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时间:2020-01-26
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1、第6章存储器半导体存储器的分类6.1读写存储器(RAM)6.2现代RAM6.3只读存储器(ROM)6.4计算机系统对存储器的要求:容量要大、存取速度要快,成本低。计算机系统都是采用多级存储体系结构:寄存器速度变慢高速缓存(CACHE)成本变低主存储器(内存储器)容量增大辅助(外)存储器与CPU数据交换减少网络存储器如图6-1所示。6.1半导体存储器的分类半导体存储器从使用功能上划分:读写存储器RAM(RandomAccessMemory)(随机存取存储器)只读存储器ROM(ReadOnlyMemory)RAM:
2、可读可写;主要用来存放各种现场的输入输出数据、中间计算结果、与外存交换的信息以及作为堆栈使用;掉电后信息会丢失。ROM:正常工作时是读出方式;主要用来存放各种管理、监控程序、操作系统基本输入输出程序(BIOS);掉电后信息不会丢失。半导体存储器的分类E2PROMFLASHROM6.1.1RAM的种类RAM分为双极型(Bipolar)和MOSRAM两大类。各种RAM特点:共同点:信息易失性。双极型RAM:由TTL晶体管逻辑电路组成;存取速度快(10ns以下);集成度低;功耗大;用于高速微机中。静态RAM(SRAM)
3、:以触发器为基本存储电路;速度较快;集成度较低;功耗大;用于CACHE(高速缓存)。动态RAM(DRAM):利用电容存储信息;速度低;集成度高;功耗低;需要定时刷新;价格低;用于大容量内存6.1.2ROM的种类(信息非易失性)1.掩模ROM:早期的ROM由半导体厂商按照某种固定线路制造的,制造好以后就只能读不能改变。这种ROM适用于批量生产的产品中,成本较低,但不适用于研究工作。2.可编程序的只读存储器PROM(ProgrammableROM)可由用户对它进行编程,用户只能写一次,已不常用。3.可擦去的可编程只读
4、存储器EPROM(ErasablePROM)可用紫外线擦除内容;可以多次改写;但需要专用的擦除、写入设备;写入信息很慢(写一个字节50MS);4.电可擦除EPROM(E2PROM):类似EPROM;擦除、写入可在线进行。5.FLASHROM:电子盘、数码相机等使用。6.2读写存储器(MOS型RAM)6.2.1基本存储电路基本存储电路是组成存储器的基础和核心,它用来存储一位二进制信息:“0”或“1”。在MOS存储器中,基本存储电路分为:静态存储电路:六管静态存储电路动态存储电路:单管存储电路(电容存储信息)1.六管
5、静态存储电路静态存储电路是由两个增强型的NMOS反相器交叉耦合而成的触发器。如图6-3(a)所示。双稳态触发器六管静态存储电路(1)双稳态触发器:T1、T2为控制管T3、T4为负载管这个电路具有两个不同的稳定状态:若T1截止,A=“1”(高电平),它使T2开启,B=“0”(低电平)而B=“0”又保证了T1截止,状态稳定。T1开启,T2截止的状态也是互相保证而稳定的。因此,可以用这两种不同状态分别表示“1”或“0”。(2)六管静态存储电路:当X的译码输出线为高电平时:T5、T6管导通,A、B端就与位线D0和D0#相
6、连;当这个电路被选中时,相应的Y译码输出也是高电平,故T7、T8管(它们是一列公用的)也是导通的,于是D0和D0#(这是存储器内部的位线)就与输入输出电路I/O及I/O#(这是指存储器外部的数据线)相通。写入信息:I/O经T7、T5写入A端。I/O#经T8、T6写入B端。读出信息:T5开启,T7开启,A端信息经D0、T7送到I/O线。T6开启,T8开启,B端信息经D0#、T8送到I/O#线。不读不写(存储电路没被选中):T5、T6、T7、T8截止,双稳态触发器工作,保存信息。判断存储信息是“1”/“0”的方法:静
7、态存储电路读出时可以把I/O与I/O#线接到一个差动放大器,由其电流方向即可判定存储单元的信息是“1”还是“0”;也可以只有一个输出端接到外部,以其有无电流通过而判定所存储的信息。这种存储电路,它的读出是非破坏性的,即信息在读出后仍保留在存储电路内。特点:只要有电源,信息不会丢失,不用刷新由于总有一个管子开启,能耗大速度快、集成度低、成本高。8个这样的存储电路并行工作组成一个字节的信息;六管静态存储电路是组成SRAM的基础。2.单管存储电路单管存储电路是由一个管子T1和一个电容C构成。写入时:字选择线为“1”,T
8、1管导通,写入信号由位线(数据线)存入电容C中。读出时:字选择线为“1”,存储在电容C上的电荷,通过T1输出到数据线上,通过读出放大器即可得到存储信息。信息读出后,信息会被破坏,需要恢复。单管动态存储电路的特点:存储电路简单、集成度高。读出后存储电路的信息受到破坏,需要恢复。需要定时刷新。8个单管动态存储电路并行工作,组成一个字节。单管动态存储电路是组成DRAM的基础。字
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