模电试题库和答案解析.doc

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1、下载可编辑模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题(满分100分)1.N型半导体带负电,P型半导体带正电。()2.以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。()3.PN结处于正向偏置时,正向电流小,电阻大,处于导通状态。()4.晶体二极管的反向电压上升到一定值时,反向电流剧增,二极管被击穿,就不能再使用了。()5.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。()6.在本征半导体中,空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。()7.晶体三极管的基极,集电极,发射极都不可互换使用。()8.晶体三极管工作在饱和状态的条件是:发射结正偏,集

2、电结正偏。()9.晶体三极管有三种工作状态,即:放大状态,饱和状态,导通状态。()10.三极管是一种电压控制器件,场效应管是一种电流控制器件。()11.温度升高后,在纯净的半导体中()。A.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B.空穴增多,自由电子数目不变C.自由电子增多,空穴不变D.自由电子和空穴数目都不变12.如果PN结反向电压的数值增大(小于击穿电压),则()。A.阻当层不变,反向电流基本不变B.阻当层变厚,反向电流基本不变C.阻当层变窄,反向电流增大D.阻当层变厚,反向电流减小.专业.整理.下载可编辑作业1-2一、习题(满分100分

3、)1.N型半导体()。A.带正电B.带负电C.呈中性D.不确定2.如果二极管的正反向电阻都很大,则该二极管()。A.正常B.断路C.被击穿D.短路3.对于晶体二极管,下列说法正确的是()。A.正向偏置时导通,反向偏置时截止B.反向偏置时无电流流过二极管C.反向击穿后立即烧毁D.导通时可等效为一线性电阻4.工作在放大状态的三极管两个电极电流如图,那么,第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为()。A.0.03mA流出三极管e、c、bB.0.03mA流进三极管e、c、bC.0.03mA流出三极管c、e、bD.0.03mA流进三极管c、

4、e、b5.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图,从而可判断该晶体管工作在()。A.饱和状态B.放大状态C.倒置状态D.截止状态6.PNP型晶体管工作在放大状态,三个极电位的关系是()。A.VC>VB>VEB.VC>VE>VBC.VE>VB>VCD.VE>VC>VB7.PNP型硅管工作在放大状态,各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。A.发射极、基极、集电极B.集电极、基极、发射极C.集电极、发射极、基极D.基极、集电极、发射极8.测得三极管ib=30μA时ic=2.4mA,而ib=40μA

5、时ic=3mA,则该管的交流电流放大系数β为()。A.60B.75C.80D.1009.NPN型硅管各极对地电位分别是V1=6V,V2=2.7V,V3=2V,则1,2,3分别为()。.专业.整理.下载可编辑A.基极、集电极、发射极B.发射极、基极、集电极C.集电极、发射极、基极D.集电极、基极、发射极10.三极管输出特性曲线可分为三个区,下列不属于工作区的是()。A.截止区B.放大区C.饱和区D.击穿区11.在放大电压信号时,通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为()A.输入电阻小,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻小C.输入电阻大,输

6、出电阻小D.输入电阻大,输出电阻大.专业.整理.下载可编辑作业1-3一、习题(满分100分)1.以下属于半导体的是()。A.锗B.塑料C.铜D.云母2.P型半导体中的多数载流子是()。A.负电荷B.自由电子C.正电荷D.空穴3.将PN结P区接电源负极,N区接电源正极,此时PN结处于()偏置。A.正向B.双向C.单向D.反向4.将PN结两端加反向电压时,在PN结内参与导电的是()。A.空穴B.自由电子C.自由电荷D.空穴和自由电子5.由理想二极管组成的电路如图所示,其A、B两端的电压为()。A.+6VB.-6VC.-18VD.+18V6.在半

7、导体材料中,其说法正确的是()。A.P型半导体和N型半导体材料本身不带电B.P型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带正电C.N型半导体中,由于多数载流子为自由电子,所以它带负电D.N型半导体中,由于多数载流子为空穴,所以它带负电7.如果二极管的反向电阻都很小或者为零,则该二极管()。A.正常B.短路C.断路D.被击穿8.实现晶体三极管截止的条件是()。A.发射结正偏,集电结反偏B.发射结,集电结均正偏C.发射极,集电结均反偏D.发射结反偏,集电结正偏9.满足△IC=β△IB的关系时,三极管一定工作在()。.专业.整理.下载可编辑A.截止

8、区B.放大区C.饱和区D.以上都可以10.测得三极管ib=10μA时,ic=2.4mA;而ib=30μA时,ic=3.4mA,则该管的交流电流放大系数β为()。A.50B.60C

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