晶体管的开关特性.ppt

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1、晶体管的频率特性理学院§4.3晶体管的开关特性一、晶体管的开关作用二、晶体管的开关过程三、提高开关晶体管开关速度的途径一、晶体管的开关作用1.晶体管的开关作用1.开关管的要求：Vces越小越好，最好→0Iceo越小越好，最好→0BVceo高（使用范围大）开关时间短导通截止2.晶体管的开关区域3.截止区和饱和区的少子分布截止区Vbe<0(A)Vbc<0Vbe=0(B)Vbc<0Iceo饱和区（1）饱和的原因定义：临界饱和状态放大区饱和区（2）少子分布线性放大状态临界饱和状态饱和状态（

2、超量储存电荷）（3）电流传输过驱动电流定义饱和深度二、晶体管的开关过程二、晶体管的开关过程二、晶体管的开关过程中的少子分布1、延迟时间td缩短延迟时间td的方法：减小发射结势垒电容减小集电结势垒电容增大基极注入电流，使势垒电容充电进程加快减小反向脉冲幅度2、上升时间tr2、上升阶段基区少子分布0ECB请注意这是在线性区阶段的少子分布图缩短上升时间tr的方法：减小发射结势垒电容减小集电结势垒电容增大基极注入电流，但要注意深饱和增大基区少子寿命，减小基区复合电流3、存储时间ts抽

3、取基区和集电区超量储存电荷减小存储时间的途径：①减小基极驱动电流②增大基极抽取电流③缩短基区电子寿命和集电区空穴寿命4、下降时间tf减小下降时间的途径：①减小发射结和集电结势垒电容②增大基极抽取电流③缩短基区电子寿命和集电区空穴寿命三、提高开关晶体管开关速度的途径1、从晶体管内部考虑①掺金，减小饱和时超量存储电荷，加速集区复合②减小结面积③减小基区宽度，降低tr和tf2、从晶体管外部考虑①加大IB，缩短td和tr，但避免过大使饱和深度S过大③工作在临界饱和状态②加大，缩短td和tr，但避免过大使饱和

4、深度S过大