LED芯片介绍.ppt

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1、LEDChip介绍国内外芯片公司介绍半导体技术与工艺介绍半导体照明（LED）国际现状LED外延、芯片已经形成了以美国、亚洲、欧洲三大区域为主导的三足鼎立的全球市场与产业分工格局，并呈现出以日、美、德为技术代表，台湾、韩国紧随其后，中国、马来西亚等电子制造基础良好的国家积极介入这样一个梯次分布状况。世界主要厂商中，经过技术发展和市场竞争，已形成了各自的产业特色，日本Nichia处于技术领先水平，垄断了高端蓝、绿光LED的市场；日本ToyodaGosei的蓝绿光LED产量最大；美国Cree的SiC衬底生长

2、的GaN外延片和芯片产量最大，而且在紫光外延片和芯片生产技术方面处于国际领先地位；美国Gelcore重点发展白光LED，在LED灯具设计方面处于国际领先地位；美国Lumileds重点发展大功率白光LED。所在城市公司名称所在城市公司名称上海蓝宝武汉华灿蓝光科技元茂大晨迪源深圳世纪晶源杭州士兰明芯方大廊坊清芯广州普光石家庄立德南昌联创光电扬州华夏集成晶能大连路美厦门三安济南华光晶宇国内(部分)LEDChipCompany半导体技术与工艺链衬底片制备单晶生长、磨片、抛光外延生长MBEMOCVD芯片制作光刻

3、、刻蚀、蒸发、划片器件封装贴片、键合、封包1、半导体单晶生长及衬底片加工通过对高纯原料熔融、化合物单晶生长、切割、磨片、抛光、真空包装等工艺，制成外延生长用衬底片。包括单晶生长炉、抛光机、变频行星式球磨机、晶体切割机等高纯原料化合物单晶外延用衬底片元素半导体的代表为硅（Si）和锗（Ge）；也称为第一代半导体；化合物半导体被称为第二、三代半导体材料，代表材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等。所谓“外延生长”就是在高真空条件下，采用分子束外延（MBE）、液相外延（LPE）、金属有

4、机化学气相沉积（MOCVD)等方法，在晶体衬底上，按照某一特定晶面生长的单晶薄膜的制备过程。半导体外延生长主要采用MBE和MOCVD工艺。衬底片外延片2、外延生长RIBERR6000型MBE系统RIBERR49NT型MBE系统AIXTRON2600G3HT型MOCVD系统ASEC-650H型MOCVD系统3、芯片制作在外延片的基础上采用光刻、刻蚀、蒸发、镀膜、电极制备、划片等半导体工艺制作具有一定功能的结构单元。主要采用光刻机、RIE、PECVD、离子注入、化学气相沉积、磨片抛光、镀膜机、划片机等半导

5、体工艺设备。外延片圆片芯片基本工艺流程光刻刻蚀蒸发溅射退火处理解理LED外延与芯片制作MOCVD材料外延生长镀介质膜镀膜解理/划片真空包装4、器件封装将芯片与相关功能器件和电路等,封入一特制的管壳内,使芯片和电路与外界环境隔绝，避免外界有害气氛的侵蚀，满足各种恶劣环境的应用要求，提高器件的可靠性，为器件提供一个合适的外引线，提高器件的电、光性能。芯片器件谢谢！