硅片制绒工艺.ppt

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1、硅片制绒工艺zhejianguniversity制备绒面的目的减少光的反射率，提高短路电流，以致提高光电转换效率陷光原理当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率绒面光学原理单晶制绒单晶制绒流程：预清洗+制绒预清洗目的：通过预清洗去除硅片表面脏污，以及部分损伤层。机械损伤层（5-7微米）硅片单晶制绒预清洗方法：1、10%NaOH，78oC，50sec；2、①1000gNaOH，65-70oC(超声)，3min；②1000gNa2SiO3+4LIPA，65oC，2min。2NaOH+Si+H2O=N

2、a2SiO3+2H2SiO32-+3H2O=H4SiO4+2OH-单晶制绒预清洗原理：1、10%NaOH，78oC，50sec；利用浓碱液在高温下对硅片进行快速腐蚀。损伤层存在时，采用上述工艺，硅片腐蚀速率可达5μm/min；损伤去除完全后，硅片腐蚀速率约为1.2μm/min。经腐蚀，硅片表面脏污及表面颗粒脱离硅片表面进入溶液，从而完成硅片的表面清洗。经50sec腐蚀处理，硅片单面减薄量约3μm。采用上述配比，不考虑损伤层影响，硅片不同晶面的腐蚀速率比为:(110):(100):(111)=25：15：1，硅片不会因各向异性产生预出绒，从而获

3、得理想的预清洗结果。缺点：油污片处理困难，清洗后表面残留物去除困难。单晶制绒预清洗原理：2、①1000gNaOH，65-70oC(超声)，3min；②1000gNa2SiO3+4LIPA，65oC，2min。①利用NaOH腐蚀配合超声对硅片表面颗粒进行去除；②通过SiO32-水解生成的H4SiO4(原硅酸)，以及IPA对硅片表面有机物进行去除。单晶制绒单晶绒面：绒面一般要求：制绒后，硅片表面无明显色差；绒面小而均匀。单晶绒面显微结构（左：金相显微镜；右：扫描电镜）单晶制绒制绒原理：简言之，即利用硅在低浓度碱液中的各向异性腐蚀，即硅在(110)

4、及(100)晶面的腐蚀速率远大于(111)晶面的腐蚀速率。经一定时间腐蚀后，在(100)单晶硅片表面留下四个由(111)面组成的金字塔，即上图所示金字塔。根据文献报道，在较低浓度下，硅片腐蚀速率差异最大可达V(110)：V(100)：V(111)=400：200：1。尽管NaOH(KOH)，Na2SiO3，IPA(或乙醇)混合体系制绒在工业中的应用已有近二十年，但制绒过程中各向异性腐蚀以及绒面形成机理解释仍存争议，本文将列出部分机理解释。单晶制绒各向异性腐蚀机理：1967年，Finne和Klein第一次提出了由OH-，H2O与硅反应的各向异性

5、反应过程的氧化还原方程式：Si+2OH-+4H2O→Si(OH)62-+2H2；1973年，Price提出硅的不同晶面的悬挂键密度可能在各项异性腐蚀中起主要作用；1975年，Kendall提出湿法腐蚀过程中，（111）较（100）面易生长钝化层；1985年，Palik提出硅的各向异性腐蚀与各晶面的激活能和背键结构两种因素相关，并提出SiO2（OH）22-是基本的反应产物；单晶制绒各向异性腐蚀机理：1990年，Seidel提出了目前最具说服力的电化学模型，模型认为各向异性腐蚀是由硅表面的悬挂键密度和背键结构，能级不同而引起的；1991年，Gle

6、mbocki和Palik考虑水和作用提出了水和模型，即各向异性腐蚀由腐蚀剂中自由水和OH-同时参与反应；最近，Elwenspolk等人试着用晶体生长理论来解释单晶硅的各向异性腐蚀，即不同晶向上的结位(kinksites)数目不同；另一种晶体学理论则认为(111)面属于光滑表面，(100)面属于粗糙表面。单晶制绒各向异性腐蚀机理：Seidel电化学模型：单晶制绒绒面形成机理：A、金字塔从硅片缺陷处产生；B、缺陷和表面沾污造成金字塔形成；C、化学反应产生的硅水合物不易溶解，从而导致金字塔形成；D、异丙醇和硅酸钠是产生金字塔的原因。硅对碱的择优腐蚀

7、是金字塔形成的本质，缺陷、沾污、异丙醇及硅酸钠含量会影响金字塔的连续性及金字塔大小。单晶制绒绒面形成最终取决于两个因素：腐蚀速率及各向异性腐蚀速率快慢影响因子：1、腐蚀液流至被腐蚀物表面的移动速率；2、腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反应的反应速率；3、生成物从被腐蚀物表面离开的速率。单晶制绒具体影响因子：NaOH浓度溶液温度异丙醇浓度制绒时间硅酸钠含量槽体密封程度、异丙醇挥发搅拌及鼓泡NaOH浓度对绒面形貌影响：NaOH对硅片反应速率有重要影响。制绒过程中，由于所用NaOH浓度均为低碱浓度，随NaOH浓度升高，硅片腐蚀速率相对上升。与此同时，随

8、NaOH浓度改变，硅片腐蚀各向异性因子也发生改变，因此，NaOH浓度对金字塔的角锥度也有重要影响。85oC，30min，IPAvol10%单晶制绒NaOH浓度对绒面