【精品】废气排放管理办法.docx

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1、废气排放管理办法2012-03-10发布2012-03-20实施文件类别:文件初始编制者/口期:文件修订者/日期:废气排放管理办法作业类文件/动力系统管控胡家伟/2009.11.30胡家伟/2012.03.10文件审批记录:部门/职位姓名副总裁基建动力部总监ESH部经理文件修改履历:版本号Rev更改内容/描述DescriptionofChanges发布日期ReleasedateA/0文件新编2009.11.301目的与范围使PM人员,设备运行工程师,系统工程师熟悉废气排放流程,了解废气异常排放处理办法,预防及减轻废气系统管理不当及人为疏忽造成的对当地人气坏境的影响,确保处理后之制程废气达到国

2、家市政废气排放标准安全排放。2规范性引用文件2.1中华人民共和国国家标准人气污染物综合排放标准3职责3.1相关部门因按照此办法规定的管理标准严格执行;3.2动力设备部相关工程师应严格管控生产废气达到国家标准排放;4术语和定义无5管理内容与治理措施方法5.1废气污染源分析废气处理系统所处理排放的废气主要来源于:生产工艺过程包括扩散前清洗(制绒)、去硅片氧化物(磷硅玻璃)、刻蚀等使川氢氟酸、盐酸、硝酸、四氟化碳等化学试剂挥发产生的酸性、含氟废气;清洗、扩散、PEVCD等工序产生有机溶剂废气和少量工艺尾气。5.2废气处理系统根据废气性质,将废气处理系统分为一般性废气(废热)排风系统、酸性废气处理系

3、统、工艺尾气处理系统和有机废气处理系统,新增加界丙醇冋收装置,各系统考虑了将來达规模的生产要求,放大了处理系统的能力,风机采用变频式风机,对根据需要变化排风量。5.2.1一般废气(废热)排风系统该系统排放一般的废气和高温排风,不需经处理而直接排放。5.2.2酸性废气处理系统酸性废气主要来源于工艺流程中使用各种酸液对硅片的腐蚀、清洗过程、扩散及等离子刻蚀产生的废气,主要污染物为氟化物、硝酸、HC1、C12等;拟设置1套酸性废气处理装置进行处理。酸性废气处理系统主要「11废气洗涤塔、通风机、排气管和加药系统等组成。废气先山排气管道输入废气洗涤塔,吸收液为氢氧化钠溶液,碱液经回圈喷洒而下,利用氢氧

4、化钠溶液作吸收液净化酸雾废气,吸收效率为93%〜98%。5.2.2.1酸性废气塔结构原理:就雾层二如层一Iru口►-一废气出口~//////z//l////?/////////////z////^///*///*/////>5.2.2.2酸性废气处理流程:酸性废气废阿处理市政自来水排入大气5.3工艺尾气、碱性废气处理系统工艺尾气、碱性废气主要來源于:PEVCD工艺过程中使用氨气、硅烷等过程,碱性废气的主要成分为氨、工艺尾气中含有微量硅烷等。釆用HWR世牛产工艺废气燃烧加喷淋的处理系统进行处理。5.3.1工艺尾气、碱性废气处理设备结构:5.3.2工艺尾气、碱性废气处理流程图:截脱气废气塔喷液洗

5、涤■排风机■托入大气废水站处理市政自来水5.4有机废气处理系统有机废气主要来源于丝网印刷和烧结过程屮产生的有机气体,主要成份为异丙醇等有机物。设置活性炭纤维吸附处理系统进行处理。采取的活性炭纤维吸附处理系统对VOC的处理效果能达到90%以上,满足《中华人民共和国国家标准大气污染物综合排放标准》的要求。5.4.1有机废气系统处理流程挥发性有机化合物废气经过活性炭吸附塔,由内部活性炭过滤器吸附,处理后由风机抽引经烟囱排至大气环境。5.4.2活性炭吸附塔结构原理:5.4.3有机废气处理流程图:VOC站入口有资质厂家回收处理有资质厂家供翊狀器叔机5.5工艺尾气排放分析5.5.1工艺废气来源在电池芯片

6、的加工过程中,工艺尾气主要來自扩散、PECVD、干法刻蚀等工序,尾气中含有微量硅烷等。应用工艺特殊气体的典型生产工艺为:(1)扩散:扩散是在硅片表面掺入纯杂质原子的过程。工艺牛产过程中分为沉积源和驱赶两步,其化学反应为:_>600°C-①:5P0C13►3PC15+P205△②:5P205+5Si=5SiO2+4P(2)化学气相沉积(PECVD):PECVD是在硅片上沉积氧化硅、氮化硅和多晶硅筹半导体器件材料,在300〜900°C的温度下通过化学反应产牛以上物质的过程,其化学反应为:SiH4+02->Si02+2H20SiH4+N20-Six02+N2+H2SiH4+NH3-Si3N4+H2

7、在上述生产工艺中,使用硅烷等多种特殊气体,绝大多数特殊气体参与了反应,所排放的尾气中的主要成份为HC1、HF等。5.5.2工艺尾气处理措施1、对气源柜、注入机反应室、有毒气体间、腐蚀性气体间、氢氟酸配送间、酸液配送间的排风接入酸性废气洗涤系统进行处理后排放。2、対于在硅片PECVD生产工序中产生的工艺废气,本项目拟采用HWR型生产工艺废气燃烧加喷淋的处理系统进行处理。处理后产牛的尾气由风机经排气筒高于地血18

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