单元4晶体管放大电路.ppt

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1、单元四晶体管放大电路（一）半导体简介1、半导体的特性（1）热敏性（2）光敏性（3）掺杂性2、半导体的原子结构（以硅晶体为例）在硅的晶体中，原子在空间排列成规则的晶格，且它们原子核的最外层轨道上都只有4个价电子，每个价电子都与其相邻原子核的一个价电子组成一对共价键。硅晶体中的共价键结构3、半导体类型及简介(1)半导体类型半导体本征半导体杂质半导体N型半导体P型半导体(2)半导体类型简介①本征半导体纯净的、不含其它杂质的半导体称为本征半导体。本征半导体在热力学温度零度时（即T=0K，相当于-273℃），晶体中没有自由电子，它没有导电能力。本征半导体在获得一定的能量（如光照、

2、温升等）之后，部分电子受到激发成为自由电子，此时半导体具有一定的导电能力，但导电能力较弱。在本征半导体中存在两种粒子：带负电的自由电子和带正电的空穴。②杂质半导体a、N型半导体在本征半导体中掺入少量的5价元素（如磷、锑、砷等）所形成的杂质半导体称为N型半导体。N型半导体中存在大量自由电子，使其导电能力大大增强。N型半导体的晶体结构b、P型半导体在本征半导体中掺入少量的3价元素（如硼、镓、铟等）所形成的杂质半导体称为P型半导体。P型半导体中因存在大量带正电的空穴，使其导电能力大大增强。P型半导体的晶体结构（二）PN结的单向导电性1、PN结的形成在同一片半导体材料的一侧掺入

3、5价元素，使之形成N型半导体，在另一侧掺入3价元素，使之形成P型半导体，此时，在交界面两侧形成一个由不能移动的正、负离子组成的空间电荷区，即PN结。PN结2、PN结的单向导电（1）正向偏置：PN结的P区接电源的正极，N区接电源的负极。（2）反向偏置：PN结的P区接电源的负极，N区接电源的正极。（3）单向导电性PN结正向偏置时，其正向电阻值较小，导通；反向偏置时，其反向电阻值较大，截止。即PN结具有单向导电性。第二节晶体二极管及应用（一）晶体二极管的结构和分类1、晶体二极管的结构晶体二极管是在PN结两端加上相应的电极引线和管壳做成的一种半导体器件。从P区引出的电极引线称正

4、极或阳极；从N区引出的电极引线称负极或阴极。二极管的外形和电路符号2、晶体二极管的分类按所用材料分按管子的结构分按管子的用途分二极管硅二极管锗二极管点接触型面接触型发光二极管稳压二极管光电二极管整流二极管等(二)晶体二极管的伏安特性二极管两端所加电压与流过二极管电流二者之间的关系称二极管的伏安特性。正向特性死区电压反向特性二极管的伏安特性曲线1、正向特性正向电压较小，二极管不导通→超过死区电压，二极管导通→继续增大正向电压，电流随电压急剧增大。2、反向特性反向电压较小，二极管内部产生较小反向电流→反向电压超过零点几伏，反向电流饱和→反向电压增大到反向击穿电压，反向电流突

5、然增大，二极管击穿。（三）晶体二极管的主要参数1、最大整流电流IFM二极管长期工作时，允许通过的最大正向平均电流。2、反向电流IR在室温条件下，二极管两端加规定的反向电压时，流过二极管的电流。3、最高反向工作电压URM二极管正常工作时，允许加在二极管两端反向电压的最大值.（四）晶体二极管的应用1、稳压二极管稳压二极管具有稳定电压的作用。它工作于反向工作区，所以，当把它接到电路中时，应反接，即稳压管的正极接电源的负极，稳压管的负极接电源的正极。+-稳压二极管的外形和电路符号2、发光二极管发光二极管可将电能转化为光能。它工作于正向状态，只要在发光二极管两端加一合适的正向电压

6、，其内部会产生一正向电流使二极管发光。发光二极管3、光电二极管光电二极管可以将光信号转化为电信号。当光电二极管的玻璃窗口受光照时，期内部产生一反向电流，且光照越强反向电流越大。光电二极管4、整流二极管整流二极管作用是将方向不断变化的交流电转变成单一方向脉动直流电。整流二极管（五）晶体二极管的识别和检测1、二极管极性的识别和检测（1）通过外形特征和引脚极性标记识别极性①色带标志识别(如图a所示)。②色点标志识别(如图b所示)。③电路符号识别(如图c所示)。二极管引脚示意图第三节晶体三极管及应用三、讲授新课（一）晶体三极管的结构和类型1、晶体三极管的类型三极管按材料分硅管（

7、按PN结的组合方式分）锗管（按PN结的组合方式分）NPN型PNP型NPN型PNP型2、晶体三极管的结构三极管是由三个区、两个结和三个电极构成的。（1）三个区分别为：发射区、基区和集电区。（2）三个电极分别为：发射极e、基极b和集电极c。（3）两个结为：发射结和集电结。三极管的结构及电路符号（二）晶体三极管的主要参数1、共发射极电流放大系数(1)直流电流放大系当三极管的c、e两端加规定的直流电压时，集电极电流与基极电流的比值(2)交流电流放大系数β当三极管的c、e两端加规定的交流电压时，集电极电流的变化量与基极电流的变化量之比。2.集电极和