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时间:2020-03-04
《SIC功率器件特性及其在PFC电路中的应用研究.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、分类号:TM7M单位代码1:0058?;-暖條‘'电路中的应邑■---------- ̄ ̄■ ̄学科专业^:电舉与财L1--乎气乂作者姓名:李君娜I.1..V二,■;;'指导敦师:付贤松完成日期--:20170120r'-r.::6l:.:!^独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的研究成果,除了文中特别加W标往和致谢之处外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得天津工业大学或其他教育机构
2、的学位或证书而使用过的材料一。与我同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示了谢意。学位论文作者签名;签字日期;年又月^日学位论女版权使用授权书本学位论文作者完全了解天津工业大学有关保留、使用学位论文的规定。特授权去津工业大学可L义格学位论文的全部或部分內容编入有关数据库讲行枪褒,并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编K供查阅和借阅。同意学校向国家有关部口或机构送交论文的复印件和磁盘。(保密的学位论文在解密后适用本授权说明)学位论文作者签名导师签名:签字曰期:兴。年
3、立月%曰签字曰期:心7年>月苗曰学位论文主要创新点一S、将iC犯DW及SiCMOSFET应用于APFC电路中,作为功率变换电路中的开关器件,制作出实际电路板进行测试。相较于使用全Si功率器件的APFC电路,使用全SiC功率器件的APFC电路不仅其功率因数有所提离,同时续流二极管及开关MOSFET上的损耗也有大幅减小。二、本论文同时还进巧了双脉冲测试,对SiC肖特基势垒二极管及SiCMOSFET的开关特性进行测试。通过实际测量来验证SiC功率器件的性能优势。I摘要根据摩尔定律,目
4、前大规模使用的Si功率器件已经渐渐达到其发展的极限了,难W满足今后社会发展对于器件的工作频率、耐受温度、功率、能效、耐恶劣环境W及轻便小型化等等方面的更高要求。寻找更加符合今后发展所需要的替S一代半导体i材料功率器件的新型材料半导体功率器件这项工作,早在上世纪90。而WSic为年代就己经展开代表的第H代半导体材料凭借其各项优异属性逐渐受到业内人古的关注。SiC功率器件具有反向漏电流小、开关频率高、阻断电压裔、导通电阻小和工作温度高等性能特点,并且在21世纪初,使用SiC材■料制作出的肖特基势盞二极管己经
5、成功地走出实验室。在未,实现商品化的规模来的电力电子技术领域,使用S把材料制成的功率器件将会逐步替代Si材料功率器件,具有广阔的应用前景。本文分析了SiC肖特基二极管和S记MOSFET的工作特性,W及其与相应Si功率器件之间的差异。分析和讨论了功率因数的定义和计算、BoostAPFC电iCSD060、SiCMOSFETCMF路中的开关损耗,阐述了S肖特基二极管C1010120D:的特性,W及各种PFC技术的拓扑、控制及控制茫片UC3854的封装和工作原854一款2理。使用功率因数控制苍片UC3设计制
6、作50W输出的APFC电路,同时将不同的SiC功率器件与Si功率器件的组合分为四个被测组应用于该APFC电路中-,对APFG电路的性能巧及电路中所使用的半导体功率器件的损耗情况进行了分析,指出与S,选用SiC功率器件可W有效降低开关损耗。i功率器件相比同时完成了双脉冲动态特性测试电路的制作,实验测试了SiC功率器件的主要特性与参数。完全使用S把功率器件的有源功率因数校正电路比使用Si功率器件时,总3谐波崎变因数从9.2%下降到了.7%功率因数由0.995提高到了化999二极;而;.管上的功耗从
7、6.2W下降到19W关MOSFET上的功耗从22.8W下降到了;开12.3W。关键词:碳化珪;功率器件;功率因数校正;开关特性;开关损耗ABSTRACTco'AcrdintoMooresLawtheSiowerdeviceswhichareusedonalargescaleg,patpresenthavegraduallyapproachedthedevelopmentlimit,andcannotsatisfythehigherdemandsfo
8、rdeviceoperatingfrequency,tolerabletemperature,power,energyefficiencresistancetoharshenvironmentsortabili
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