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1、B一、选择题1、半径为R的“无限长”均匀带电圆柱的静电场中各点的电场强度的大小E与轴线的距离r的关系曲线为：(A)(B)(C)(D)C2、如图所示，一封闭的导体球壳A内有两个导体B和C。A、C所带净电量为零，B点正电，则A、B、C三导体的电势UA、UB、UC的大小关系是：(A)(B)(C)(D)3、如图，一个电量为+q、质量为m的质点，以速度V沿X轴射入磁感强度为B的均匀磁场中，磁场方向垂直纸面向里，其范围从X=0延伸到无限远处，如果质点在X=0和Y=0处进入磁场，则它将以速度-V从磁场中某一点出来，这点坐标是X=0和BA4、顺磁物质的磁导率：(A)比真空的磁导率略小。(B)比真空的磁导率略大
2、。(C)远小于真空的磁导率。(D)远大于真空的磁导率。B5、如图，导体棒AB在均匀磁场中绕通过C点的垂直于棒长且沿磁场方向的轴OO’转动，BC的长度为棒长的1/3，则：(A)A点比B点电势高。(B)A点与B点电势相等。(C)A点比B点电势低。(D)有稳定的电流从A点流向B点。C6.如图,平行板电容器(忽略边缘效应)充电时,沿环路L1,L2磁场强度的环流中,必有:7、某金属产生光电效应的红线波长为λ0，今以波长为λ(λ<λ0)的单色光照射该金属，金属释放出的电子(质量为me）的动量大小为：EDA8、电子显微镜中的电子从静止开始通过电势差为U的静电场加速后，其德布罗意波长为0.4埃，则U约为：(A
3、)150V(B)330V(C)630V(D)940V9、已知粒子在一维无限深势阱中运动,其波函数为:那么粒子在x=5a/6处出现的概率密度为:C10.下述说法中,正确的是:(A)本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电,而杂质半导体只有一种载流子参与导电,所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.(B)n型半导体的性能优于p型半导体,因n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.(C)n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.(D)p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.3、无限长直导线在P
4、处弯成半径为R的圆，当通以电流I时，则在圆心O点的磁感应强度大小等于方向为2、一平行板电容器，两极间充满各向同性均匀电介质，已知相对介电常数为εr，若极板上的自由电荷面密度为σ，则介质中电位移的大小D=.电场强度的大小垂直纸面向里二、填空题1、真空中有一均匀电点球面，球半径为R，总带电量为Q(>0)，今在球面上挖去一很小面积dS（连同其上电荷），设其余部分的电荷仍均匀分布，则挖去以后球心处的电场强度为球心处电势为（设无限远处电势为零）。HRroBRroR+d4、一半径为R圆柱形导体，筒壁很薄，可视为无限长，通以电流I，筒外有一层厚为d，磁导率为μ的均匀顺磁性介质，介质外为真空，画出此磁场的H-
5、r图及B-r图7、根据量子力学理论,氢原子中电子的动量矩在外磁场方向上的投影为,当角量子数l=2时,Lz的可能值为.8、（3分）在下列给出的条件中，哪些是产生激光的条件，将其标号列下：.（1）自发辐射（2）受激辐射（3）粒子数反转（4）三能级系统（5）谐振腔6、一个中空的长直螺线管上每厘米绕有20匝导线，当通以电流I=3A时，管中磁场能量密度w=.5、有两个线圈，自感系数分别为L1和L2。已知L1=3mH，L2=5mH，串联成一个线圈后测得自感系数L=11mH，则两线圈的互感系数M=.1.5mH22.6J/m3(2),(3),(4),(5)xpao2ldxx三、计算题：1、电量q均匀分布在长为
6、2l的细棒上，求杆的中垂线上与杆中心距离为a的P点的电势（设无穷远电势为零）2、一真空二极管，其主要构件是一个半径R1=5×10-4m的圆柱形阴极A和一个套在阴极外的半径R2=4.5×10-3m的同轴圆筒形阳极B,如图所示，阳极电势比阴极高300V，忽略边缘效应求电子刚从阴极射出时所受的电场力。（电子电量e=1.6×10-19C)解：与阴极同轴作半径为r（R1＜r＜R2）的单位长度的圆柱形高斯面。设阴极上电荷线密度为λ，由高斯定理得：方向沿半径指向阴极。3、半径为R的半圆线圈ACD通有电流I1，置于电流为I2的无限长直线电流的磁场中，直线电流I1恰过半圆的直径，两导线互相绝缘。求半圆线圈受到长
7、直线电流I1的磁力。解：取坐标如图。长直线电流在半圆线圈处产生的磁感应强度大小为：方向：半圆线圈上dl线电流所受的磁力大小：方向如图。由对称性知：半圆线圈所受I1的磁力大小为：方向沿x轴正向。4、如图，两条平行导线和一个矩形导线框共面，且导线框的一个边与长导线平行，到两长导线的距离分别为r1,r2,已知两导线中电流都为I＝I0sinωt,I0,ω为常数，导线框长为a宽为b求导线框中电动势。AdxB
