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1、AI,RI,SMD,HI材料分階規則培訓:材料分階流程：BOMMaterialStructure一.AI分階准則二.RI分階准則三.SMD分階准則四.HI分階准則五.PR,PP,HP,HI,AS,PK分階准則AI植件元件要求及分類1.所有材料必須是帶裝2.所有元件的LAYOUT角度必須是0度或90度.3.所有元件的PCBMARK須為臥式狀,如附圖4.所有元件的腳徑須再0.8mm以下(<=0.8mm)5.所有元件的Pitch須在5~17.5mm之間.6.所有AI,RI元件腳徑與孔徑匹配如下:腳徑0.5mm孔徑1.0mm;腳徑0.8mm孔徑1.2mm.AI植件元件要求及分類1.1/8
2、W,1/4W,1/2W,1W(S)電阻呈臥式,Pitch為5~17.5mm.2.桶裝0.5Φ跳線107939,Pitch為5~20mm3.帶裝0.8Φ跳線133965,Pitch為5~20mm4.呈臥式電阻狀的小電容(MONO,MXIAC)和電感5.玻璃帶狀二極體(D)和齊納二極體(ZD)6.圓球形陶瓷封裝二極體(D).7.黑色塑膠封裝小功率的二極體(D)和齊納二極體(ZD)二极体DIO,D015,D041,D035,IN4744,IN4937齊納二极体Z.D,ZD501,ZD102,IN4749A,RD13EB11.所有材料必須是立式帶裝2.所有元件的LAYOUT角度必須是0度或9
3、0度.3.所有元件的PCBMARK須為立式狀,如附圖4.所有元件的腳徑須在0.8mm以下(<=0.8mm)5.所有元件的Pitch必須是5mm.6.所有元件的高度必須在16mm以下.RI植件元件要求及分類1.1/2W以下立式帶裝電阻2.三腳電晶体三極管Q＆IC,如Q900,IC6013.扁長方形的C.PEI綠色電容4.小本體黃色,藍色MONO陶瓷電容.5.C.DIS扁土黃色陶瓷電容,直徑是3~12Φmm,且是5T.6.C.ELE電解電容直徑是３～１０Φmm,高度小于16mm,且Pitch是5mm,5T.RI植件元件要求及分類SMD植件元件要求及分類1.所有SMD元件必須為貼片帶狀2.
4、舊料號以30-S開頭的電阻,如:30-S102J4SA0603,0805,1206,2010(1/10W,1/8W,1/4W,1/2W).3.舊料號以31-S開頭的電容,如:31-S1471KA024.舊料號以33-S開頭的二極體,如:33-SRLS41418145.舊料號以34-S開頭的三極管,如:34-SRN14016.舊料號以32-S開頭的IC晶體,如32-STSM103AID以SOT,SOT23,SOIC,STM結尾的IC晶體.PR段元件分階要求及分類2.須切平腳的元件,如電解電容,陶瓷Y電容,水泥電容.3.須打KINK架高或打扁的元件.4.須切腳后鎖散熱片的晶體元件.5.須
5、前踢成型的元件.6.須臥式成型的大功率二機體和電阻.7.須立式成型的二機體和電阻.8.所有角度不是0度或90,AI不可植件的元件.9.所有的套管加工1.凡需要一次切腳及成型加工的元件均可分在PR段.PP段元件分階要求及分類1.凡需要提前及二次加工的元件均可分在PP段.2.須套套管后切腳的元件,如立式電阻,突波器,保險絲,熱敏電阻.3.須再勾焊的小線材及熱敏電阻.4.須貼膠紙的小型元件,如,電容.5.須在元件的零件腳上套鐵芯的加工元件.6.ADP機種中所有INLET的加工所需元件,列到PP段.如,INLET,L,N線材,L,NCHOOK,HP段元件分階要求及分類1.凡需要提前隨線加工的
6、元件均可分在HP段.2.所有需要鎖附晶體的散熱片.52-3.鎖附晶體所用到的螺絲,螺帽,絕緣片.絕緣豆.50-,28-,4.鎖附熱敏電阻用的卡座及螺絲.44-5.所有要在鎖附晶體后需貼的膠紙.07-.28-6.所有在大電容及變壓上要的膠紙.7.所有在晶體腳上要套的鐵芯,及點綠膠.37-8.所有需要整腳的光耦,及ICHI段元件分階要求及分類1.不需要提前加工的元件均可分在HI段.2.所有不需要整腳的光耦和IC.32-,3.所有O/P線材及DCCORD.45-,04-4.所有的變壓器,42-5.所有的電感,37-6.所有不需要剪腳的大電容.31-7.部分卡散熱片的塑膠支柱.44-8.PV
7、C的跳線,04-9.不須要加工的小線材和散熱片.04-,52-AP段元件分階要求及分類1.DESKTOP需要提前加工的INLET及SW元件均可分在AP段.2.所有的INLET及所需要的元件.如:INLET.X-CAP;Y-CAP,L,NWIRE,GNDBAND,3.所有的SW所需要的元件.如,SW,SW100-1,SW100-2.AS段元件分階要求及分類1.需要在組裝隨線加工及組裝的元件均可在AS段2.所有組裝用到的CASE.46-CASE3.所有組裝過程
