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时间:2020-01-23
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1、3.2RC电路的频率响应第3章放大电路的频率响应3.5放大电路的增益带宽积小结3.1概述3.3晶体管的高频等效模型3.4共射放大电路的频率响应fOAum1.幅频特性和相频特性Au(f)—幅频特性(f)—相频特性0.707AumfOAufL—下限截止频率fH—上限截止频率2.频带宽度(带宽)fBW(BandWidth)fBW=fH-fLfH3.1概述fLfH3.2.1RC低通电路的频率响应3.2RC电路的频率响应1.频率特性的描述RC•••••令1/RC=H,τ=RC•滞后••••fO
2、Au
3、10.707O–45–90fHf幅频特性相频特性滞后
4、f<5、Au6、≈0dBf=fH20lg7、Au8、=20lg0.707≈-3dBf>>fH20lg9、Au10、=-20lgf/fHRC••2.频率特性的波特图在研究放大电路的频率响应时,输入信号(即加在放大电路输入端的测试信号)的频率范围常常设置在几赫到上百兆,甚至更宽;而放大电路的放大倍数可从几倍到上百万倍;为了在同一坐标系中表示如此宽的变化范围,在画频率特性曲线时常采用对数坐标,称为波特图。波特图由对数幅频特性和对数相频特性两部分组成,它们的横轴采用对数刻度lgf,幅频特性的纵轴采用表示,单位是分贝(dB);相频特性的纵轴仍用表示。这样不但开阔了11、视野,而且将放大倍数的乘除运算转换成加减运算。表明f每上升10倍,增益下降20dB,即对数幅频特性在此区间可等效成斜率为(-20dB/十倍频)的直线。f/fH0•20lg12、Au13、/dB–200–45–90fH–400.11101000.1110f/fH频率特性波特图•–90f014、Au15、10.7070–45fHf–3dB–20dB/十倍频•波特图的优点:能够扩大频率的表达范围,并使作图方法得到简化.在电路的近似分析中,为简单起见,常将波特图的曲线折线化,称为近似的波特图。在对数幅频特性中,以截止频率为拐点,由两段直线近似曲线。在对数相频特性中,用16、三段直线取代曲线,以10fH和0.1fH为两个拐点。3.2.2RC高通电路的频率响应令1/RC=L超前f10fL20lg17、Au18、≈0dBf=fL20lg19、Au20、=20lg0.707≈-3dBf0.1fL20lg21、Au22、=20lgf/fLRC••高通电路的波特图RC••f10fL20lg23、Au24、≈0dBf=fL20lg25、Au26、=20lg0.707≈-3dBf0.1fL20lg27、Au28、=20lgf/fL当f>10fL时,以直线近似。当f<0.1fL时,以斜率为(20dB/十倍频)的直线近似。当f>10fL时,以=0°的直线近似。当f<0.1fL时,29、以=+90°的直线近似。在本节的分析中,具有普遍意义的结论是:电路的截止频率决定于电容所在回路的时间常数。当信号频率等于下限频率或上限频率时,放大电路的增益下降3dB,且产生+45°或-45°相移。近似分析中,可以用折线化的近似波特图表示放大电路的频率特性。例:求已知一阶低通电路的上限截止频率。0.01F1k1k1//1k0.01F例:已知一阶高通电路的fL=300Hz,求电容C。500C2k戴维南定理等效注:电路的截止频率决定于电容所在回路的时间常数。3.3.1晶体管的混合模型(1)3.3晶体管的高频等效模型3.3.1晶体管的混合型的30、建立在低频和中频情况下,信号频率较低,晶体管的PN结极间电容的容抗很大,而结电容很小,两者并联时,可以忽略极间电容的作用;而在高频情况下,晶体管的极间电容的容抗变小,与其结电阻相比,影响就不能被忽略了。PN结结电容的影响:的影响:因值随频率升高而降低.结论:高频下不能采用H参数等效电路.3.3.1晶体管的混合模型(2)晶体管结构示意图混合型的建立BEBCrbbrberbcCbcCbeCbe:不恒定,与工作状态有关简化的结构示意图晶体管的混合模型Cb’c=Cμ,Cb’e=Cπ3.3.1晶体管的混合模型(5)晶体管的混合模型3.3.31、2简化混合模型rce>>RLrb’c>>Cμ的容抗将Cμ单向化:Cμ及C’μ、C’’μ中的电流相同3.3.3混合模型的主要参数低频等效电路混合模型主要参数的计算依据:混合模型与h参数模型在低频时是等效的。混合模型的主要参数:Cob是晶体管为共基接法且发射极开路时c-b间的结电容,与C近似。3.4共射放大电路的频率响应在分析放大电路的频率响应时,为了方便起见,一般将输入信号的频率范围分为中频、低频和高频三个频段。在中频段,极间电容因容抗很大而视为开路,耦合电容(或旁路电容)因容抗很小而视为短路,故不考虑它们的影响;在低频段,主要考虑耦合电容(或旁32、路电容)的影响,此时极间电容仍视为开路;在高频段,主要考虑极间电容
5、Au
6、≈0dBf=fH20lg
7、Au
8、=20lg0.707≈-3dBf>>fH20lg
9、Au
10、=-20lgf/fHRC••2.频率特性的波特图在研究放大电路的频率响应时,输入信号(即加在放大电路输入端的测试信号)的频率范围常常设置在几赫到上百兆,甚至更宽;而放大电路的放大倍数可从几倍到上百万倍;为了在同一坐标系中表示如此宽的变化范围,在画频率特性曲线时常采用对数坐标,称为波特图。波特图由对数幅频特性和对数相频特性两部分组成,它们的横轴采用对数刻度lgf,幅频特性的纵轴采用表示,单位是分贝(dB);相频特性的纵轴仍用表示。这样不但开阔了
11、视野,而且将放大倍数的乘除运算转换成加减运算。表明f每上升10倍,增益下降20dB,即对数幅频特性在此区间可等效成斜率为(-20dB/十倍频)的直线。f/fH0•20lg
12、Au
13、/dB–200–45–90fH–400.11101000.1110f/fH频率特性波特图•–90f0
14、Au
15、10.7070–45fHf–3dB–20dB/十倍频•波特图的优点:能够扩大频率的表达范围,并使作图方法得到简化.在电路的近似分析中,为简单起见,常将波特图的曲线折线化,称为近似的波特图。在对数幅频特性中,以截止频率为拐点,由两段直线近似曲线。在对数相频特性中,用
16、三段直线取代曲线,以10fH和0.1fH为两个拐点。3.2.2RC高通电路的频率响应令1/RC=L超前f10fL20lg
17、Au
18、≈0dBf=fL20lg
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20、=20lg0.707≈-3dBf0.1fL20lg
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22、=20lgf/fLRC••高通电路的波特图RC••f10fL20lg
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28、=20lgf/fL当f>10fL时,以直线近似。当f<0.1fL时,以斜率为(20dB/十倍频)的直线近似。当f>10fL时,以=0°的直线近似。当f<0.1fL时,
29、以=+90°的直线近似。在本节的分析中,具有普遍意义的结论是:电路的截止频率决定于电容所在回路的时间常数。当信号频率等于下限频率或上限频率时,放大电路的增益下降3dB,且产生+45°或-45°相移。近似分析中,可以用折线化的近似波特图表示放大电路的频率特性。例:求已知一阶低通电路的上限截止频率。0.01F1k1k1//1k0.01F例:已知一阶高通电路的fL=300Hz,求电容C。500C2k戴维南定理等效注:电路的截止频率决定于电容所在回路的时间常数。3.3.1晶体管的混合模型(1)3.3晶体管的高频等效模型3.3.1晶体管的混合型的
30、建立在低频和中频情况下,信号频率较低,晶体管的PN结极间电容的容抗很大,而结电容很小,两者并联时,可以忽略极间电容的作用;而在高频情况下,晶体管的极间电容的容抗变小,与其结电阻相比,影响就不能被忽略了。PN结结电容的影响:的影响:因值随频率升高而降低.结论:高频下不能采用H参数等效电路.3.3.1晶体管的混合模型(2)晶体管结构示意图混合型的建立BEBCrbbrberbcCbcCbeCbe:不恒定,与工作状态有关简化的结构示意图晶体管的混合模型Cb’c=Cμ,Cb’e=Cπ3.3.1晶体管的混合模型(5)晶体管的混合模型3.3.
31、2简化混合模型rce>>RLrb’c>>Cμ的容抗将Cμ单向化:Cμ及C’μ、C’’μ中的电流相同3.3.3混合模型的主要参数低频等效电路混合模型主要参数的计算依据:混合模型与h参数模型在低频时是等效的。混合模型的主要参数:Cob是晶体管为共基接法且发射极开路时c-b间的结电容,与C近似。3.4共射放大电路的频率响应在分析放大电路的频率响应时,为了方便起见,一般将输入信号的频率范围分为中频、低频和高频三个频段。在中频段,极间电容因容抗很大而视为开路,耦合电容(或旁路电容)因容抗很小而视为短路,故不考虑它们的影响;在低频段,主要考虑耦合电容(或旁
32、路电容)的影响,此时极间电容仍视为开路;在高频段,主要考虑极间电容
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