模拟电子技术B复习提纲.ppt

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1、考试时间：2012年1月6日上午10:20---12:20考试地点：1721117212总评成绩：70%考试成绩+20%平时成绩+10%实验成绩考试范围：第1—7章、第9章1复习提要1.熟悉各章的基本概念和定义；熟练使用常用的电路分析方法；熟练掌握典型电路的计算公式；熟悉典型电路的分析过程和计算过程；熟练掌握典型电路的例题（教材和课件）；把对应各章的典型电路的例题（分析过程、计算公式、求解过程）弄清楚，弄明白。熟悉对应各章的课堂练习和作业计算分析。2第1章常用半导体器件N型半导体，P型半导体如何产生？在硅或锗的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N型半导体

2、。在硅或锗的晶体中掺入少量的3价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成P型半导体。2.PN结的形成，空间电荷区的变化（正偏，反偏）；正偏空间电荷区变窄，反偏空间电荷区变宽3.温度对IS（反向饱和电流）的影响？4.稳压二极管工作在什么区域？5.晶体管共射电流放大系统；β6.晶体管的截止区、放大区、饱和区分析判断。3三极管工作状态的判断【例】：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？（1）VC＝6VVB＝0.7VVE＝0V（2）VC＝6VVB＝4VVE＝3.6V（3）VC＝3.6VVB＝4VVE＝3.4V【解】：原则：正偏反偏反偏集电结正偏正偏反偏发射

3、结饱和放大截止对NPN管而言，放大时VC＞VB＞VE对PNP管而言，放大时VC＜VB＜VE（1）放大区（2）截止区（3）饱和区4【例】某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。【解】：电流判断法。电流的正方向IE=IB+ICABCIAIBICC为发射极B为基极A为集电极。管型为NPN管。5第2章基本放大电路本章要求1.熟悉放大电路的性能指标（放大倍数，输入电阻和输出电阻）；熟悉基本共射放大电路的工作原理（Q点分析）；饱和失真和截止失真的判断，Q点的合适位置；熟练掌握等效电路法分析具体放大电路；熟

4、练掌握典型共射、共集放大电路的等效电路图分析方法；并熟练分析求解电路静态工作点和电路的放大倍数（电压）、输入电阻、输出电阻。共射、共集、共基放大电路的特点（输入电阻、输出电阻、电流、电压放大能力，频带等）6第2章基本放大电路部分概念放大电路的最基本要求？2.直流通路、交流通路；3.静态工作点Q点的四个参数；4.饱和失真和截止失真的判断；5.三种组态（共射、共集、共基）的特点。Ri共集最大，共基最小Ro共集最小，共基最大高频特性共基最好7常见的两种共射放大电路Q点分析计算(1)直接耦合放大电路IBQIb2Ib1已知Ib2=Ib1+IBQUbe=UBEQUbeICQIBQ

5、UCEQ=VCC–ICQRC（RL＝∞）8(2).阻容耦合放大电路IBQ9交流等效电路基区体电阻发射结电阻发射区体电阻数值小可忽略利用PN结的电流方程可求得动态电阻rbe的近似表达式10共射放大电路动态参数的分析电路动态参数的分析就是求解电路电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。11静态工作点稳定的典型电路直流通路？Ce为旁路电容，在交流通路中可视为短路1.电路组成和Q点稳定原理122.Q点分析∵IBQ<

6、情况下，电路的静态电流、rbe均相等，它们分别为空载和带负载时，UCEQ不等15空载（RL＝∞）时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为。UCEQ=VCC-ICRC=15-51.76≈6.2V16RL＝3kΩ时，静态管压降、电压放大倍数等分别为172.9已知图P2.9所示电路中晶体管的＝100，rbe=1kΩ。（1）现已测得静态管压降UCEQ＝6V，估算Rb约为多少千欧；（2）若测得Ui和Uo的有效值分别为1mV和100mV，则负载电阻RL为多少千欧？18【解】：（1）求解Rb（2）求解RL：192.11电路如图P2.11所示，晶体管的＝100，rb

7、b’=100Ω。（1）求电路的Q点、Au、Ri和Ro；（2）若β=200，则Q点如何变化？（3）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？20【解】这是一个典型的稳定电路（1）静态分析：求解次序：UBQIEQIBQUCEQ21（1）动态分析：22（2）β=200时：求解次序不变：UBQIEQIBQUCEQ即β变化时，只有IBQ发生变化，其它参数IEQ、UCEQ保持不变。23（3）若电容Ce开路，其等效电路为：Rf+ReRo不变Ri增大

8、Au

9、减小242.12电路如图P2.12所示，晶体管的＝8