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时间:2020-02-27
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1、东北农业大学网络教育学院电子技术专科网上作业题半导体器件一、判断题1.因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多,所以能用两个二极管反向连接起来代替晶体管。()2.晶体管相当于两个反向连接的二极管,所以基极断开后还可以作为二极管使用。()3.P型半导体的多数载流子是空穴,因此P型半导体带正电。()4.当二极管加反向电压时,二极管将有很小的反向电流通过,这个反向电流是由P型和N型半导体中少数载流子的漂移运动形成的。()5.二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性。()6.当二极管加正向
2、电压时,二极管将有很大的正向电流通过,这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动形成的。()7.发射结处于正向偏置的晶体管,则其一定是工作在放大状态。()8.一般情况下,晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小。()9.常温下,硅晶体管的UBE=0.7V,且随温度升高UBE增加。()10.二极管正向动态电阻的大小,随流过二极管电流的变化而变化,是不固定的。()11.用万用表识别二极管的极性时,若测的是二极管的正向电阻,那么和标有“十”号的测试棒相连的是二极管的正极,另一端是负极。()12.N型半导体是
3、在本征半导体中,加入少量的三价元素构成的杂质半导体。()13.在N型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少数载流子。()14.一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()15.晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()16.当外加电压为零时,PN结的结电容最小。()17.当反向电压小于反向击穿电压时.二极管的反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,其反向
4、电流迅速增大。()18.当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流,且UCE小于BUCEO时,晶体管就能安全工作。()19.晶体管的电流放大系数β值越大,说明该管的电流控制能力越强。所以晶体管的β值越大越好。()20.场效应管和晶体管一样,均为电流控制元件。()21.二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系。()22.当加在二极管两端的电压一定时,流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变。()23.基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流,叫晶体管的穿透电流。()24.一般说来,晶体管
5、的交流电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高,则β增大。()25.稳压二极管的动态电阻是指稳压管的稳定电压与额定工作电流之比。()26.晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻与工作点有关,IB愈小,输入电阻愈小。()27.晶体管的集电极—发射极击穿电压BUCEO的值同工作温度有关,温度越高,BUCEO越大。()28.晶体管的直流输入电阻和交流输入电阻都和工作温度有关,温度升高,RBE、rbe都减小。()二、选择题1.如果二极管的正、反向电阻都很大,则该二极管()。A.正常B.已被击穿C.内部断路2.当晶体管的两
6、个PN结都正偏时,则晶体管处于()。A.饱和状态B.放大状态C.截止状态3.当晶体管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体管处于()。A.饱和状态B.放大状态C.截止状态4.NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是()A.饱和B.正常放大C.截止5.当环境温度升高时,二极管的反向电流将()。A.增大B.减小C.不变6.在二极管特性的正向导通区,二极管相当于()。A.大电阻B.接通的开关C.断开的开关7.用直流电压表测量NPN型晶体管电路,晶体管各电极对地电位
7、是:UB=4.7V,UC=4.3V,UE=4V,则该晶体管的工作状态是()。A.饱和状态B.放大状态C.截止状态8.点接触型二极管比较适用于()A.大功率整流B.小信号检波C.大电流开关9.用万用表欧姆挡测量小功率二极管的性能好坏时,应把欧姆挡拔到()。A.R×100Ω或Rxlk挡B.R×1Ω挡C.R×10kΩ挡10.如果半导体中的自由电子和空穴的数目相等,这样的半导体称为()半导体。A.N型B.P型C.本征11.N型半导体(),P型半导体()。A.带正电B.带负电C.呈中性12.对PN结加反偏电压时,参与导电
8、的是()。A.多数载流子B.少数载流子C.既有多数载流子,也有少数载流子13.当晶体管饱和时会发生()。A.IC随IB变B.IC不随IB变C.IC随Ube变D.Ic随β变14.两个稳压值分别是8V、7.5V的稳压管用不同的方式串联起来,最多可得到的稳压值是()。A.二种B.三种C.四种D.五种15.场效应管G—S之间的电阻比晶体管B—E之间的电阻()。A.大B.小C.差不多16.场效应
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