Plasma_Treatment原理及应用_经验分享.ppt

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1、PlasmaTreatment原理及應用2015/6/25~26He.Dick/You.Lin/Chang.Citron目錄一.Plasmatreatment原理介紹二.Dynesurfaceenergymeasurement原理介紹三.提升P1backplate/liner/adhesive貼合強度study四.提升P1PIRLENS/liner(Aluminumfoil)貼合強度study一.Plasmatreatment原理介紹3IACConfidential採用直流輝光放電產生的冷等離子體對塑膠表面進行處理，研

2、究了接觸角、粘接力在處理前後的變化，結果表明ＨＤＰＥ薄膜的接觸角由原８４°降低到３０°，ＰＰ膜由原８８°降低到３８°，粘接力相應提高到３０倍，較佳的處理條件為電流密度２～５ｍＡ／ｃｍ２，處理時間２～１２ｍｉｎ，本底氣壓３０～２００Ｐａ，工作氣體可選用空氣或氧氣。對所研製的表面處理機作了簡單介紹。Plasmatreatment應用表面污染物去除ContaminationRemovalWireBondingEncapsulationBallAttach(ContaminationSources:Fluorine,Nicke

3、lHydroxide,Photoresist,EpoxyPaste,OrganicSolventResidue,smearinPCB,andscum)表面活化SurfaceActivationDieAttachEncapsulationFlipChipUnderfillMarking表面改性和刻蝕SurfaceModificationandEtchFluxlessSolderingCladdinglayerremovalonfiber機台型別:站別:2700(PLASMA)機台廠牌:ASE機台型別:JASON701Wh

4、atisPlasma一.何謂“電漿”?物質形態：固體、液體、氣體、電漿所謂電漿，即是包含離子電子與中性粒子或部分游離的氣體。(PartiallyIonizedGas)。裡面的組成由各種帶電荷的電子，離子(Ion)及不帶電的激發態分子和原子團(Radicals)、自由基、紫外線等。NebulaLightningVolcanoMagneticFusingReactorFluorescentLampPLASMANeonlight電漿的形式有自然電漿（如北極光，星雲，太陽核，閃電）及人造（如電虹燈，火焰噴射器，日光燈，半導體制

5、程的濺渡，半導體制程的幹蝕刻，半導體封裝制程的電漿清洗。自然的電漿電漿的產生是利用直流，交流，射射頻或微波能源的方式，在適當的低壓狀態（約100mTorr至1Torr(1atm=760Torr)及密閉空間通以電源（12ev)，將通入密閉空間之氣體離子化，產生氣態之粒子；利用離子化之粒子及借由極板所提供之電場，加速粒子間之撞擊作用。而經由撞擊產生之二次電子與通入密閉空間之氣態粒子，尤其是不帶電荷的氣體分子及原子團再次發生撞擊。在撞擊之間便產生了電漿及火光。而經由撞擊之電子與粒子相結合而變成原子團。人工的電漿等離子體的組成

6、ComponentsofaPlasma電子Electrons離子IonsPositiveAr+e-Ar++2e-NegativeCl2+2e-2Cl-自由基FreeRadicals:CH4+e-.CH3+.H+e-光子PhotonsAr+e-Ar*+e-Ar+e-+hn中性粒子NeutralsPLASMA作用原理說明PlasmawithRF產生方式如圖將電極板施以13.56MHZ之交流電源，電子在兩極板間加速而獲得能量，此高能量之電子撞擊反應氣體分子（如Ar,H2）而產生離子，原子，自由基，電子等。在電漿對有機污染物之

7、清除方法有二：化學反應：利用氧原子或氫原子與污染物相結合方式，來達成電漿處理物理反應：利用正離子撞擊方式如氬氣，使含C-H鍵之污染物脫離而達成清除之目的。電漿處理過程中，影響最大因素為反應溫度。是由電力，密度，壓力及處理時間所決定。氣體的流量影響蝕刻速率及反應時間，可用以下公式來計算：R=(P*V)/rP:壓力（Torr）R:停滯時間，單位為秒V:反應室之體積（liter)。r:填充氣體之流速（每秒通過的Torr-liter)。當一種氣體滲入一種或多種額外氣體時，這些元素的混合氣體組合，能產生所希望的蝕刻與清洗效果。常

8、用的氣體則有氧氣，氫氣，四氟化碳，氬氣及氦氣。PlasmaProperties特性GasandConcentration借電漿中的離子或高活性原子，將表面污染物撞離或形成揮發性氣體，再經由真空系統帶走，達到表面清潔的目的。氬離子濺射(ARGONSPUTTERING)一以氬離子利用電漿與基板問的電位差，高速撞擊基板。一以撞擊動力濺射