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时间：2020-03-03
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1、第四章MOS模拟集成电路基础§4.1场效应晶体管§4.2JFET放大电路休息1休息2§4.3MOS模拟集成电路基础返回§4.1场效应晶体管引言4.1.1JFET的结构及基本工作原理休息1休息24.1.2JFET伏安特性曲线返回4.1.3绝缘栅场效应管4.1.4FET小信号等效模型§4.1场效应晶体管休息1休息2引言返回4.1.1JFET的结构及基本工作原理S源极D漏极G栅极GSDGSDG栅极D漏极S源极休息1休息2返回GSD休息1休息24.1.1JFET的结构及基本工作原理返回GSD(2)uDS对iD的影响iD休息1休息2N返回4.1.2JFET伏安特性曲线IDSS击穿区I区II区II
2、I区6V休息1休息2返回IDSS6V2输出特性曲线击穿区I区III区II区休息1休息2返回4.1.3绝缘栅场效应管休息1休息2返回衬底引线PSiO21E型NMOSFET的工作原理N+N+SGDE型NMOSFETE型PMOSFETD型NMOSFETD型PMOSFET返回……………………………………………………4.1.3绝缘栅场效应管N+SGDPN+iDiDiDiD返回4.1.3绝缘栅场效应管N+SGDPN+……………………iDiDiDiDUGS(th)返回N+SGDPN+(4)输出特性……………………uGSuGD=uGS-uDSuDSuGS1uGS2uGS3uGS4返回uGSuGD=uG
3、S-uDSuDSN+SGDPN+(4)输出特性……………………=UGS（th）uGS1uGS2uGS3uGS4返回N+SGDPN+……………………4.1.3绝缘栅场效应管⊕⊕⊕⊕⊕继续UGS(off)返回
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