《现代电力电子技术》林渭勋_2.ppt

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1、现代电力电子技术主编：林渭勋1.3　功率场效应晶体管(PowerMOSFET)1.3.1　分类和结构1.3.2　静态特性1.3.3　导通电阻1.3.4　安全工作区1.3.5　开关过程1.3.6　栅极驱动电路1.3.1　分类和结构图1-6　功率MOSFET单胞结构示意图a)N沟道VDMOS　b)N沟道VVMOS　c)N沟道型器件符号　d)P沟道型器件符号1—源极　2—栅极　3—Si　4—源区　5—沟道体区6—漂移区(外延层)　7—衬底　8—沟道1.3.1　分类和结构图1-7　功率MOSFET的静态输出特性1—正向电阻区　2—反向电阻区　3—截止区4—饱和区(有源区)　5—雪崩击穿区　6—体二

2、极管导通区1.3.2　静态特性1.正向静态输出特性表1-4　功率MOSFET的雪崩击穿电压1.3.2　静态特性图1-8　饱和区的电流转移特性2.饱和区的电流转移特性1.3.2　静态特性3.无栅压反向输出特性图1-9　功率MOSFET体二极管的影响a)桥式直流变换电路b)外接快速二极管的功率MOSFET1.3.3　导通电阻1.导通电阻Ron的组成图1-10　器件的导通电阻组成a)传统VDMOS结构　b)沟槽栅VDMOS结构1.3.3　导通电阻图1-11　电路运行条件对导通电阻的影响a)击穿电压b)栅压c)结温d)漏极电流1.3.4　安全工作区图1-12　功率MOSFET的FBSOA①—直流功

3、耗限制线　②—导通压降限制线③—电压限制线　④—电流限制线⑤—单脉冲功耗限制线　⑥—脉冲电流限制线1.3.4　安全工作区电路运行条件对SOA的影响图1-13　壳温对器件功耗的影响1.3.4　安全工作区图1-14　器件的瞬态热阻1.3.4　安全工作区图1-15　器件的等效热路1.3.4　安全工作区图1-16　器件的RBSOA