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1、闪存芯片封装技术和存储原理技术介绍目前NANDFlash封装方式多采取TSOP、FBGA与LGA等方式,由于受到终端电子产品转向轻薄短小的趋势影响,因而缩小体积与低成本的封装方式成为NANDFlash封装发展的主流趋势 TSOP(Thinsmalleroutlinepackage)封装技术,为目前最广泛使用于NANDFlash的封装技术,首先先在芯片的周围做出引脚,采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面.TSOP封装时,寄生参数减小,因而适合高频的相关应用,操作方便,可靠性与成品率高,同时具有价格便宜等优点,因此于目前得到了极为广泛的应用. F
2、BGA(BallGridArray,也称为锡球数组封装或锡脚封装体)封装方式,主要应用于计算机的内存、主机板芯片组等大规模集成电路的封装领域,FBGA封装技术的特点在于虽然导线数增多,但导线间距并不小,因而提升了组装良率,虽然功率增加,但FBGA能够大幅改善电热性能,使重量减少,信号传输顺利,提升了可靠性. 采用FBGA新技术封装的内存,可以使所有计算机中的内存在体积不变的情况下容量提升数倍,与TSOP相比,具有更小的体积与更好的散热性能,FBGA封装技术使每平方英寸的储存量有很大的提升,体积却只有TSOP封装的三分之一,与传统TSOP封装模式相比,FBGA封装
3、方式有加快传输速度并提供有效的散热途径,FBGA封装除了具备极佳的电气性能与散热效果外,也提供内存极佳的稳定性与更多未来应用的扩充性. LGA(landgridarray)触点陈列封装,亦即在底面制作有数组状态坦电极触点的封装,装配时插入插座即可,现有227触点(1.27mm中心距)和44触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,应用于高速逻辑LSI电路,由于引线的阻电抗小,对高速LSI相当适用的,但由于插座制作复杂,成本较高,普及率较低,但未来需求可望逐渐增加. 目前NANDFlash一般封装大多采用TSOP、FBGA与LGA的方式,而记忆卡则多采用COB方式
4、进行封装手机应用领域则多用MCP的封装形式,随着终端产品的变化,未来WLP与3DTSV的封装方式也将逐渐为业界广为应用.U盘的一个大特点便是它的写入速度远不如读取速度快,但这并不不是所有U盘的共同问题,只是较大范围内存在这样的问题,其根源在于受于成本和体积的限制,大多数大容量USB闪存盘均采用MLC的闪存颗粒,只有极少数采用SLC的闪存颗粒,那么究竟MLC和SLC有什么本质的区别呢？SLC和MLC均是NANDFlash的存储原理级技术,也可以理解为目前NANDFlash在存储数据原理方面分道扬镳的一个表现.SLC全称单层式储存(SingleLevelCell）,是
5、指一个Block（块,Flash的基本存储单元,也可称为Cell）只有两种电荷值,高低不同的电荷值表明0或者1,因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号,所以SLC最大的驱动电压可以做到很低,传统的双电压卡或者低电压版本卡片肯定采用SLC类型的NANDFlash芯片.SLC因为结构简单,在写入数据时电压变化的区间小,所以寿命较长,传统的SLCFlash可以经受10万次的读写,因此出现坏Block的几率较小,因为存储结构非常简单,一组电压即可驱动,所以其速度表现更好,目前所有的超高速卡都采用SLC类型的Flash芯片.不过这种一个Block只存储一组数据的模式
6、无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度,所以只能在工艺制程方面努力进步,才能满足用户在容量方面的要求.MLC（多层式储存—MultiLeveledCell）是那种充分利用Block的技术,它采用较高的电压驱动,通过不同级别的电压在一个Block中记录两组位信息（00、01、11、10）,这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍,这对于曾经工艺制程遇到瓶颈的NANDFlash而言,是非常好的消息.不过MLC除了同制程、同晶圆面积时理论大一倍的记录空间外,存在一些先天的弊端,比如说电压区间更小,Flash就需要更多的CRC校验空间,这会大概占据Block中10%
7、的空间,因此实际使用中同制程同晶圆面积的MLC的容量不到SLC的一倍.因为电压变化更频繁,所以MLC技术的Flash在寿命方面远劣于SLC,官方给出的可擦写次数仅为1万次,也就是说一张512MB的USB闪存盘,你写入512MB的数据1万次（理想状态）,它就完蛋了,这可能是MLC最要命的一个缺点.MLC技术的Flash还有一个缺点,它的读写速度先天不如SLC,一个Block存储两组位数据,自然需要更长的时间,这里面还有电压控制、CRC写入方式等因素需要考虑.综合而言,SLC在寿命和性能方面拥有独特的优势,不过需要更好的工艺制程才能拥有较大的容量.而MLC虽然在容量方
8、面有先天的
