下结论－５２ＬＤＭＯＳ器件击穿电压ＢＶ提高了．１８％导通电阻成８．８％规槽型ＳＯＩ；ｎ降低了；栅４１．７％．２％。漏电荷０ＧＤ提离了；优值ＦＯＭ降低了２５为下文如何降低栅漏电荷０ＧＤ的作下铺垫。一（２）利用降低器件栅极和漏极接触区域面积来降低器件栅漏电荷０ＧＤ这技术路－ＳＯ－线ＩＬＤＭＯＳ器件，分别是单场板延长漏槽型ＳＯＩＬＤＭＯＳ，提出了两种带场板槽型ＳＯ－ＬＤＭＯＳ器器件和双场板延长漏槽型Ｉ件。这两种器件有如下优点；单场板延长漏－－－ＬＤＭＯＳ器件较常规槽型ＳＯＩ

6、ＬＤＭＯＳ器、延长漏槽型ＳＯＬＤＭＯＳ器件槽型ＳＯＩ件ＩＯＭ〇长漏槽７．１／〇、４５．９％和５６．８％、４２．２％栅漏电荷０ＧＤ和优值Ｆ分别降低；双场板延－－－型ＳＯＩＬＤＭＯＳ器件较常规槽型ＳＯＩＬＤＭＯＳ器件、延长漏槽型ＳＯＩＬＤＭＯＳ器件栅〇〇〇漏电荷０ＧＤ和优值ＦＯＭ分别降低７７．２／〇、８６．７２％和８５．７／〇、８０．９／〇。：独立进行研究王作所得的成本人郑重声明所呈交的学位论文，是在导师指导下果。除文中己经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体

7、已经发表或撰写过的研究成果。。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中作了明确说明一切法律责任将由本人承担本人完全了解违反上述声明所引起的。学位论文作者签．曰期：＾、＼叫＾西南交通大学硕±研究生学位论文第Ｉ页摘要随着便巧设备的兴起、全球能源需求量的不断増长，如何提高资源的有效利用率将变得越来越重要。由于ＳＯＩ－ＬＤＭＯＳ功率器件具有速度快、集成度高、功耗小等优－ＬＤＭＯＳ器件越来越广泛的用于功率转换开关电路点使得ＳＯＩ。而如何降低影响ＳＯ－ＩＬＤＭＯＳ

8、器件开关时间的栅漏电荷＆Ｄ将是本文的研究重点。ＳＯ－－本文首先研究了常规槽型ＩＬＤＭＯＳ器件和延长漏槽型ＳＯＩＬＤＭＯＳ器件的正向导通电阻与反向击穿电压。利用仿真软件Ｍｅｄｉｃｉ对栅漏电荷０ＧＤ、导通电阻成。、击穿电压ＢＶ与器件结构参数之间的关系进行仿真。通过仿真得出延长漏槽型〇ＳＯｋＬＤＭＯＳ器ＳＯ－件相较于常规槽型ＩＬＤＭＯＳ器件击穿电压ＳＶ提髙了５２．１８／〇导；通电阻化＞。降低了８．８％；栅漏电荷化Ｄ提高了４１．７％，进而对后文栅漏电