代微电子技术和产业的发展趋势综述.doc

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1、木文由我爱屮国茶贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到木机查看。第1卷第27期20年607月天津工程师范学院学报JUNL0]NI1TESYOEHOOYADEUAIN0RAFTAJ1VRfNNTFTCNLGNDCTOM）.7No211.J10720u.当代微电了技术和产业的发展趋势综述王光伟（天津工稈师范学院电子工稈系，夭津32）02摘要：成电I设计、从集路（）C工艺、封装和测试等几方血，述了c为的当综以I核心代微电技术了和产业的要发主展趋势，探讨了这些领域所面临的诸多问题及其解决方案，要介绍了并简一些典型的纳米新器件及其应用。关键词：集成电路设计；制造工

2、艺；封装；测试；成木；微电子技术屮图分类号：42T43T45T47献标识码：N）T（:N0；N0；N0A文章编号：17—08((70一05063112)20—6)X)(DV1m«etrnomoe而c01tnathogiadnuteepntdfdroenrecoienInisercC01ydryWAGGageNun—•iw(emnoEcnEgen,aiU•1rt0enonEutnTi322Ci)Dpetf1tinnegTnneifco盯aiddc••1,1n02,hatraec1r•0r•1•JnvyTh1saoajnnAsatFmtVwnoieecusCdsPC:spc叱ade,ee1mntn

3、omdmbC:rhi卯ifn脚t•・仃）e即，reakietttdv0etrdfoertoeettdrtc10snshepem(recnatho盯adnswiictdncir1e•nseresxtgnhsf1ai1tien1n•1thcseeioIsVdAd0Pbm••e11itee争s0r1recc00Uydrhnreeewmo1sneidw1at•1rPcVSU0sa01ue•ta9aye冲inoseecadhi叩pci0reshrst0tna1dcsdA1tmnnwtca—•cdventr1aoaeee11irsssees1ana11se•1nettdnoebf.1•1rcdeyuir1

4、Kyod:Ceg■re■ak罗；e;o；■1ecn；ath0ewrsIdsPcspcattctmc1tien1•10snssoo1rercc罗如今，以集成电路（）CI为核心的微电了技术与产业已进人纳米电子时代。在这个时代，纳米电子器件所独有的一些物理及电学特性使得传统I设计、C工艺、封装和测试面临一系列新的考验。如互连延迟I0丁F、I核复用和系统芯片成为F、0MPIC设计的重要发展方向随着微电子系统复杂度和I芯片集成度越来越C现有的设计、制造、封装和测试等方面正遇到严峻E[。c计，重（等一对于I设应注体现系芯片（o,高，）句M1统scDT'和可制造性设计stncp的yeah）设计思想，smoi

5、将可测性设计（F）的挑战。基于可测性设计（F）DT（F方案是应对这些挑战的可行方法】I设计DM）]vC。和可制造性设计（F贯穿到设计工作屮。DM）一些新通常要面对两种复杂性一硅复杂性和系统复杂性，工艺与新材料的相继应用，可抑制或减小由于I器件C特征尺寸（D缩小所引起的许多消极效应。栅C）如，即特征工艺尺寸（D,缩小和新材料、C）的新器件的引人带来的复杂性，以及受到越来越小CD和用户对增氧化层厚度为几个纳米时，为减小栅漏电而采用较厚降低成木以及更短上市时间要求所驱动的晶的介电数材料伽gk应用高常h）—；镶嵌丁•艺制作加功能、备铜体管数量的指数增长带来的复杂性。如果按照传统的为金属互连材料以减小信

6、号延时等。适应设计和为了方法设计,必然会引起制造成本的上升，成品率的下工艺的革新需要，封装和测试也必须在技术上做相CI降，测试成木的增加，共至根木无法测试等问题。因此，应的跟进和提升。的增加、信号完整性（、S天线效应（和电）JA）E迁移收稿Id期：2）——《702x28基金项目：天津市高校科技发展基金资助项bl（仪冶））2叹5.作者简介：王光伟门9一）男，副教授，17,博士，EE学会会员，I五研究方向为半导体薄膜材料、工艺和器件.天津工稈师范学院学报20年607月必须在I设计时就事先考虑到产品的可制造性和可C测试性。目D和DM已经逐步应用于I超深前，FTFC亚微米/纳米制造工艺和系统芯片（C屮

7、。SCoS）o是在单一基片上实现信号的采集、转换、存储、处理和U0等功能的系统。C的os设计涵盖算法、软件和碾件三方面，C的可测性设计已经成为sCoSo技术屮至关重要的部分因。超深亚微米/纳米器件更容易发生击穿、漏电和桥接等故障。为此，新型高速D成为保叮证芯片良降低测试成本的关键所在。虽然DM率、F不属于最新的技术，但其重要性在纳米器件的严重成品率问题出现后II益显现。DM要求在产品设计时，F将可