首届上海市高二物理竞赛试卷.doc

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1、首届高二竞赛试卷(94决)一填空题(每格2分,共20分)1理想气体是一种理想化的气体模型,真实气体只有在____________的情况下可以看作理想气体。2熔丝盒中的熔丝被熔断后,仔细观察熔丝因熔断产生的端点,发现其端面呈球面状,这是因为熔丝在熔化时,熔液表面在_______作用下收缩的缘故。3长为0.6m,通过的电流为0.4A的直流电,在磁感强度为0.1T的匀强磁场中受到的最大安培力是_______N。4一定质量的理想气体,经过等压过程或等容过程,使它升高相同温度,则吸热较多的是_______过程。

2、5如图,在匀强电场中将一带电粒子从电势为400V的A点移到电势为100V的B点电场力所做的功为4.8´10-8J,则这个粒子带电为________C,若AB连线跟电场线方向的夹角为60°,连线长10cm,则匀强电场的场强为________N/m。6如图电路,电动势e=12V,电容C1=2mf,C2=1mf,K为单刀比掷开关,先将K置于1端对C1充电,待稳定后再将K置于2端,待稳定后,电容C2两端电压为_____V,C2中的电场能为_____J,电C1容中的电场能的减少量为_______J。7用相同的电

3、源分别对电阻为4W和64W的电势器供电,在相同时间里测得电热器放出的热量相等,则该电源的内阻是______W。二选择题(单选,每小题2分)1如图,一根水平放置、两端封闭、粗细均匀的玻璃管中,有一段水银柱D,水银柱左、右两侧的玻璃管内分别封有一些氧气和氮气,室温时氧气的体积大于氮气的体积,现把此玻璃管水平浸没在沸水或冰水中,则下列正确的是()(A)浸没于沸水中时D将向左移动,(B)浸没于冰水中时D将向左移动,(C)浸没于沸水或冰水中时D均不动,(D)浸没于沸水或冰水中时D均向右移动。2质量相等的0°C的

4、水和0°C的冰相比较,它们是()(A)内能相同,水分子平均动能大于冰分子平均动能,(B)内能相同,分子平均动能也相同,(C)分子平均动能相同,水的内能比冰的内能小,(D)分子平均动能相同,水的内能比冰的内能大。3把标有“10W、2W”和“20W、2W”的两电阻串联后接入电路中,这两个电阻允许的最大总功率是()(A)4W,(B)3W,(C)2W,(D)1W。4三个质子以不同的速率垂直磁场方向进入同一匀强磁场,它们的速率之比为1:2:3,则它们在磁场中回旋的半径之比为()(A)1:2:3,(B)1:1:1

5、,(C)3:2:1,(D)6:3:2。5如果把三个电量相等的同种点电荷固定在等边三角形ABC的三个顶点上,在这三个点电荷形成的电场中,电场强度为零的点应在该三角形的()(A)三个顶点上,(B)任一条边的中点上,(C)几何中心,(D)任一条边的延长线上。6如图,金属小球A带有4C的正电,另一较大的金属球壳B带有8C的正电,若把金属球A置于金属球壳B内,且不接触,金属球壳内、外两个表面的带电情况是()(A)内表面带4C负电,外表面带12C正电,(B)内表面带4C正电,外表面带4C正电,(C)内表面带4C负

6、电,外表面带4C负电,(D)内表面带4C正电,外表面带12C负电。三选择题(单选,每小题3分)1如图,在匀强磁场中有一能够自由转动的闭合等腰三角形线框ABC,(D为AB中点),若线框重力不计,且AB边平行于磁场,则当线框中通以逆时针方向的电流时,它可能()(A)经AB为轴转动,(B)以CD为轴转动,(C)以BC为轴转动,(D)以AC为轴转动。2在静电场中,一个负电荷在除电场力外的外力作用下沿电场线方向移动一段距离,若不计电荷所受的重力,则以下说法中正确的是()(A)外力做功等于电荷动能的增量,(B)电

7、场力做功等于电荷动能的增量,(C)外力和电场力的合力做功等于电荷电势能的增量,(D)外力和电场力的合力做的功等于电荷动能的增量。3如图电路中,电源电动势为e、内阻为r,R0为定值电阻,滑动变阻器的最大电阻为R,且R>R0+r,当滑片P由A向B移动时,滑动变阻器上的实际消耗功率将()(A)先变大后变小,(B)不断变小,(C)先变小后变大,(D)不断变大。4图中为某一质量恒定的理想气体的两条等温线,其余的ac、ad、cb、db四条中有一条可以表示这一质量恒定的理想气体发生绝热变化(即气体与外界无热交换的状

8、态变化)的过程,这条图线是()(A)ac,(B)ab,(C)cb,(D)db。5如图,质量为m、电量为q的带电粒子以速度v0垂直射入磁感强度为B,边长为L的正方形匀强磁场区,并以磁场中射出,该粒子射出方向跟入射方向间的夹角q等于()(A)cos-1LqB/mv0,(B)tg-1LqB/mv0,(C)ctg-1LqB/mv0,(D)sin-1LqB/mv0。6图示电路中,虚线左面是一个分压电路,当滑动变阻器RAB的滑片P位于中央时,PB两端的电压恰好为1V

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