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1、第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在木征半导体屮掺入极微量的一匸价元素组成的。这种半导体内的餌数载流了为
2、'
3、由电了,少数载流了为空穴,不能移动的杂质离了带正电。P型半导体是在木征半导体屮掺入极微量的亠价元素组成的。这种半导体内的多数载流了为空穴,少数载流了为门由电了,不能移动的杂质离了带负电。2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是一发射极、基极和集电极。3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流了的扩散运动而不利于
4、少数载流了的漂移;PN结反向偏置时,夕卜电场的方向与内电场的方向一致,有利于少了的漂移运动而不利于多了的扩散,这种情况'卜•的电流称为反向饱和电流。4、PN结形成的过程中,P型半导体屮的影数载流了由P向N区进行扩散,N型半导体屮的多数载流了由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由_"区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流了的扩散起削弱作用,对少了的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN峑形成。5、检测二极管极性时,需用力•用表欧姆挡的RX1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极:与
5、黑表棒相接触的电极是二极管的型极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前示力•用表指针偏转部很大时,说明二极管C经被山穿;两表棒位置调换前示力用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。7、稳压管是一种特殊物质制造的血接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体屮不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错)2、白由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(对)3、用力用表测试晶体管时,选择欧姆档RxlOK档位。(错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(PN结反向偏置时
6、,其内外电场方向T)(错)5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错)6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。(错)8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流Icm时,该管必被击穿。(错)9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。(错)10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。(错)三、选择题:(每小题2分,共20分)1、单极型半导体器件是(C)。A、二极管;B、双极型三极管;C、场效应管;D、稳压管。2、P型半导体是在木征半导体屮加入微量的(A)元素构成的
7、。A、三价;B、四价;C、五价;D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。4、用力用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KG,说明该二极管(C)oA、已经击穿;B、完好状态;C、内部老化不通;D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。A、多子扩散;B、少了扩散;C、少了漂移;D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为Vf=2.1V,Vr=2.8V,Vc=4.4V,说明此三极管处在(A)。A、放大区;B、饱和区;C、截止区;D、反向击穿区。7、绝
8、缘栅型场效应管的输入电流(C)。A、较大;B、较小;C、为零;D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。A、矩形方波;B、等腰三角波;C、正弦半波;D、仍为正弦波。9三极管超过C)所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流,CM;B、集一射极
9、川反hd'ilf电斥〃《BR)CFQ;C、集电极最大允许耗散功率PCm;D、管了的电流放大倍数0。10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)A、发射结正偏、集电结正偏;C、发射结正偏、集电结反偏;3、图1・29所示电路中,已知E=5V,B、发射结反偏、集电结反偏;D、发射结反
10、偏、集电结正偏。u-=lOsin^rV,o图1-29二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻心0,反向阻断时电阻RS,试呦出如的波形。答:分析:根据电路可知,当“PE时,二极管导通坳=均,当m11、小,放大倍数也减小的反馈,称为负反馈:使放大器净输入信号增加,放大