光电技术总复习.doc

《光电技术总复习.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、.word格式.第一章紫外区0.01μm~0.38μm可见光区0.38μm~0.78μm红外区0.78μm~1000μm光学谱区0.01μm~1000μm光子能量公式可见光光子的能量范围为3.2～1.6eV；太赫兹波30～3000μm辐射度学是一门研究电磁辐射能测量的科学，辐射度量是用能量单位描述光辐射能的客观物理量。光度学是一门研究光度测量的科学，光度学量是描述光辐射能为平均人眼接收所引起的视觉刺激大小的强度。电磁波（Emission）－－辐射度量，Xe可见光（Visiblelight）－－光度量，Xv1．辐射能Qe以辐射的形式发射、传播或接受的能量。单位：J2．辐

2、射通量Φe单位时间内通过某截面的所有波长的总电磁辐射量，又称辐射功率，是辐射能的时间变化率。单位：W［J/s］3．辐射强度在给定方向上的立体角元内，辐射源发出的辐射通量与立体角元之比立体角：一个锥面所围成的空间部分称为“立体角”。以锥体的顶点为心作球面，锥体在球表面上所截得的表面积和球半径平方之比度量。计算辐射强度时注意三种情况：a.所有方向上辐射强度都相同的点辐射源，有限立体角内发射的辐射通量为：b.所有方向上辐射强度都相同的点辐射源，在空间所有方向上发射的辐射通量：c.各向异性的辐射源，其辐射强度随方向而变化，即，点辐射源在整个空间发射的辐射通量为：.4．辐射出度

3、Me与辐射亮度Le5．辐射出度Me：单位面发出的辐射通量6.辐射亮度Le：垂直辐射方向上单位面积、单位立体角发出的辐射通量光谱辐射量是该辐射量在波长λ处的单位波长间隔内的大小，又叫辐射量的光谱密度，是辐射量随波长的变化率。.专业.专注..word格式.辐射度量与光度量间的换算关系发光强度单位—坎德拉（Candela），记作cd,定义为555nm辐射光在给定方向上的辐射强度为1/683W/sr时，该方向的发光强度为1cd。即λ=555nm时，有例1-１已知某He-Ne激光器的输出功率为3mW，试计算其发出的光通量为多少lm？解He-Ne激光器输出的光为光谱辐射通量，它发

4、出的光通量为辐射度学与光度学的两条基本定律1．辐射强度余弦定律“余弦辐射体”或“朗伯辐射体”2．距离平方反比定律1.2半导体的基础知识1．原子能级与晶体能带1.价带中电子，价电子－－不能参与导电2.导带中电子，自由电子－－能参与导电3.价电子--à自由电子，要吸收能量本征半导体结构完整、纯净的半导体称为本征半导体，又称I型半导体。杂质半导体半导体中可人为掺入少量杂质包括N型半导体和P型半导体N型半导体：施主能级P型半导体：受主能级总结：N型半导体与P型半导体的比较半导体所掺杂质多数载流子（多子）少数载流子（少子）特性N型施主杂质电子空穴电子浓度nn>>空穴浓度pnP型

5、受主杂质空穴电子电子浓度np<<空穴浓度pp1.2.2热平衡状态下的载流子热平衡态一个不受外界影响的封闭系统，其状态参量（如温度、载流子浓度等）与时间无关的状态称为热平衡态。载流子的分布导带中电子的浓度价带中空穴的浓度载流子的分布服从费米统计分布规律－－热平衡条件下，能量为E的能级被电子占据的概率为：.专业.专注..word格式.Ef－－费米能级Ef的意义是电子占据率为50%时所对应的能级1.2.3半导体对光的吸收Φ(x)=Φ0(1－r)e-αxμ为消光系数本征吸收：光子能量足够大，价带中的电子激发到导带产生电子－空穴对非本征吸收：光子能量不足以使价带中的电子激发到导

6、带，包括杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶格吸收.1.2.4非平衡状态下的载流子产生：－－使非平衡载流子浓度增加的运动复合：－－使非平衡载流子浓度减小的运动2.非平衡载流子的寿命2.非平衡载流子的寿命τc的物理意义：①表征复合的强弱②τc决定线性光电导探测器的时间特性③τc的大小与材料的微观复合结构、掺杂及缺陷等因素有关。τc的适应条件：－－本征吸收和杂质吸收，弱注入1.2.5载流子的扩散与漂移1．扩散载流子因浓度不均匀而发生的定向运动称为扩散。扩散系数D和扩散长度L2．漂移载流子受电场作用所发生的运动称为漂移。电子迁移率μ1)PN结的形成浓度差异，扩散，形成：离

7、子区耗尽区空间电荷区，内建电场(结电场)，漂移，扩散==漂移。一个平衡系统只能有一个费米能级黑体辐射和光辐射源能够在任何温度下全部吸收所有波长辐射的物体叫绝对黑体－－简称黑体.专业.专注..word格式.1.基尔霍夫定律2．普朗克辐射定律3．维恩位移定律4．斯蒂芬—玻尔兹曼定律普朗克辐射公式－－光谱辐射能分布维恩位移定律－－峰值波长斯蒂芬－玻尔兹曼定律－－总辐射出度必须满足上述三个激光产生的条件：发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)和半导体激光器(laserDiode，简称LD)都属于发光器件，都采用pn结或异质结的注入式场