第3章 MCS-51单片机指令系统.ppt

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时间:2020-01-18

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1、第三章MCS-51单片机指令系统第一节MCS-51指令系统的分类、格式及一般说明第二节寻址方式第三节分类指令1高级语言如C++汇编语言如MCS-51指令汇编目标文件按照语法格式编写源程序*.ASM*.C按照语法格式将源程序翻译成机器代码计算机识别的二进制代码*.OBJ第一节MCS-51指令系统的分类、格式及一般说明2一、111条MCS-51指令的分类方法按照每条指令执行时间划分:1、单机器周期(12个振荡周期)有64条2、双机器周期(24个振荡周期)有45条3、四机器周期(48个振荡周期)有2条按照每条指令翻译成字节数划分:1、单字节指令,有49条2、双字节指令,有45条

2、3、三字节指令,有17条按照指令功能划分:数据传递与交换、算术运算、逻辑运算、程序转移、布尔处理操作、CPU控制等6类。布尔处理操作类指令又称位操作指令。3一般分为两部分:操作码和操作数操作码:规定指令进行什么操作操作数:表示指令操作的对象,可以是数或是数据所在的地址,但最终对象都是数据。汇编语言格式为:[标号:]操作码助记符[目的操作数,][源操作数][;注释]MAIN:MOVA,#20H;####二、指令格式按指令的字节数(机器语言)不同,分为一字节指令,二字节指令,三字节指令1.一字节指令8位编码,既包含操作码,又包含操作数如果指令无操作数(如指令:NOP)或,操作

3、数都在Rn,A,B,DPTR,C中,则该指令一定是一字节指令。4如INCDPTRINCA若是有工作寄存器,则指令码中的rrr三位的不同编码来指定该寄存器MOVA,Rn指令码为11101rrr(E8H~EFH)二字节指令16位编码,既包含操作码,又包含操作数如果指令操作数只有一个8位直接地址或立即数,则该指令一定是二字节指令。操作码24H操作数22HADDA,#22H0010010000100010ADDA,22H操作码25H操作数22H0010010100100010操作码04H操作码A3H101000110000010053.三字节指令24位编码,既包含操作码,又包含操

4、作数如果指令操作数有两个8位直接地址或是立即数,或是16位直接地址,则该指令一定是三字节指令。操作码85H源操作数4FHMOV5EH,4FH操作码75H目的操作数5EHMOV5EH,#4FH操作码90H操作数高八位5EH操作数低八位4FHMOVDPTR,#5E4FH目的操作数5EH源操作数4FH6三、指令描述符号介绍Rn——当前选中的寄存器组中的8个工作寄存器R0~R7(n=0~7)。Ri——当前选中的寄存器组中的可作为间接寻址寄存器使用的2个工作寄存器R0、R1(i=0,1)。direct—8位的内部数据存储器单元中的地址。可以是内部RAM单元地址或专用寄存器地址。75

5、H、0A5H、P1#data——包含在指令中的8位立即数。#75H、#80H、#0A5H#data16——包含在指令中的16位立即数。#2480H、#0D256Haddr16——16位目的地址。用于长转移指令中,能转移到64KB程序存储器地址空间的任何地方。addr11——11位目的地址。目的地址应与下一条指令第一个字节在同一个2KB程序存储器的地址空间之内。rel——8位带符号的偏移字节,简称偏移量。偏移量相对于下一条指令的第一个字节计算,在-128--+127范围内取值。7@——间址寄存器或基址寄存器的前缀,如@Ri,@DPTR。/——位操作数的前缀,表示对该位操作数

6、取反,如/bit。×——片内RAM的直接地址或寄存器。(×)——直接寻址方式中,表示直接地址X中的内容。注释用((×))——在间接寻址方式中,表示由间址寄存器X指出的地址单元中的内容。注释用——箭头左边的内容被箭头右边的内容所代替。注释用DPTR——数据指针,可用作16位地址寄存器。bit——内部RAM或专用寄存器中的直接寻址位。A——累加器。ACC——直接寻址方式的累加器。B——专用寄存器,用于乘法和除法指令中。CY——进位标志或进位位,或布尔处理机中的累加器。8第二节寻址方式1、寄存器寻址2、直接寻址3、寄存器间接寻址4、立即寻址5、变址寻址6、相对寻址7、位寻址返回

7、本章首页寻址方式——找到存放数据的地址,提取操作数.91.寄存器寻址方式操作数给出形式为寄存器,操作对象(数据)存放在寄存器当中例如:MOVA,R0MOVR0,A寄存器:a.工作寄存器:Rnb.部分专用寄存器:A、B、DPTR、C这里源操作数和目标操作数均采用寄存器寻址。10如果程序状态寄存器PSW的RS1RS0=10(选中第二组工作寄存器,对应地址为10H~17H),设累加器A的内容为4AH,则执行MOVR1,A指令后,内部RAM11H单元的值就变为4AH,如寄存器寻址示意图所示。寄存器寻址示意图4AH11H内部RAM4AH

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