电子技术基础l练习习题答案（ X页）.doc

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1、第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在木征半导体屮掺入极微量的一匸价元素组成的。这种半导体内的餌数载流了为

2、'

3、由电了,少数载流了为空穴，不能移动的杂质离了带正电。P型半导体是在木征半导体屮掺入极微量的亠价元素组成的。这种半导体内的多数载流了为空穴，少数载流了为门由电了,不能移动的杂质离了带负电。2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是一发射极、基极和集电极。3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流了的扩散运动而不利于

4、少数载流了的漂移；PN结反向偏置时，夕卜电场的方向与内电场的方向一致，有利于少了的漂移运动而不利于多了的扩散，这种情况'卜•的电流称为反向饱和电流。4、PN结形成的过程中，P型半导体屮的影数载流了由P向N区进行扩散,N型半导体屮的多数载流了由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由_"区指向P区。空间电荷区的建立,对多数载流了的扩散起削弱作用,对少了的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时，PN峑形成。5、检测二极管极性时，需用力•用表欧姆挡的RX1K档位,当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极:与

5、黑表棒相接触的电极是二极管的型极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前示力•用表指针偏转部很大时，说明二极管C经被山穿；两表棒位置调换前示力用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。7、稳压管是一种特殊物质制造的血接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体屮不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）2、白由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对）3、用力用表测试晶体管时，选择欧姆档RxlOK档位。（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时

6、，其内外电场方向T）（错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流Icm时，该管必被击穿。（错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。2、P型半导体是在木征半导体屮加入微量的（A）元素构成的

7、。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（C）。A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。4、用力用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KG,说明该二极管（C）oA、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。A、多子扩散；B、少了扩散；C、少了漂移；D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为Vf=2.1V,Vr=2.8V,Vc=4.4V,说明此三极管处在（A）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。7、绝

8、缘栅型场效应管的输入电流（C）。A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。9三极管超过C）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流，CM；B、集一射极

9、川反hd'ilf电斥〃《BR）CFQ；C、集电极最大允许耗散功率PCm；D、管了的电流放大倍数0。10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；C、发射结正偏、集电结反偏；3、图1・29所示电路中,已知E=5V,B、发射结反偏、集电结反偏;D、发射结反

10、偏、集电结正偏。u-=lOsin^rV,o图1-29二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻心0,反向阻断时电阻RS,试呦出如的波形。答：分析：根据电路可知，当“PE时，二极管导通坳=均，当m

11、小，放大倍数也减小的反馈，称为负反馈:使放大器净输入信号增加，放大